電子技術(shù)及應(yīng)用第1章-wenkub
2023-05-20 01:36:23 本頁面
【正文】 ni = pi 1 .1 .2 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入少量的其他特定元素（稱為雜質(zhì)）而形成的半導(dǎo)體。 n ≥ p N型半導(dǎo)體主要靠電子導(dǎo)電。 p ≥ n P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電。 雜質(zhì)半導(dǎo)體的簡化表示法 1 .2 PN結(jié)（ PN Junction ） 將一塊 P型半導(dǎo)體和一塊 N型半導(dǎo)體有機結(jié)合在一起，其結(jié)合部就叫 PN結(jié)（該區(qū)域具有特殊性質(zhì)）。 PN結(jié)別名：耗盡層、勢壘區(qū)、電位壁壘、阻擋層、內(nèi)電場、空間電荷區(qū)等。 如 10μ A。 1 .3 二極管 用外殼將 PN結(jié)封閉，引出 2根極線，就構(gòu)成了二極管 。 其中發(fā)射區(qū)高摻雜 ，基區(qū)較薄且低摻雜 ， 集電區(qū)一般摻雜 。 1 .4 .3 三極管內(nèi)部載流子傳輸 一 .發(fā)射區(qū)向基區(qū) 發(fā)射載流子 (電子 ) I EN I BN 1 .4 .3 三極管內(nèi)部載流子傳輸 一 .發(fā)射區(qū)向基區(qū) 發(fā)射載流子 (電子 ) 二 .電子在基區(qū)的 疏運輸運和復(fù)合 I B I E I CBO I C I CN I BN 1 .4 .3 三極管內(nèi)部載流子傳輸 一 .發(fā)射區(qū)向基區(qū) 發(fā)射載流子 (電子 ) 二 .電子在基區(qū)的 疏運輸運和復(fù)合 三 .集電區(qū)收集電子 1 .4 .4 三極管各極電流關(guān)系 一 . 各極電流關(guān)系 IE = IEN + IBN ≈ IEN IB = IBN － ICBO IC = ICN + ICBO IE = IC + IB 二 . 電流控制作用 β=ICN / IBN≈IC / IB IC=βIB + (1+ β)ICBO =βIB + ICEO ≈β IC α=ICN / IEN≈IC / IE IC= αIE + ICBO ≈ α IE 1 .3 .5 共射 NPN三極管伏安特性曲線 一 . 輸入特性曲線 IB = f ( UBE ， UCE ) 實際測試時如下進行： IB = f ( UBE )|UCE UCE ＞ 5V的特性曲線基本重合為一條，手冊可給出該條曲線。 2. 共基極電流放大系數(shù) 直流 α ≈I C/IE 交流 α ≈ Δ IC/Δ IE 均用 α 表示。 1 .5 .1 結(jié)型場效應(yīng)管 一 . 結(jié)構(gòu)及符號 N溝道管靠（單一載流子）電子導(dǎo)電， P溝道管靠（單一載流子）空穴導(dǎo)電。 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管加上反偏的柵源電壓 UGS (UGS＜ 0) ，在漏源之間加上漏源電壓UDS(UDS＞ 0)，便形成漏極電流 ID。 1 .5 .1 結(jié)型場效應(yīng)管 三 . JFET特性曲線 VGS=0時 ,隨著 VDS的增大 ,溝道變化情況如下 : 加上 VGS，溝道會進一步變窄。在柵源電壓 VGS控制下，漏極電流 ID隨柵源電壓而發(fā)生變化。并且， VGS=0時，ID最大； VGS= VP 時， ID=0。 1 .5 .2 絕緣柵型場效應(yīng)管 一 . 結(jié)構(gòu)及符號 二 . 增強型
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