半導(dǎo)體復(fù)習(xí)參考試題-wenkub
2023-05-02 00:00:53 本頁(yè)面
【正文】 D. 高純化合物半導(dǎo)體C．平均自由時(shí)間 D．?dāng)U散系數(shù)24．在硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)中，在布里淵中心存在兩個(gè)極大值重合的價(jià)帶，外面的能帶（ B ）， 對(duì)應(yīng)的有效質(zhì)量（ C ），稱該能帶中的空穴為( E )。A. 本征半導(dǎo)體 B. 金屬 C. 化合物半導(dǎo)體 D. 摻雜半導(dǎo)體20. 公式中的是載流子的（C）。A. 100方向邊界處 B. 111方向邊界處 C. 110方向邊界處 16. 重空穴指的是（C）。A. 高可靠性 B. 高頻 C. 大功率 D. 高電壓12. 半導(dǎo)體的載流子擴(kuò)散系數(shù)大小決定于其（D）。8. 本征半導(dǎo)體是指（D）的半導(dǎo)體。A. 電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同。A. 變大 B. 不變 C. 變小4. 最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（C ）附近。隨著溫度的升高，電子占據(jù)的能級(jí)概率（增大），空穴占據(jù)的能級(jí)概率（增大）。13. 當(dāng)系統(tǒng)處于熱平衡狀態(tài)，也不對(duì)外做功的情況下，系統(tǒng)（每增加一個(gè)電子）所引起系統(tǒng)自由能的變化，等于系統(tǒng)的化學(xué)勢(shì)，也就是等于系統(tǒng)的費(fèi)米能級(jí)。外層電子能帶（寬），（大），所以（?。?，共有化運(yùn)動(dòng)強(qiáng)，在外力作用下，可以獲得更大的加速度。由于晶體內(nèi)部的各向異性，在空間的三個(gè)主軸上，有效質(zhì)量可以表示為（、一般情況下，是不等的）。導(dǎo)帶極小值位于布里淵區(qū)中心點(diǎn)Г處，極值附近的等能面是（球面），在簡(jiǎn)約布里淵區(qū)，共有（1）個(gè)這樣的等能面。導(dǎo)帶極小值位于布里淵區(qū)的（100方向）上由布里淵區(qū)中心點(diǎn)Г到邊界X點(diǎn)的（）處，導(dǎo)帶極值附近的等能面是（長(zhǎng)軸沿100方向的旋轉(zhuǎn)橢球面），在簡(jiǎn)約布里淵區(qū)，共有（6）個(gè)這樣的等能面。2. 溫度一定時(shí)，對(duì)于一定的晶體，體積大的能帶中的能級(jí)間隔（小），對(duì)于同一塊晶體，當(dāng)原子間距變大時(shí)，禁帶寬度（變?。?。3. 玻爾茲曼分布適用于（非簡(jiǎn)并）半導(dǎo)體，對(duì)于能量為E的一個(gè)量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（），費(fèi)米分布適用于（簡(jiǎn)并）半導(dǎo)體，對(duì)于能量為E的一個(gè)量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（），當(dāng)EF滿足（）時(shí)，必須考慮該分布。6. Ge屬于（間接）帶隙半導(dǎo)體。在布里淵區(qū)的（111方向）邊界L點(diǎn)處，簡(jiǎn)約布里淵區(qū)一共有（8）個(gè)這樣的能谷。在能帶底部，為(正)值，即；在能帶頂部，為(負(fù))值，即。10. 一種晶體中導(dǎo)帶底電子能量E與波矢K的關(guān)系為，其中為導(dǎo)帶底能量，A是常數(shù)，則電子的有效質(zhì)量：（）。費(fèi)米能級(jí)標(biāo)志了（電子填充能級(jí)）的水平。二、選擇題1. 施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體導(dǎo)帶提供（ B ），受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體價(jià)帶提供（ A ），本征激發(fā)后向半導(dǎo)體提供（ AB）。A. EA B. ED C. EF D. Ei 5. 擴(kuò)散系數(shù)反映了載流子在（A）作用下運(yùn)動(dòng)的難易程度，遷移率反映了載流子在（B ）作用下運(yùn)動(dòng)的難易程度。 B. 電子在晶體原胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同。A. 電子濃度等于本征載流子濃度 B. 電阻率最高 C. 電子濃度等于空穴濃度 9. IIVI族化合物中的M空位Vm是（C）。A. 復(fù)合機(jī)構(gòu) B. 能帶結(jié)構(gòu) C. 晶體結(jié)構(gòu) D. 散射機(jī)構(gòu)13. 公式和中的對(duì)于（A）取值相同。A. 質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴 B. 價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C. 價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴 D. 自旋—軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴17. 根據(jù)費(fèi)米分布函數(shù)，電子占據(jù)（）能級(jí)的幾率（B）。A. 渡越時(shí)間 B. 壽命 C. 平均自由時(shí)間 D. 擴(kuò)散系數(shù)21. 在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長(zhǎng)的GaAS具有很高的載流子遷移率，是因?yàn)檫@樣的材料（D）。A. 曲率大； B. 曲率?。?C. 大；D. 小； E. 重空穴；F. 輕空穴 25. 如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（ F ）。； ； ； 29. 對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni /NDNA/ 時(shí)，半導(dǎo)體具有 （ B ） 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。 33. 對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（ C ）。 35. 如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（ B ）空穴的俘獲率，它是（ D ）。 A、(ECEF)或(EFEV)≤0 B、能使用玻耳茲曼近似計(jì)算載流子濃度 C、(ECEF)或(EFEV)≥0 D、導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂能容納多個(gè)狀態(tài)相同的電子 38. 在某半導(dǎo)體摻入硼的濃度為1014cm3, 磷為1015 cm3，則該半導(dǎo)體為（ B ）半導(dǎo)體；其有效雜質(zhì)濃度約為（ E ）。 （D ）附近，最有利于陷阱作用的能級(jí)位置位于（C ）附近，并且常見的是（ E ）陷阱。 ，它引入的雜質(zhì)能級(jí)是（ A ）能級(jí)，在半導(dǎo)體中起的是（ C ）的作用；當(dāng)B摻入Si中時(shí)，它引入的雜質(zhì)能級(jí)是（ B ）能級(jí)，在半導(dǎo)體中起的是（ D ）的作用。深能級(jí)雜質(zhì)不會(huì)影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電性，但可作為有效的復(fù)合中心，改變非平衡載流子的壽命。因?yàn)檫@時(shí)本征激發(fā)極弱，可以忽略；載流子主要來源于雜質(zhì)電離，隨著溫度升高，載流子濃度逐步增加，相應(yīng)地電離雜質(zhì)散射也隨之增加，從而使得遷移率隨溫度升高而增大，導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而降低。對(duì)散射起主要作用的是晶格散射，遷移率隨溫度升高而降低，導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而升高。當(dāng)然，溫度超過器件的最高工作溫度時(shí)，器件已經(jīng)不能正
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