【正文】 － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運動 內(nèi)電場 E 漂移運動 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。這個空穴可能吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移動的帶負(fù)電的離子。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 束縛電子 自由電子 二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理 、自由電子和空穴 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。 ? 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使 它的導(dǎo)電能力明顯改變。 放大電路的分析方法 167。 PN 結(jié)及半導(dǎo)體二極管 167。 半導(dǎo)體： 另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為 半導(dǎo)體 ，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。 硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)： 硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu) 共價鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價電子后的原子 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為 自由電子 ，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 1. 自由電子移動產(chǎn)生的電流。 摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。 注意 : P區(qū)中的空穴、 N區(qū)中的電子 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\動（ 擴(kuò)散運動 ）。 引線 外殼線 觸絲線 基片 點接觸型 PN結(jié) 面接觸型 P N 二極管的電路符號： 二、伏安特性 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。 （ 5）最大允許功耗 m a xZZZM IUP ?穩(wěn)壓二極管的參數(shù) : （ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ （ 2） 電壓溫度系數(shù) ?U（ %/℃ ） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 ㈢ 特性曲線 三極管特性測試實驗線路 IC mA ?A V UCE UBE RB IB EC EB V Rc b c e 一、 輸入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管UBE?~。 即： UCE?UBE ， ?IBIC， UCE? (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 三、主要參數(shù) 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。 ICM 集電極電流 IC上升會導(dǎo)致三極管的 ?值的下降，當(dāng) ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 ui uo 輸入 輸出 參考點 RB +EC EB RC C1 C2 T 作用： 使發(fā)射結(jié)正偏，并提供適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 1. 信號能否輸入到放大電路中。 直流通道： 只考慮直流信號的分電路。 IC UCE BBECBRUEI??Q CCREEC 例： 用估算法計算靜態(tài)工作點。 rce的含義 ?iC ?uCE cceCCEce iuiur ????ube ib uce ic ube uce ic rce很大， 一般忽略。 五、輸出電阻的計算 對于負(fù)載而言，放大電路相當(dāng)于信號源，其內(nèi)阻即為放大器的輸出電阻 ro，它是一個動態(tài)電阻。 工作點不穩(wěn)定的原因很多，但主要影響因素是晶體管的特性參數(shù) UBE、 ICBO 和 β。為此，需要改進(jìn)偏置電路，當(dāng)溫度升高、 IC增加時，能夠自動減少 IB，從而抑制 Q點的變化。 似乎 I2越大越好，但是 RB RB2太小，將增加損耗，降低輸入電阻。 問題： 如果去掉 CE，放大倍數(shù)怎樣？ I1 I2 IB RB1 +EC RC C1 C2 RB2 CE RE RL ui uo 去掉 CE 后的交流通路和微變等效電路： })1(/ / { EbeBi RrRr ?????rbe RC RL oU?RE iU?iI? bI? cI?bI??R39。 ro越小，放大電路的負(fù)載能力越強。 設(shè) : ?1=?2=50, rbe1 = ? , rbe2 = k? 典型電路 oiu rrK 、求：前級 后級 +UCC 1M (+24V) R1 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 oU?iU?關(guān)鍵 :考慮級間影響。 (6) 總輸出電阻即為最后一級的輸出電阻。 662052152193 ...RrrAASiiuus????????1. 求直接采用放大電路一的放大倍數(shù) Au和 Aus。 2. 輸出不接射極輸出器時的帶負(fù)載能力： RL=5k ?時： Au=93 RL=1k ?時： Au=31 即：當(dāng) RL由 5k?變?yōu)?1k?時，放大倍數(shù)降低到原來的 %。R 23 ?RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 )])((1[ 12111 LEbeBii / / RRr//Rrr ?????33323 1)(????? beSBEoorR//R//Rrr????? 731001 557036265 //.//.????? 101k)])(100(1[ 2 . 3 6570 .////RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 98052165101362 52165101)1( )1(12111211 ..//...//.R//RrR//RALEbeLEu ??????????????? k52122121 .r//R//RrR beiLRB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 621560 3232 .r//rr//RA ibeiCu ????? ?RL=5 k?時： ri2=173 k? ， Au2=185， Au3= RL=1 k?時： ri2=76 k? ， Au2=174 ， Au3= LbeLu 39。 四、戴維南定理 任何一個含源線性二端網(wǎng)絡(luò)可以等效成為一個電壓源，這個電壓源的電動勢 E’等于該含源二端網(wǎng)絡(luò)的開路電壓（即該二端網(wǎng)絡(luò)與外電路斷開時其兩端點之間的電壓），而內(nèi)阻 R’則等于此二端網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部所有電源都為零時（即全部電壓源短路，電流源開路）的兩個輸出端點之間的等效電阻。R)(A3333 11??????RL=5 k?時： ri2=173 k? ， Au2=185， Au3= RL=1 k?時： ri2=76 k? ， Au2=174 ， Au3= ?? 1 0 1 kir， RS=20k?， 321 uuuu AAAA ???9801 .A u ?RL=5 k?時： RL=1 k?時： 51 7 9990)1 8 5(980 ...A u ??????41 6 5970)1 7 4(980 ...A u ??????814920211 101 .AA uus ?????113820211 101 .AA uus ?????Siiuus RrrAA???例 2： 設(shè) gm=3mA/V， ?=50， rbe = 前級 :場效應(yīng)管共源極放大器 后級 :晶體管共射極放大器 求：總電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻。 3. 若信號經(jīng)射極輸出器后，再經(jīng)放大后放大電路一輸出，求放大倍數(shù) Aus 。RA ?rbe1= k?， rbe2= k? 2. 若信號經(jīng)放大電路一放大后，再經(jīng)射極輸出器輸出，求放大倍數(shù) Au 、 ri和 ro 。 例 1： 放大電路由下面兩個放大電路組成。 2. 動態(tài)性能 : 方法 : ri2 = RL1 ri2 21 io UU ?? ?+UCC 1M (+24V) R1 27k C2 C3 R3 R2 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC2 T1 RE1 CE T2 oU?iU?1oU?2iU?性能分析 2 ri , ro : 概念同單級 1 ri ro 2112uuioioiou KKUUUUUUK ???????????ri2 +UCC 1M (+24V) R1 27k C