可控硅基礎(chǔ)知識(shí)講座-wenkub
2023-05-21 14:39:31 本頁(yè)面
【正文】 J2結(jié)反偏，這與普通 PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過(guò)很小電流，如特性 OA段所示，彎曲處的是 UDRM叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，也叫斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。內(nèi)部形成正反饋，加上 IGT的作用，圖中的伏安特性 OA段左移， IGT越大，特性左移越快。 2. 由 IG 觸發(fā)到負(fù)載電流開(kāi)始流動(dòng)，兩者之間遲后時(shí)間較長(zhǎng) – 要求 IG 維持較長(zhǎng)時(shí)間。 (b)超過(guò)最大切換電壓上升率 dVCOM/dt 當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)雙向可控硅發(fā)生切換，由于相位差電壓并不為零，這時(shí)雙向可控硅須立即阻斷該電壓。 高 dIT/dt 承受能力決定于門極電流上升率 dIG/dt 和峰值 IG。這使它不能在3+象限工作，但由于排除了 3+象限的觸發(fā)，同時(shí)避開(kāi)了 4Q 雙向可控硅的缺點(diǎn)。 規(guī)則 2. 要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須 IH, 并維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。返回線直接連至 MT1（或陰極）。另一解決辦法，選用 H 系列低靈敏度雙向可控硅。 可控硅 —十條黃金規(guī)則 規(guī)則 6. 假如雙向可控硅的 VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一： 負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾 μH 的不飽和電感，以限制 dIT/dt； 用 MOV 跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。 規(guī)則 9. 器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。 可控硅 謝謝 ！ 。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。 規(guī)則 8. 若雙向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾 μH 的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。若高 dICOM/dt 可能引起問(wèn)題，加入一幾 mH 的電感和負(fù)載串聯(lián)。門極和 MT1 間加電阻 1kΩ或更小。 規(guī)則 3. 設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi) 3+象限（ WT2， +）。 3Q 雙向可控硅為初始產(chǎn)品制造廠帶來(lái)的好處 1. 高 dVCOM/dt 值性能 ,不需緩沖電路 2．高 dVD/dt 值性能 ,不需緩沖電路 3. 高 dICOM/dt 值性能，不必串聯(lián)電感 雙向可
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