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正文內(nèi)容

放大器的基本原理經(jīng)典(存儲(chǔ)版)

2025-06-24 11:09上一頁面

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【正文】 義: 即: ri越大, Ii 就越小, ui就越接近 uS iI?iU?輸入電阻 ri 三、輸出阻抗 ro 當(dāng)輸入信號(hào)不變,負(fù)載改變時(shí),輸出電壓改變量 Δuo與輸出電流改變量 Δio之比 ooo iur???對(duì)于低頻交流信號(hào),輸出阻抗是純電阻性 輸出阻抗 輸出電阻 Au ~ US 放大電路對(duì)其 負(fù)載 而言,相當(dāng)于信號(hào)源,我們可以將它等效為戴維南等效電路,這個(gè)戴維南等效電路的內(nèi)阻就是輸出電阻。 多級(jí)放大電路對(duì)耦合電路要求: 1. 靜態(tài):保證各級(jí) Q點(diǎn)設(shè)置 2. 動(dòng)態(tài) : 傳送信號(hào)。 (4) 總電壓放大倍數(shù) =各級(jí)放大倍數(shù)的乘積。 +EC R1 RC C11 C12 R2 CE RE1 ui ri uo T1 RB +EC C21 C22 RE2 ui uo T2 ri = R1// R2// rbe = k? (1) 由于 RS大,而 ri小,致使放大倍數(shù)降低; (2) 放大倍數(shù)與負(fù)載的大小有關(guān)。R)(r39。 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 ?1=100, ?2=60, ?3=100 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 ?1=100, ?2=60, ?3=100 rbe1= k?, rbe2= k?, rbe3= k? ???? k52122121 .r//R//RrR beiL???? k523 CoS RrR])1([ 33332 LbeBiL 39。下面將要介紹的差動(dòng)放大器即采用直接耦合方式。RgA iDmLmu ????????147711010502 ????????.)//(rR//Rr39。 思考題: 若首級(jí)接射極輸出器、中間級(jí)接共射放大電路、末級(jí)接射極輸出器,射極輸出器和共射放大電路的參數(shù)同前。R)(r//RrR ????????????731001557036265111//.//.r//Rr//RR//Rr//Rr oBbeESBbeEo??185621 1735601111 ??????? .//r39。 2. 若信號(hào)經(jīng)放大電路一放大后,再經(jīng)射極輸出器輸出,求放大倍數(shù) Au、 ri和 ro 。 (2) 前一級(jí)的輸出電壓是后一級(jí)的輸入電壓。 167。 輸入電阻 是衡量放大電路從其前級(jí)取電流大小的參數(shù)。 二、動(dòng)態(tài)分析 +EC uo RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL ui rbe RC RL oU?iU?iI? bI? cI?bI??R39。 分壓式偏置電路: RB1 +EC RC C1 C2 RB2 CE RE RL ui uo 一、靜態(tài)分析 I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 直流通路 RE射極直流負(fù)反饋電阻 CE 交流 旁路電容 T UBE IB IC UE IC 本電路穩(wěn)壓的過程實(shí)際是由于加了 RE形成了 負(fù)反饋 過程 I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 1. 靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的原理 EEBEBC RIURIE ??? 11I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 直流通路 2. 求靜態(tài)工作點(diǎn) 算法一: EEBEB RIURI ??22BIII ?? 21BE I)(I ??? 1上述四個(gè)方程聯(lián)立,可求出IE ,進(jìn)而,可求出 UCE 。C T UBE IB IC BBECB RUEI?? UBE的變化將通過 IB的變化影響 Q點(diǎn) 二、溫度對(duì) ? 值及 ICBO的影響 T ?、 ICBO IC iC uCE Q Q180。為簡(jiǎn)化分析,假設(shè)負(fù)載為空載 (RL=?)。 rbe RB RC RL iU?iI? bI? cI?oU?bI??beLoiurRUUK39。 ?uBE ?iB bbeBBEbeiuiur ????對(duì)輸入的小交流信號(hào)而言,三極管相當(dāng)于電阻 rbe。 IC UCE EC CCREQ 直流 負(fù)載線 與輸出特性的交點(diǎn)就是 Q點(diǎn) IB 直流通道 RB +EC RC ㈡ 直流負(fù)載線和交流負(fù)載線 二、交流負(fù)載線 ic LcecRui???1其中: CLL RRR //??uce RB RC RL ui uo 交流通路 iC 和 uCE是全量,與交流量 ic和 uce有如下關(guān)系 Cc ii ?? CEceuu ??所以: LCECRui????? 1即:交流信號(hào)的變化沿著斜率為: LR?? 1的直線。 但是,電容對(duì)交、直流的作用不同。 如何判斷一個(gè)電路是否能實(shí)現(xiàn)放大? 3. 晶體管必須偏置在放大區(qū)。 RB +EC EB RC C1 C2 T 耦合電容: 電解電容,有極性。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 167。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO進(jìn)入 N區(qū),形成IBE。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏,?IBIC, UCE?稱為飽和區(qū)。 EC Rc 發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散,形成發(fā)射極電流 IE。 4. 微變電阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二極管特性曲線上工作點(diǎn) Q 附近電壓的變化與電流的變化之比: DDD iur???顯然, rD是對(duì) Q附近的微小變化區(qū)域內(nèi)的電阻。擊穿時(shí)反向電流劇增,二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?,甚至過熱而燒壞。 - - - - + + + + R E 一、 PN 結(jié)正向偏置 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 變薄 P N + _ 內(nèi)電場(chǎng)被削弱,多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。 內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng),就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng),而漂移使空間電荷區(qū)變薄。由于硼原子接受電子,所以稱為受主原子 。 P 型半導(dǎo)體: 空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體,也稱為(空穴半導(dǎo)體)。 本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子,即自由電子 和 空穴 。 一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) Ge Si 通過一定的工藝過程,可以將半導(dǎo)體制成 晶體 。 靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定 167。 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 167。 絕緣體: 有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為 絕緣體 ,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 在硅和鍺晶體中,原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣,每個(gè)原子都處在正四面體的中心,而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn),每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成 共價(jià)鍵 ,共用一對(duì)價(jià)電子。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。 。但由于數(shù)量的關(guān)系,起導(dǎo)電作用的主要是多子 。 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間電荷區(qū) N型區(qū) P型區(qū) 電位 V V0 。 R E ㈢ 半導(dǎo)體二極管 一、基本結(jié)構(gòu) PN 結(jié)加上管殼和引線,就成為半導(dǎo)體二極管。反向電流大,說明管子的單向?qū)щ娦圆?,因此反向電流越小越好? ( 4) 穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin。 IB=IBEICBO?IBE IB EB RB IE ICBO ICE IBE B E C N N P IC=ICE+ICBO ?ICE EC Rc 基極電流 IB 小,集電極電流 IC 大 , 根據(jù)基爾霍夫第一定律: ECB III ??BC II ??? —— 直流電流放大系數(shù) 若取電流的變化量,則有 BC II ??? ?β—— 交流放大系數(shù) 要使三極管能放大電流,必須使發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。 即: IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 飽和區(qū): 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。 三極管的溫度特性較差 。 電壓放大電路可以用有輸入口和輸出口的四端網(wǎng)絡(luò)表示,如圖: ui uo Ku ㈡ 基本放大電路的組成 三極管放大電路有三種形式 共射放大器 共基放大器 共集放大器 以共射放大器為例講解工作原理 放大元件,起電流放大作用 ,是整個(gè)放大電路的核心。 IB UBE Q IBQ UBEQ IC UCE Q UCEQ ICQ IB UBE Q
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