【正文】 IB (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 當 UCE大于一定的數(shù)值時，IC只與 IB有關(guān)，IC=?IB。 IB=IBEICBO?IBE IB EB RB IE ICBO ICE IBE B E C N N P IC=ICE+ICBO ?ICE EC Rc 基極電流 IB 小，集電極電流 IC 大 ， 根據(jù)基爾霍夫第一定律： ECB III ??BC II ??? —— 直流電流放大系數(shù) 若取電流的變化量，則有 BC II ??? ?β—— 交流放大系數(shù) 要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 IBE 進入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成電流 IBE ，多數(shù)擴散到集電結(jié)。 （ 4） 穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin。下面介紹兩個交流參數(shù)。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好? 2. 反向擊穿電壓 UBR 二極管反向擊穿時的電壓值。 R E ㈢ 半導體二極管 一、基本結(jié)構(gòu) PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導體二極管。 PN 結(jié) 加上反向電壓 、 反向偏置 的意思都是： P區(qū)加負、 N 區(qū)加正電壓。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間電荷區(qū) N型區(qū) P型區(qū) 電位 V V0 。 PN結(jié)及半導體二極管 P型半導體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴散運動 內(nèi)電場 E 漂移運動 擴散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導電作用的主要是多子 。這個空穴可能吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移動的帶負電的離子。 。其原因是摻雜半導體的某種載流子濃度大大增加。 本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 束縛電子 自由電子 二、本征半導體的導電機理 、自由電子和空穴 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補，這樣的結(jié)果相當于空穴的遷移，而空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此可以認為空穴是載流子。 在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成 共價鍵 ，共用一對價電子。 ? 往純凈的半導體中摻入某些雜質(zhì)，會使 它的導電能力明顯改變。 絕緣體： 有的物質(zhì)幾乎不導電，稱為 絕緣體 ，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 放大電路的分析方法 167。 半導體的基本知識 167。 PN 結(jié)及半導體二極管 167。 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定 167。 半導體： 另有一類物質(zhì)的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為 半導體 ，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。 一、本征半導體的結(jié)構(gòu)特點 Ge Si 通過一定的工藝過程，可以將半導體制成 晶體 。 硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)： 硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu) 共價鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價電子后的原子 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為 自由電子 ，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。 本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子 和 空穴 。 本征半導體中電流由兩部分組成： 1. 自由電子移動產(chǎn)生的電流。 P 型半導體： 空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導體，也稱為（空穴半導體）。 摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子 。近似認為多子與雜質(zhì)濃度相等。 內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。 注意 : P區(qū)中的空穴、 N區(qū)中的電子 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\動（ 擴散運動 ）。 － － － － + + + + R E 一、 PN 結(jié)正向偏置 內(nèi)電場 外電場 變薄 P N + _ 內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。 引線 外殼線 觸絲線 基片 點接觸型 PN結(jié) 面接觸型 P N 二極管的電路符號： 二、伏安特性 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。 4. 微變電阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二極管特性曲線上工作點 Q 附近電壓的變化與電流的變化之比： DDD iur???顯然， rD是對 Q附近的微小變化區(qū)域內(nèi)的電阻。 （ 5）最大允許功耗 m a xZZZM IUP ?穩(wěn)壓二極管的參數(shù) : （ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ （ 2） 電壓溫度系數(shù) ?U（ %/℃ ） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。 EC Rc 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流 IE。 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 ㈢ 特性曲線 三極管特性測試實驗線路 IC mA ?A V UCE UBE RB IB EC EB V Rc b c e 一、 輸入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管UBE?~。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏，?IBIC， UCE?稱為飽和區(qū)。 即： UCE?UBE ， ?IBIC， UCE? (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 三、主要參數(shù) 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO進入 N區(qū)，形成IBE。 ICM 集電極電流 IC上升會導致三極管的 ?值的下降，當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 167。 ui uo 輸入 輸出 參考點 RB +EC EB RC C1 C2 T 作用： 使發(fā)射結(jié)正偏，并提供適當?shù)撵o態(tài)工作點。 RB +EC EB RC C1 C2 T 耦合電容： 電解電容，有極性。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 如何判斷一個電路是否能實現(xiàn)放大？ 3. 晶體管必須偏置在放大區(qū)。 1. 信號能否輸入到放大電路中。 但是，電容對交、直流的作用不同。 直流通道： 只考慮直流信號的分電路。 IC UCE EC CCREQ 直流 負載線 與輸出特性的交點就是 Q點 IB 直流通道 RB +EC RC ㈡ 直流負載線和交流負載線 二、交流負載線 ic LcecRui???1其中： CLL RRR //??uce RB RC RL ui uo 交流通路 iC 和 uCE是全量，與交流量 ic和 uce有如下關(guān)系 Cc ii ?? CEceuu ??所以： LCECRui????? 1即：交流信號的變化沿著斜率為： LR?? 1的直線。 IC UCE BBECBRUEI??Q CCREEC 例： 用估算法計算靜態(tài)工作點。 ?uBE ?iB bbeBBEbeiuiur ????對輸入的小交流信號而言，三極管相當于電阻 rbe。 rce的含義 ?iC ?uCE cceCCEce iuiur ????ube ib uce ic ube uce ic rce很大， 一般忽略。 rbe RB RC RL iU?iI? bI? cI?oU?bI??beLoiurRUUK39。 五、輸出電阻的計算 對于負載而言，放大電路相當于信號源，其內(nèi)阻即為放大器的輸出電阻 ro，它是一個動態(tài)電阻。為簡化分析，假設(shè)負載為空載 (RL=?)。 工作點不穩(wěn)定的原因很多，但主要影響因素是晶體管的特性參數(shù) UBE、 ICBO 和 β。C T UBE IB I