【正文】 RAbeLCbeLu ??R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe gsU?dI?sU?oU?cI?bI?g d s iU?第三步：計算輸入電阻、輸出電阻 ri=R1//R2=3//1= ? ro=RC=10k ? R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe gsU?dI?sU?oU?cI?bI?g d s iU?第四步：計算總電壓放大倍數(shù) Au=Au1Au2 =() ?(147) =647 63075020 750647 ???????iSiuus rRrAAR3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe gsU?dI?sU?oU?cI?bI?g d s iU?阻容耦合電路的頻率特性： f A 耦合電容造成 三極管結(jié)電容造成 采用直接耦合的方式可放大緩慢變化的信號，擴大通頻帶。求該三級放大電路的放大倍數(shù) Au 、 Aus 、 ri和 ro 。RAbeLu ?990112222 .39。 3. 若信號經(jīng)射極輸出器后，再經(jīng)放大后放大電路一輸出，求放大倍數(shù) Aus 。 (3) 后一級的輸入電阻是前一級的交流負(fù)載電阻。 多級阻容耦合放大電路 耦合： 即信號的傳送。輸入電阻越大，從其前級取得的電流越小，對前級的影響越小。B 微變等效電路 uo RB1 RC RL ui RB2 交流通路 bebeBi rr||39。 本算法比較麻煩，通常采用下面介紹的算法二、三。 總的效果是： 溫度上升時，輸出特性曲線上移，造成 Q點上移。 非線性失真 iB(?A) uBE(V) 40 60 20 0 iB ωt 0 ωt uBE 0 VBE 輸入情況 iB(?A) uBE(V) 40 60 20 0 iB ωt 0 ωt uBE 0 VBE iC uCE uo ib 輸出情況 M N Q’ Q’’ iC uCE uo 可輸出的最大不失真信號 選擇靜態(tài)工作點 ib Q’ Q’’ Q iC uCE uo 1. Q點過低，信號進入截止區(qū) 放大電路產(chǎn)生 截止失真 輸出波形 輸入波形 ib Q’ Q’’ Q iC uCE 2. Q點過高，信號進入飽和區(qū) 放大電路產(chǎn)生 飽和失真 ib 輸入波形 uo 輸出波形 Q’ Q’’ Q 167。??????四、輸入電阻的計算 對于為放大電路提供信號的信號源來說，放大電路是負(fù)載，這個負(fù)載的大小可以用輸入電阻來表示。 )mA()mV(26)1()(300Ebe Ir ?????rbe的量級從幾百歐到幾千歐。 這條直線通過 Q點，稱為 交流負(fù)載線 。如果電容容量足夠大，可以認(rèn)為它對交流不起作用，即對交流短路。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 大小為 10?F~50?F 作用： 隔離輸入輸出與電路直流的聯(lián)系，同時能使信號順利輸入輸出。 放大電路的組成 ㈠ 放大的概念 電子學(xué)中放大的目的是將微弱的 變化信號 放大成較大的信號。 根據(jù)放大關(guān)系，由于 IBE的存在，必有電流?IBE。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。 B E C N N P EB RB IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V，正向壓降 ?(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RL ui uo ui uo t t 二極管的應(yīng)用舉例： 二極管半波整流 ㈣ 穩(wěn)壓二極管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 穩(wěn)壓誤差 曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。手冊上給出的最高反向工作電壓 UWRM一般是 UBR的一半。 二、 PN 結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場 外電場 變厚 N P + _ 內(nèi)電場被被加強，多子的擴散受抑制。 空間電荷區(qū)， 也稱耗盡層。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子 。 N 型半導(dǎo)體： 自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）。 溫度越高，載流子的濃度越高。 現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。 放大器的主要性能指標(biāo) 167。第二章 放大器的基本原理 第一節(jié) 半導(dǎo)體器件 167。 多級阻容耦合放大電路 ㈠ 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體 導(dǎo)體： 自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為 導(dǎo)體 ，金屬一般都是導(dǎo)體。 ㈡ 本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體： 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點。 一、 N 型半導(dǎo)體 +4 +4 +5 +4 多余 電子 磷原子 N 型半導(dǎo)體中的載流子是什么？ ，濃度與施主原子相同。 三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半導(dǎo)體 雜質(zhì) 型半導(dǎo)體多子和少子的移動都能形成電流。 漂移運動 P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴散運動 內(nèi)電場 E 擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 3. 反向電流 IR 指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。 + UZ 動態(tài)電阻： ZZIUZr ???rz越小，穩(wěn)壓性能越好。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE EC Rc 從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成ICE。 輸出特性三個區(qū)域的特點 : (1)放大區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 集電結(jié)反偏有 ICBO 3. 集 射極反向截止電流 ICEO ICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時， ICEO增加很快，所以 IC也相應(yīng)增加。這里所講的主要是電壓放大電路。 RB +EC EB RC C1 C2 T 可以省去 電路改進：采用單電源供電 RB +EC EB RC C1 C2 T 單電源供電電路 +EC RC C1 C2 T RB 二、 基本放大電路的工作原理 ui=0時 由于電源的存在 IB?0 IC?0 IBQ ICQ IEQ=IBQ+ICQ 一、靜態(tài)工作點 RB +EC RC C1 C2 T IBQ ICQ UBEQ UCEQ ( ICQ,UCEQ ) (IBQ,UBEQ) RB +EC RC C1 C2 T (IBQ,UBEQ) 和 ( ICQ,UCEQ )分別對應(yīng)于輸入輸出特性曲線上的一個點稱為靜態(tài)工作點。 4. 正確設(shè)置靜態(tài)工作點，使整個波形處于放大區(qū)。而對直流可以看成開路，這樣，交直流所走的通道是不同的。 交流負(fù)載線的作法 IC UCE EC CCREQ IB 過 Q點作一條直線，斜率為： LR?? 1交流負(fù)載線 ㈢ 靜態(tài)分析 一、估算法 （ 1）根據(jù)直流通道估算 IB IB UBE BBECB RUEI ??BCRE ??BCRE?RB稱為 偏置電阻 ， IB稱為 偏置電流 。 對于小功率三極管： 2. 輸出回路 iC uCE )( bBcCC iIiIi ???? ?bB iI ?? ??所以： bc ii ??(1) 輸出端相當(dāng)于一個受 ib 控制的電流源。 輸入電阻的定義： iii IUr???是動態(tài)電阻。 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定 為了保證放大電路的穩(wěn)定工作，必須有合適的、穩(wěn)定的靜態(tài)工作點。 小結(jié)： T IC 固定偏置電路的 Q點是不穩(wěn)定的。 I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 直流通路 +EC 方框中部分用 戴維南 定理等效為： Rd ESB 21 // BBd RRR ?CBBBSB ERRRU212??EdBESBB R)(RUUI?????1進而，可求出 IE 、 UCE 。Rr ?? Co Rr ?beLu rR39。 Au ~ US iii IUr ???定