等離子體刻蝕ppt課件-wenkub
2023-05-18 02:48:29 本頁(yè)面
【正文】 束縛，成為自由電子，原子失去電子變成帶正電的離子。 5 等離子體的產(chǎn)生 6 等離子體刻蝕原理 ? 等離子體刻蝕是采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除。 ? 其次，這些活性粒子由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下到達(dá) SiO2表面，并在表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。 10 ? 工藝參數(shù)設(shè)置 負(fù)載容量（片） 工作氣體流量（ sccm） 氣壓（ Pa） 輝光功率（ W） 反射功率（ W） CF4 O2 N2 200 184 16 200 120 650~750 0 工作階段時(shí)間（分鐘） 輝光顏色 預(yù)抽 主抽 充氣 輝光 充氣 腔體內(nèi)呈乳白色，腔壁處呈淡紫色 ~ ~4 2 10~14 2 *可根據(jù)生產(chǎn)實(shí)際做相應(yīng)的調(diào)整 11 ? 邊緣刻蝕控制 ? 短路形成途徑 由于在擴(kuò)散過(guò)程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面（包括邊緣）都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。 12 在等離子體刻蝕工藝中，關(guān)鍵的工藝參數(shù)是射頻功率和刻蝕時(shí)間。 13 ? 刻蝕時(shí)間過(guò)長(zhǎng)：刻蝕時(shí)間越長(zhǎng)對(duì)電池片的正反面造成損傷影響越大，時(shí)間長(zhǎng)到一定程度損傷不可避免會(huì)延伸到正面結(jié)區(qū)，從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合。 ? 此電勢(shì)差可以用簡(jiǎn)單的微伏表測(cè)量。 3. 用冷、熱探針接觸硅片一個(gè)邊沿不相連的兩個(gè)點(diǎn)，電壓表顯示這兩點(diǎn)間
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