金屬和半導體的接觸(已修改)
2024-08-22 16:17 本頁面
【正文】 第七章 金屬和半導體的接觸 林 碩 Email: 167。 金屬半導體接觸 及其能帶圖 本章內(nèi)容提要 ? 金半接觸及其能級圖 ? 整流特性 ? 少子注入和歐姆接觸 金屬 — 半導體接觸 整流接觸 ：微波技術(shù)和高速集成電路 歐姆接觸 ：電極制作 成為界面物理重要內(nèi)容 半導體器件重要部分 能級圖 整流特征 歐姆接觸 金屬半導體接觸及其能級圖 功函數(shù)：金屬中的電子從金屬中逸出 ， 需由外界供給它足夠的能量 ， 這個能量的最低值被稱為功函數(shù) 。 金屬功函數(shù) Wm=E0(EF)m 金屬中的電子勢阱 半導體的功函數(shù)和電子親和能 E0為真空電子能級 半導體功函數(shù) Ws=E0(EF)s 電子親和能 χ=E0Ec Ws=χ+[Ec(EF)s] =χ+En En=Ec(EF)s （肖特基模型） 金屬和 n型半導體接觸能帶圖（ WmWs） （ a）接觸前；（ b）間隙很大； （ c）緊密接觸；（ d）忽略間隙 半導體電勢 提高 金屬電勢 降低 平衡態(tài)，費米能級相等 qWWVVV ms39。smms)b(????接觸電勢差金半間距 D遠大于原子間距時 D 正負電荷密度增加 sVqWWV ??? msms)c( 接觸電勢差D 與原子間距相比 很小接觸電勢差 ms)d( V ?? ??????????????mnsmnsnDnssmsD )(WEWWEqVEqVqWWqVqV 半導體空間電荷區(qū)形成（ why），表面勢，能帶彎曲 （理想） 肖特基勢壘高度 小結(jié)： （ 1）金屬與 n型半導體接觸 ? WmWs，電子由半導體進入金屬，
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