chap8光刻與刻蝕工藝-wenkub
2023-05-21 23:47:43 本頁面
【正文】 4 光刻工藝流程 以負膠為例來說明這八個步驟，一般可分為： 打底膜 涂膠 前烘 曝光 顯影 后烘（堅膜） 腐蝕（刻蝕） 去膠。即線寬。尤其是特征尺寸越來越小，對光刻的要求更加精細。1 ? 一、光刻的定義： 光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。通常人們用特征尺寸來評價集成電路生產線的技術水平。條數 /mm； 第二種是以剝蝕后的二氧化硅尺寸減去光刻掩膜版的圖形尺寸除以 2表示。 5 一、打底膜（六甲基二硅亞胺 HMDS） 六甲基二硅亞胺 HMDS反應機理 SiO2 SiO2 OH OH ＋ (CH3) 3SiNHSi(CH3) 3 OSi(CH3) 3 OSi(CH3) 3 +NH3 6 7 8 ?二、涂膠 ?：在硅片表面形成厚度均勻、附著性強，并且沒有缺陷的光刻膠薄膜。 ?2．曝光質量 ?：分為光學曝光（接觸式，接近式，投影式， 直接分步重復曝光 ，）、 X射線曝光、電子束曝光和離子束曝光后面章節(jié)將詳細介紹。 ?六、堅膜 ? 也稱后烘。 12 ?七、刻蝕（見后面章節(jié)） ? 定義：用光刻方法制成的微圖形 ， 只給出了電路的行貌 ， 并不是真正的器件結構 。表示每mm內能刻蝕出可分辨的最多線條數。 正膠：曝光前不可溶 ， 曝光后可溶 ， 所形成的圖形是掩膜版圖形的正映像 。底層光刻膠用來在襯底上形成平坦化的圖形。 表現(xiàn)為以 λ /2n為間 隔， 在光刻膠中形成強弱相間的曝光區(qū)域。 接近式曝光 ：在硅片和掩膜版之間有一個很小的間隙 (10～ 25?m)， 可以大大減小掩膜版的損傷 ， 分辨率較低 。 另外 ， 與接觸式曝光相比 ， 接近式曝光的操作比較復雜 。 ? 容易引入大量的工藝缺陷，成品率低，目前已處于被淘汰的地位。 消除了由于掩膜版圖形線寬過小而產生的光衍射效應，以及掩膜版與硅片表面接觸不平整而產生的光散射現(xiàn)象。逐步對準的方法 也可以降低對硅片表面平整度的要求 。 39 掩膜版的制造 ? 一 、 制版工藝流程 ? 版圖設計 ， 刻圖 ， 初縮 ， 精縮 ， 顯影 ， 定影 ，加厚與減薄 ， 復印 （ 翻版 ） 。 鄰近效應：圖形的畸變 。電子束曝光機是把各次曝光圖形用計算機設計，改變圖形就只要重新編程即可。它進一步分為三個光帶：200nm到 260nm； 260nm到 285nm以及 285nm到 315
法律信息相關推薦
鄂ICP備17016276號-1