【正文】 2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 oU?iU?1oU?2iU?微變等效電路 : ri2 +UCC 1M (+24V) R1 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 oU?iU?1oU?2iU?orRE1 R2 R3 RC2 RL R1 iU?1ber2ber1bi1bi?2bi2bi? OU?ir 2ir1. ri = R1 //[ rbe1 +（ ? +1)RL139。 四、信噪比與噪聲系數(shù) NSPPS N R ?信噪比： 有用信號(hào)功率 噪聲信號(hào)功率 噪聲系數(shù)： oiSNRSNRNF ＝輸出端信噪比輸入端信噪比?信噪比越大越好 NF越小，說明放大器對(duì)微弱信號(hào)的實(shí)際放大能力越強(qiáng)。B ㈡ 放大器的主要性能指標(biāo) 一、放大倍數(shù)與增益 電壓放大倍數(shù) Ku 電流放大倍數(shù) Ki 功率放大倍數(shù) Kp beLruuK Riou 39。 I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 直流通路 例： 已知 ?=50， EC=12V， RB1=?， RB2=?， RC=2k?， RE=1k?， 求該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。 常采用分壓式偏置電路來穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。 T UBE ? ICBO Q 一、溫度對(duì) UBE的影響 iB uBE 25186。如果 Q設(shè)置不合適，信號(hào)進(jìn)入截止區(qū)或飽和區(qū)，則造成非線性失真。IU ?? ???LCL RRR39。 解： 30012 ?????BCB REImA51040537 ...III BBC ????? ?? ?????? CCCCE RIEU請(qǐng)注意電路中 IB 和 IC 的數(shù)量級(jí)。 例： 對(duì)直流信號(hào)（只有 +EC） 開路 開路 RB +EC RC C1 C2 T 直流通道 RB +EC RC 對(duì)交流信號(hào) (輸入信號(hào) ui) 短路 短路 置零 RB +EC RC C1 C2 T RB RC RL ui uo 交流通路 一、直流負(fù)載線 IC UCE UCE~IC滿足什么關(guān)系？ 1. 三極管的 輸出特性。 與實(shí)現(xiàn)放大的條件相對(duì)應(yīng)，判斷的過程如下： 167。 3. 輸入回路將變化的電壓轉(zhuǎn)化成變化的基極電流。并保證集電結(jié)反偏。手冊(cè)上給出的數(shù)值是25?C、 基極開路時(shí)的擊穿電壓 U(BR)CEO。基極電流的變化量為 ?IB，相應(yīng)的集電極電流變化為 ?IC， 則 交流電流放大倍數(shù) 為： BII C????1. 電流放大倍數(shù) ? ___?常數(shù)?? CEUBC II |/? 放大元件，起電流放大作用 ，是整個(gè)放大電路的核心。 二、 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足 IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。 半導(dǎo)體三極管 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：較薄，摻雜濃度低 集電區(qū)：面積較大 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) ㈡ 晶體管放大原理 B E C N N P EB RB IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。 以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦裕饕獞?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。 反向擊穿電壓 UBR 三、主要參數(shù) 1. 最大整流電流 IOM 二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過二極管的最大正向平均電流。 ㈡ PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN 結(jié) 加上正向電壓 、 正向偏置 的意思都是 ： P 區(qū)加正、 N 區(qū)加負(fù)電壓。 167。 二、 P 型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的 半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。 ㈢ 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。例如： ? 當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能 力明顯變化。 放大電路的組成 167。 半導(dǎo)體三極管 第二節(jié) 基本放大電路 167。 半導(dǎo)體 的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。 形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 2. 空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。自由電子稱為 多數(shù)載流子 （ 多子 ），空穴稱為 少數(shù)載流子 （ 少子 ）。 ㈠ PN 結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。 3. P 區(qū) 中的電子和 N區(qū)中的空穴（ 都是少子 ），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。 （ 3）動(dòng)態(tài)電阻 ZZIUZr ???㈠ 基本結(jié)構(gòu) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 167。 UCE=0V UCE = 死區(qū)電壓，硅管，鍺管 。 共射 直流電流放大倍數(shù) ： BCII?___?工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在直流上的交流信號(hào)。 射極反向擊穿電壓 當(dāng)集 射極之間的電壓 UCE超過一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。 基極電源與基極電阻 RB +EC EB RC C1 C2 T 集電極電源，為電路提供能量。 2. 正確設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)，使整個(gè)波形處于放大區(qū)。 2. 信號(hào)能否輸出。 信號(hào)的不同分量可以分別在不同的通道分析。 已知： EC=12V， RC=4k?， RB=300k?，?=。 3. 三極管的微變等效電路 rbe ?ib ib rce rbe ?ib ib b c e c b e 二、放大電路的微變等效電路 將交流通道中的三極管用微變等效電路代替 : 交流通路 RB RC RL ui uo ui rbe ?ib ib ii ic uo RB RC RL 三、電壓放大倍數(shù)的計(jì)算 bebi rIU ?? ?Lbo R39。由于電流源的內(nèi)阻為無窮大，所以 Cooo RIUr ????RC rbe RB iI? bI? cI?bI??ri ro ㈤ 失真分析 在放大電路中，輸出信號(hào)應(yīng)該成比例地放大輸入信號(hào)（即線性放大）；如果兩者不成比例，則輸出信號(hào)不能反映輸入信號(hào)的情況，放大電路產(chǎn)生 為了得到盡量大的輸出信號(hào)，要把 Q設(shè)置在交流負(fù)載線的中間部分。 這三個(gè)參數(shù)隨溫度而變化，溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響主要體現(xiàn)在這一方面。保持 Q點(diǎn)基本穩(wěn)定。因此一般取幾十 k?。B Ebbebi RIrIU ??? )1( ???? Lbo RIU ??? ?? ?EbeLu RrRK)1( ???????RB1 RC RL ui uo RB2 RE RB1 +EC RC C1 C2 T RB2 CE RE1 RL ui uo RE2 問題 2： 如果電路如下圖所示，如何分析？ I1 I2 IB RB1 +EC RC C1 C2 T RB2 CE RE1 RL ui uo RE2 I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE1 RE2 靜態(tài)分析： 直流通路 RB1 +EC RC C1 C2 T RB2 CE RE1 RL ui uo RE2 動(dòng)態(tài)分析： 交流通路 RB1 RC RL ui uo RB2 RE1 交流通路： RB1 RC RL ui uo RB2 RE1 微變等效電路： rbe RC RL oU?RE1 iU?iI? bI? cI?bI??R39。 四、通頻帶 f Au Aum fL 下限截止頻率 fH 上限截止頻率 通頻帶： fbw = fH – fL 放大倍數(shù)隨頻率變化曲線 ——幅頻特性曲線 通頻帶越寬，放大器對(duì)信號(hào)的頻率變化適應(yīng)能力越強(qiáng)。 1. 靜態(tài) : Q點(diǎn)同單級(jí)。 由上述特點(diǎn)可知，射極輸出器接在多級(jí)放大電路的首級(jí)可提高輸入電阻；接在末級(jí)可減小輸出電阻；接在中間級(jí)可起匹配作用，從而改善放大電路的性能。 +EC R1 RC C1 C2 R2 CE RE RL ui uo us RS ri T1 9311 ????beLu r39。 放大倍數(shù)降低到原來的 30% RL=5 k?時(shí)： Au1=185， Au2=， ri2=173 k? Au= Au1 Au2 =183 RL=1 k?時(shí)： Au1=174 ， Au2=， ri2=76 k? Au= Au1 Au2 =169 1. 輸出接射極輸出器時(shí)的帶負(fù)載能力： 可見輸出級(jí)接射極輸出器后，可穩(wěn)定放大倍數(shù) Au。R)(r39。