致電離輻射探測學練習題-wenkub
2023-04-09 07:30:59 本頁面
【正文】 漂移，在電極上感生電荷的變化形成的，其主要成分為，電子脈沖和離子脈沖， 其變化規(guī)律如圖發(fā)射的光子， 分析氣體探測器中的電壓信號的成分，并給出信號隨時間變化的關系和變化曲線示意圖。 答： 。 描述探測器分辨時間的模型如下圖所示，請給出這兩個模型對測量計數(shù)的修正公式。答：主要有電子和離子的漂移感生的兩種信號構成： 其變化如圖所示 畫出氣體脈沖電離室典型的輸出脈沖波形，說明輸出回路對波形的影響。 到達某一距離后，電子在平均自由程上獲得的能量足以與氣體分子發(fā)生電離碰撞，產(chǎn)生新的離子對。，除了加速電子與氣體分子的碰撞產(chǎn)生的電子之外，還有哪些原因產(chǎn)生新的電子？ 光電效應： 受激原子在退激發(fā)時發(fā)射的光子，以及復合等過程，只要能量足夠大，都可能在氣體分子或光陰極表面打出光電子 陰極表面的二次電子發(fā)射：正離子或受激原子撞擊陰極表面時可能發(fā)射二次電子12 .猝熄氣體的主要作用是什么？ 吸收紫外光的作用 抑制正離子發(fā)射作用13. 造成GM管的死時間的原因是 （1）電子雪崩產(chǎn)生的大量的電子，削弱陽極的電場強度； （2）電子雪崩產(chǎn)生的大量的正離子，削弱陽極的電場強度； （3）猝熄分子終止放電； （4）猝熄抑制正離子的發(fā)射。15. GM管的坪曲線存在坪斜的原因？ 亂真放電隨電壓升高而增多，從而造成假計數(shù)增多，亂真放電有以下兩個來源猝息不完全：猝息分子的正離子到達陰極有時還能打出少數(shù)電子； 負離子的形成：電子被捕獲形成負離子后漂移速度大大減慢，一直等到放電終止后才能到達強場區(qū)1造成GM管死時間的原因是什么？如何確定GM管的分辨時間？答：入射粒子進入計數(shù)器引起放電后，形成了正離子鞘，使陽極周圍的電場減小。 21. 光電倍增與閃爍晶體的之間匹配目的是 （1）增加光子的收集效率； （2）減小光子的反射； （3）輸出更多的光電子； （4）減小光電子渡越時間2引起光電倍增管的暗電流主要原因有哪些？答：熱發(fā)射歐姆漏電殘余氣體電離場致發(fā)射切倫科夫光子玻璃管殼放電和玻璃熒光 （1）射線進入閃爍體，與之發(fā)生相互作用，閃爍體吸收帶電粒子能量而使原子、分子的電離和激發(fā)； （2）受激原子、分子退激發(fā)時發(fā)射熒光光子； （3）光子收集到光電倍增管的光陰極上，由于光電效應，光子在光陰極上擊出光電子； （4）光電子在光電倍增管中倍增，數(shù)量由一個倍增到104109個，電子流在陽極負載上產(chǎn)生電信號； （5）此信號由電子儀器記錄和分析。當帶電粒子射入結區(qū)后， 通過與半導體材料的相互作用，很快地損失掉能量， 帶電粒子所損失的能量將使電子由價帶跳到滿帶上去， 于是導帶中有了電子，在價帶中留下空穴，形成導電的電子空穴對。 32. 通常γ源伴有β射線， 實際測得的γ能譜中，康普頓坪臺的低能部分向上傾斜的原因是 （1）β能譜的疊加； （2）韌致輻射的結果； （3）多重電子散射； （4）電子的湮滅33. 隨著探測器尺寸的增加，能譜的峰康比將 （1）不變； （2）減??；（3）增大；（4）為零3試從原理上分析Ge（Li）探測器對Gamma射線的能量分辨率好于NaI（Tl）晶體的主要原因。 3半導體探測器如簡圖所示，請畫出圖中各個作用點的輸出脈沖Q(t)的時間變化曲線。探測器放射源康普頓散射電子對湮滅光子特征X射線背散射
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