致電離輻射探測學練習題-文庫吧
2025-03-10 07:30 本頁面
【正文】 雪崩產(chǎn)生的大量的正離子，削弱陽極的電場強度； （3）猝熄分子終止放電； （4）猝熄抑制正離子的發(fā)射。1在GM管中，引起多次放電的主要原因是什么？如何抑制這種現(xiàn)象？答：主要原因有兩個：（1）受激氣體退激發(fā)產(chǎn)生的紫外光在陰極上由于廣電效應產(chǎn)生新的電子；（2）具有一定動能的正離子撞擊在陰極上產(chǎn)生的二次電子發(fā)射。這些新產(chǎn)生的電子在GM管中引起新的放電。（2分）抑制的措施：引入多原子分子，由于它們具有密集的振動和轉(zhuǎn)動能級，能強烈地吸收多種能量的光子，從而抑制光電子的產(chǎn)生；引入猝熄氣體分子，利用它與正電荷氣體分子的電荷交換，由于激發(fā)態(tài)猝熄分子的解離壽命比退激發(fā)光的壽命短很多，故大部分也超前解離而不發(fā)射光子，從而抑制正離子在陰極上的二次電子發(fā)射。15. GM管的坪曲線存在坪斜的原因？ 亂真放電隨電壓升高而增多，從而造成假計數(shù)增多，亂真放電有以下兩個來源猝息不完全：猝息分子的正離子到達陰極有時還能打出少數(shù)電子； 負離子的形成：電子被捕獲形成負離子后漂移速度大大減慢，一直等到放電終止后才能到達強場區(qū)1造成GM管死時間的原因是什么？如何確定GM管的分辨時間？答：入射粒子進入計數(shù)器引起放電后，形成了正離子鞘，使陽極周圍的電場減小。終止了放電，這時，進入計數(shù)器的粒子則不能引起放電，直到正離子鞘移出強場區(qū)，場強恢復到足以維持放電的強度為止，這段時間為死時間。 采用雙源法 17. 光電倍增管的光陰極的作用是 (1) 將電離輻射轉(zhuǎn)換為光子； （2）將電離輻射轉(zhuǎn)換成電子； （3）將電子轉(zhuǎn)換成光子； （4）將光子轉(zhuǎn)換為光電子18. 閃爍體NaI晶體中摻元素鉈（Tl）的作用是 （1）增加光子轉(zhuǎn)換效率； （2）增加光電效應 （3）減小晶體對輻射產(chǎn)生的光子的自吸收； （4）改善晶體的發(fā)射光譜1指出NaI(Tl)閃爍體的優(yōu)缺點.密度大，平均原子序數(shù)高，對X射線Gamma射線阻止本領大能量轉(zhuǎn)換效率高，相對發(fā)光效率相當于蒽晶體的兩倍對自身的閃爍光不產(chǎn)生吸收，因此可做成大塊閃爍體容易加工 極易潮解，必須密封在帶有光學玻璃 的金屬容器中使用 下圖是兩種尺寸的半導體探測器的峰總比隨能量變化的結(jié)果，試解釋差異的原因。答：γ射線入射到探測器中與物質(zhì)相互作用的產(chǎn)生次級γ射線可以再次與物質(zhì)發(fā)生作用，其結(jié)果使得全能峰的計數(shù)增加，產(chǎn)生累計效應； 累積效應與探測器晶體的大小有關，與射線的能量有關，尺寸大的累計效應大，因此，大體積的晶體的峰總比大于小體積的峰總比。 21. 光電倍增與閃爍晶體的之間匹配目的是 （1）增加光子的收集效率； （2）減小光子的反射； （3）輸出更多的光電子； （4）減小光電子渡越時間2引起光電倍增管的暗電流主要原因有哪些？答：熱發(fā)射歐姆漏電殘余氣體電離場致發(fā)射切倫科夫光子玻璃管殼放電和玻璃熒光 （1）射線進入閃爍體，與之發(fā)生相互作用，閃爍體吸收帶電粒子能量而使原子、分子的電離和激發(fā)； （2）受激原子、分子退激發(fā)時發(fā)射熒光光子； （3）光子收集到光電倍增管的光陰極上，由于光電效應，光子在光陰極上擊出光電子； （4）光電子在光電倍增管中倍增，數(shù)量由一個倍增到104109個，電子流在陽極負載上產(chǎn)生電信號； （5）此信號由電子儀器記錄和分析。24. 解釋光電倍增管的渡越時間 Delta函數(shù)光源的閃光到達陰極瞬間與陽極輸出脈沖到達峰值時刻之間的時間間隔
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