【正文】 義： 即： ri越大， Ii 就越小， ui就越接近 uS iI?iU?輸入電阻 ri 三、輸出阻抗 ro 當輸入信號不變，負載改變時，輸出電壓改變量 Δuo與輸出電流改變量 Δio之比 ooo iur???對于低頻交流信號，輸出阻抗是純電阻性 輸出阻抗 輸出電阻 Au ~ US 放大電路對其 負載 而言，相當于信號源，我們可以將它等效為戴維南等效電路，這個戴維南等效電路的內阻就是輸出電阻。 多級放大電路對耦合電路要求： 1. 靜態(tài)：保證各級 Q點設置 2. 動態(tài) : 傳送信號。 (4) 總電壓放大倍數 =各級放大倍數的乘積。 +EC R1 RC C11 C12 R2 CE RE1 ui ri uo T1 RB +EC C21 C22 RE2 ui uo T2 ri = R1// R2// rbe = k? (1) 由于 RS大，而 ri小，致使放大倍數降低； (2) 放大倍數與負載的大小有關。R)(r39。 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 ?1=100， ?2=60， ?3=100 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 ?1=100， ?2=60， ?3=100 rbe1= k?， rbe2= k?， rbe3= k? ???? k52122121 .r//R//RrR beiL???? k523 CoS RrR])1([ 33332 LbeBiL 39。下面將要介紹的差動放大器即采用直接耦合方式。RgA iDmLmu ????????147711010502 ????????.)//(rR//Rr39。 思考題： 若首級接射極輸出器、中間級接共射放大電路、末級接射極輸出器，射極輸出器和共射放大電路的參數同前。R)(r//RrR ????????????731001557036265111//.//.r//Rr//RR//Rr//Rr oBbeESBbeEo??185621 1735601111 ??????? .//r39。 2. 若信號經放大電路一放大后，再經射極輸出器輸出，求放大倍數 Au、 ri和 ro 。 (2) 前一級的輸出電壓是后一級的輸入電壓。 167。 輸入電阻 是衡量放大電路從其前級取電流大小的參數。 二、動態(tài)分析 +EC uo RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL ui rbe RC RL oU?iU?iI? bI? cI?bI??R39。 分壓式偏置電路： RB1 +EC RC C1 C2 RB2 CE RE RL ui uo 一、靜態(tài)分析 I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 直流通路 RE射極直流負反饋電阻 CE 交流 旁路電容 T UBE IB IC UE IC 本電路穩(wěn)壓的過程實際是由于加了 RE形成了 負反饋 過程 I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 1. 靜態(tài)工作點穩(wěn)定的原理 EEBEBC RIURIE ??? 11I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 直流通路 2. 求靜態(tài)工作點 算法一： EEBEB RIURI ??22BIII ?? 21BE I)(I ??? 1上述四個方程聯(lián)立，可求出IE ，進而，可求出 UCE 。C T UBE IB IC BBECB RUEI?? UBE的變化將通過 IB的變化影響 Q點 二、溫度對 ? 值及 ICBO的影響 T ?、 ICBO IC iC uCE Q Q180。為簡化分析，假設負載為空載 (RL=?)。 rbe RB RC RL iU?iI? bI? cI?oU?bI??beLoiurRUUK39。 ?uBE ?iB bbeBBEbeiuiur ????對輸入的小交流信號而言，三極管相當于電阻 rbe。 IC UCE EC CCREQ 直流 負載線 與輸出特性的交點就是 Q點 IB 直流通道 RB +EC RC ㈡ 直流負載線和交流負載線 二、交流負載線 ic LcecRui???1其中： CLL RRR //??uce RB RC RL ui uo 交流通路 iC 和 uCE是全量，與交流量 ic和 uce有如下關系 Cc ii ?? CEceuu ??所以： LCECRui????? 1即：交流信號的變化沿著斜率為： LR?? 1的直線。 但是，電容對交、直流的作用不同。 如何判斷一個電路是否能實現放大？ 3. 晶體管必須偏置在放大區(qū)。 RB +EC EB RC C1 C2 T 耦合電容： 電解電容，有極性。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 167。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO進入 N區(qū)，形成IBE。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結正偏，?IBIC， UCE?稱為飽和區(qū)。 EC Rc 發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流 IE。 4. 微變電阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二極管特性曲線上工作點 Q 附近電壓的變化與電流的變化之比： DDD iur???顯然， rD是對 Q附近的微小變化區(qū)域內的電阻。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。 － － － － + + + + R E 一、 PN 結正向偏置 內電場 外電場 變薄 P N + _ 內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。 內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子 。 P 型半導體： 空穴濃度大大增加的雜質半導體，也稱為（空穴半導體）。 本征半導體中存在數量相等的兩種載流子，即自由電子 和 空穴 。 一、本征半導體的結構特點 Ge Si 通過一定的工藝過程，可以將半導體制成 晶體 。 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定 167。 半導體的基本知識 167。 絕緣體： 有的物質幾乎不導電，稱為 絕緣體 ，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成 共價鍵 ，共用一對價電子。 本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。 。但由于數量的關系，起導電作用的主要是多子 。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間電荷區(qū) N型區(qū) P型區(qū) 電位 V V0 。 R E ㈢ 半導體二極管 一、基本結構 PN 結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。 （ 4） 穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin。 IB=IBEICBO?IBE IB EB RB IE ICBO ICE IBE B E C N N P IC=ICE+ICBO ?ICE EC Rc 基極電流 IB 小，集電極電流 IC 大 ， 根據基爾霍夫第一定律： ECB III ??BC II ??? —— 直流電流放大系數 若取電流的變化量，則有 BC II ??? ?β—— 交流放大系數 要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結正偏，集電結反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結正偏，集電結正偏。 三極管的溫度特性較差 。 電壓放大電路可以用有輸入口和輸出口的四端網絡表示，如圖： ui uo Ku ㈡ 基本放大電路的組成 三極管放大電路有三種形式 共射放大器 共基放大器 共集放大器 以共射放大器為例講解工作原理 放大元件，起電流放大作用 ，是整個放大電路的核心。 IB UBE Q IBQ UBEQ IC UCE Q UCEQ ICQ IB UBE Q