高速pcb設(shè)計(jì)指南之八(已修改)
2025-08-01 10:19 本頁面
【正文】 ： ； :； 群： 高速 PCB 設(shè)計(jì)指南之八 第一篇 掌握 IC 封裝的特性以達(dá)到最佳 EMI抑制性能 將去耦電容直接放在 IC封裝內(nèi)可以有效控制 EMI并提高信號的完整性，本文從 IC 內(nèi)部封裝入手，分析 EMI 的來源、 IC 封裝在 EMI 控制中的作用，進(jìn)而提出 11 個有效控制 EMI 的設(shè)計(jì)規(guī)則，包括封裝選擇、引腳結(jié)構(gòu)考慮、輸出驅(qū)動器以及去耦 電容的設(shè)計(jì)方法等，有助于設(shè)計(jì)工程師在新的設(shè)計(jì)中選擇最合適的集成電路芯片，以達(dá)到最佳 EMI 抑制的性能。 現(xiàn)有的系統(tǒng)級 EMI控制技術(shù)包括： （ 1） 電路封閉在一個 Faraday 盒中 (注意包含電路的機(jī)械封裝應(yīng)該密封 )來實(shí)現(xiàn) EMI 屏蔽； （ 2） 電路板或者系統(tǒng)的 I/O 端口上采取濾波和衰減技術(shù)來實(shí)現(xiàn) EMI 控制； （ 3） 現(xiàn)電路的電場和磁場的嚴(yán)格屏蔽，或者在電路板上采取適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)技術(shù)嚴(yán)格控制 PCB走線和電路板層 (自屏蔽 )的電容和電感，從而改善 EMI 性能。 EMI 控制通常需要結(jié)合運(yùn)用上述的各項(xiàng)技術(shù)。一般來說，越接近 EMI 源，實(shí)現(xiàn) EMI 控制 所需的成本就越小。 PCB 上的集成電路芯片是 EMI 最主要的能量來源，因此如果能夠深入了解集成電路芯片的內(nèi)部特征，可以簡化 PCB 和系統(tǒng)級設(shè)計(jì)中的 EMI 控制。 PCB 板級和系統(tǒng)級的設(shè)計(jì)工程師通常認(rèn)為，它們能夠接觸到的 EMI 來源就是 PCB。顯然，在 PCB 設(shè)計(jì)層面，確實(shí)可以做很多的工作來改善 EMI。然而在考慮 EMI 控制時，設(shè)計(jì)工程師首先應(yīng)該考慮 IC 芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的工藝技術(shù) (例如 CMOS、 ECL、 TTL)等都對電磁干擾有很大的影響。本文將著重討論這些問題，并且探討 IC對 EMI 控制的影響。 EMI的來源 數(shù)字集成電路從邏輯高到邏輯低之間轉(zhuǎn)換或者從邏輯低到邏輯高之間轉(zhuǎn)換過程中，輸出端產(chǎn)生的方波信號頻率并不是導(dǎo)致EMI 的唯一頻率成分。該方波中包含頻率范圍寬廣的正弦諧波分量，這些正弦諧波分量構(gòu)成工程師所關(guān)心的 EMI 頻率成分。最高 EMI 頻率也稱為 EMI 發(fā)射帶寬，它是信號上升時間而不是信號頻率的函數(shù)。計(jì)算 EMI 發(fā)射帶寬的公式為： F=其中： F 是頻率，單位是 GHz； Tr 是單位為 ns(納秒 )的信號上升時間或者下降時間。 從上述公式中不難看出，如果電路 的開關(guān)頻率為 50MHz，而采用的集成電路芯片的上升時間是 1ns，那么該電路的最高 EMI 發(fā)射頻率將達(dá)到 350MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于該電路的開關(guān)頻率。而如果 IC 的上升時間為 500ps，那么該電路的最高 EMI 發(fā)射頻率將高達(dá)700MHz。眾所周知，電路中的每一個電壓值都對應(yīng)一定的電流，同樣每一個電流都存在對應(yīng)的電壓。當(dāng) IC 的輸出在邏輯高到邏輯低或者邏輯低到邏輯高之間變換時，這些信號電壓和信號電流就會產(chǎn)生電場和磁場，而這些電場和磁場的最高頻率就是發(fā)射帶寬。電場和磁場的強(qiáng)度以及對外輻射的百分比，不僅是信號上升時間的函數(shù)，同時 也取決于對信號源到負(fù)載點(diǎn)之間信號通道上電容和電感的控制的好壞，在此，信號源位于 PCB 板的 IC 內(nèi)部，而負(fù)載位于其它的 IC 內(nèi)部，這些 IC 可能在 PCB 上，也可能不在該 PCB 上。為了有效地控制 EMI，不僅需要關(guān)注 IC 芯片自身的電容和電感，同樣需要重視 PCB 上存在的電容和電感。 當(dāng)信號電壓與信號回路之間的耦合不緊密時，電路的電容就會減小，因而對電場的抑制作用就會減弱，從而使 EMI 增大；電路中的電流也存在同樣的情況，如果電流同返回路徑之間耦合不佳，勢必加大回路上的電感，從而增強(qiáng)了磁場，最終導(dǎo)致 EMI增加。換句話 說，對電場控制不佳通常也會導(dǎo)致磁場抑制不佳。用來控制電路板中電磁場的措施與用來抑制 IC 封裝中電磁場的措施大體相似。正如同 PCB 設(shè)計(jì)的情況， IC 封裝設(shè)計(jì)將極大地影響 EMI。 電路中相當(dāng)一部分電磁輻射是由電源總線中的電壓瞬變造成的。當(dāng) IC 的輸出級發(fā)生跳變并驅(qū)動相連的 PCB 線為邏輯 “高 ”時， IC 芯片將從電源中吸納電流，提供輸出級所需的能量。對 于 IC 不斷轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的超高頻電流而言，電源總線始于 PCB 上的去耦網(wǎng)絡(luò)，止于 IC 的輸出級。如果輸出級的信號上升時間為，那么 IC 要在 這么短的時間內(nèi)從電 源上吸納足夠的電流來驅(qū)動 PCB 上的傳輸線。電源總線上電壓的瞬變?nèi)Q于電源總線路徑上的電感、吸納的電流以及電流的傳輸時間。電壓的瞬變由下面的公式所定義： V=Ldi/dt， 其中： L是電流傳輸路徑上電感的值； di 表示信號上升時間間隔內(nèi)電流的變化； dt 表示電流的傳輸時間 (信號的上升時間 )。 由于 IC 管腳以及內(nèi)部電路都是電源總線的一部分，而且吸納電流和輸出信號的上升時間也在一定程度上取決于 IC 的工藝技術(shù)，因此選擇合適的 IC 就可以在很大程度上控制上述公式中提到的所有三個要素。 IC 封裝在電磁干擾控制中 的作用 IC 封裝通常包括：硅基芯片、一個小型的內(nèi)部 PCB 以及焊盤。硅基芯片安裝在小型的 PCB 上，通過綁定線實(shí)現(xiàn)硅基芯片與焊盤之間的連接，在某些封裝中也可以實(shí)現(xiàn)直接連接。小型PCB 實(shí)現(xiàn)硅基芯片上的信號和電源與 IC 封裝上的對應(yīng)管腳之間的連接，這樣就實(shí)現(xiàn)了硅基芯片上信號和電源節(jié)點(diǎn)的對外延伸。貫穿該 IC 的電源和信號的傳輸路徑包括：硅基芯片、與小型 PCB之間的連線、 PCB 走線以及 IC 封裝的輸入和輸出管腳。對電容 和電感 (對應(yīng)于電場和磁場 )控制的好壞在很大程度上取決于整個傳輸路徑設(shè)計(jì)的好壞。某些設(shè)
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