【正文】 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告系 別： 電子與電氣工程學(xué)院 專(zhuān) 業(yè)： 微電子技術(shù) 班 號(hào)： 微電081 學(xué) 生 姓 名： 程增艷 學(xué) 生 學(xué) 號(hào)： 0806030140 設(shè)計(jì)（論文）題目： 半導(dǎo)體封裝技術(shù)分析與研究 指 導(dǎo) 教 師： 張志娟 設(shè) 計(jì) 地 點(diǎn)： 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院 起 迄 日 期： — 畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）任務(wù)書(shū)專(zhuān)業(yè) 微電子技術(shù) 班級(jí) 微電081 姓名 程增艷 一、課題名稱(chēng)： 半導(dǎo)體封裝技術(shù)分析與研究 二、主要技術(shù)指標(biāo)：1．封裝的工藝流程； 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 2．封裝的技術(shù)分類(lèi)；　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 3．封裝的形式、材料、設(shè)備； 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 4．封裝過(guò)程中的缺陷分析； 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 5．封裝技術(shù)發(fā)展及未來(lái)的前景。 . 三、工作內(nèi)容和要求：1．查閱相關(guān)書(shū)籍明確半導(dǎo)體封裝的概念、作用及性能； 2．認(rèn)真閱讀半導(dǎo)體封裝技術(shù)的資料了解具體封裝工藝流程；　 3．接著圍繞封裝所實(shí)現(xiàn)的性能、封裝的技術(shù)要素和層次進(jìn)行有關(guān)知識(shí)的搜集； 4．根據(jù)查找的封裝技術(shù)知識(shí)對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)分類(lèi)；　　 5．然后深入理解有關(guān)封裝的書(shū)籍資料對(duì)封裝的質(zhì)量要求與缺陷作進(jìn)一步分析； 6．完成論文初稿；　　　 　　　　　　　　　　　　　　　 7．經(jīng)多次修改，完成論文。 　　　　　　　　　　　　　　 四、主要參考文獻(xiàn)：[1]李可為．集成電路芯片封裝技術(shù)[M]．北京：電子工業(yè)出版社，2007．1968 [2]周良知．微電子器件封裝—封裝材料與封裝技[M]．北京：化學(xué)工業(yè)出版社，2006．5764 [3]邱碧秀．微系統(tǒng)封裝原理與技術(shù) [M]．北京：電子工業(yè)出版社 ，2006．113124 [4]姜巖峰，張常年譯．電子制造技術(shù)[M]．北京：化學(xué)工業(yè)出版社，2005．102108 學(xué) 生（簽名） 年 月 日 指 導(dǎo) 教師（簽名） 年 月 日 教研室主任（簽名） 年 月 日 系 主 任（簽名） 年 月 日畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開(kāi)題報(bào)告設(shè)計(jì)（論文）題目半導(dǎo)體封裝技術(shù)分析與研究一、 選題的背景和意義： 半導(dǎo)體ＩＣ技術(shù)將以高速發(fā)展的勢(shì)態(tài)呈現(xiàn)在２１世紀(jì)。為了降低生產(chǎn)成本，國(guó)際半導(dǎo)體制造商以及封裝測(cè)試代工企業(yè)紛紛將其封裝產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至中國(guó)，從而直接拉動(dòng)了中國(guó)半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模的迅速擴(kuò)大。同時(shí)，中國(guó)芯片制造規(guī)模的不斷擴(kuò)大以及巨大且快速成長(zhǎng)的終端電子應(yīng)用市場(chǎng)也極大地推動(dòng)了中國(guó)半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)。兩方面的影響，使得中國(guó)半導(dǎo)體封裝業(yè)盡管受到金融危機(jī)的影響，但在全球半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)中的重要性卻日益突出。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三個(gè)方面———設(shè)計(jì)業(yè)、芯片制造業(yè)、封裝業(yè)都將以嶄新的面貌、空前的規(guī)模向新世紀(jì)挺進(jìn)。 并且在政府的專(zhuān)項(xiàng)資金支持下，本土封裝企業(yè)的技術(shù)也在快速進(jìn)步。因此，封裝技術(shù)已經(jīng)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最重要的組成部分之一。二、 課題研究的主要內(nèi)容：1．闡釋封裝的概念、作用及性能； 2．具體封裝工藝流程；　 3．封裝實(shí)現(xiàn)的性能、技術(shù)要素和層次；　 4．封裝的技術(shù)詳細(xì)分類(lèi)；　　5．封裝的質(zhì)量與缺陷分析； 6．封裝的形式、設(shè)備、材料；　　　7．封裝技術(shù)的發(fā)展面臨的問(wèn)題和未來(lái)的封裝技術(shù)?！∪?、 主要研究（設(shè)計(jì)）方法論述：充分利用豐富的網(wǎng)絡(luò)資源以及圖書(shū)館大量書(shū)籍資源，查找關(guān)于半導(dǎo)體封裝技術(shù)的資料，認(rèn)真閱讀資料內(nèi)容，篩選自己認(rèn)為有用的知識(shí)，然后對(duì)有用的資料進(jìn)行簡(jiǎn)單的收集，寫(xiě)論文時(shí)要充分利用此類(lèi)資料，認(rèn)真完成畢業(yè)論文。論文先對(duì)封裝技術(shù)作簡(jiǎn)介包括封裝的概念和封裝的作用，總體通過(guò)封裝的形式、材料、設(shè)備和先進(jìn)的封裝生產(chǎn)技術(shù)來(lái)充分說(shuō)明封裝目前的發(fā)展形勢(shì)，然后對(duì)封裝的質(zhì)量缺陷問(wèn)題作詳細(xì)論述，最后總結(jié)前面的內(nèi)容并對(duì)封裝未來(lái)的發(fā)展進(jìn)行前景展望。完成本篇論文。 四、設(shè)計(jì)（論文）進(jìn)度安排：時(shí)間（迄止日期）工 作 內(nèi) 容201057~2010510 查找資料與文獻(xiàn)，完成論文開(kāi)題報(bào)告。2010511~2010529閱讀半導(dǎo)體封裝技術(shù)的資料，確定論文的整體部分。2010530~2010610整理資料，確定論文各個(gè)部分內(nèi)容。2010611~2010620根據(jù)論文撰寫(xiě)要求，完成初稿。2010621~2010625經(jīng)過(guò)多次修改，完成論文。2010626~201073準(zhǔn)備論文答辯。五、指導(dǎo)教師意見(jiàn)：　　　　　　　　　　　　 指導(dǎo)教師簽名： 年 月 日六、系部意見(jiàn)： 系主任簽名： 年 月 日目錄摘要 Abstract第 1章 前言…………………………………………………………..……….……... 1第 2 章 半導(dǎo)體封裝工藝 ..………………………..………………………………..2 工藝流程 ……………………………………….……………………………....2 第3章 半導(dǎo)體封裝技術(shù) ..….……...……..………………………………….….. 6 封裝實(shí)現(xiàn)的性能………………………………………………..……………...6 確定IC的封裝要求應(yīng)注意的因素…………………………………………...6 封裝工程的技術(shù)層次 ………………………………………………………...7 封裝材料與結(jié)構(gòu) ………………………………………………………….…..7 封裝設(shè)備 ………………………………………………………………….…..9 封裝形式 ………………………………………………………………….…..9 、尺寸、結(jié)構(gòu)分類(lèi)的半導(dǎo)體封裝形式………………………….…9 …………………………………………11 …..……………………………….....12第4章 封裝過(guò)程的質(zhì)量要求與缺陷分析………………..……………………......13 質(zhì)量要求與分析………………………………………………….……….….13 缺陷分析與改進(jìn)措施………………………………………………..…….....13 金線偏移 ……………………………………………………….…….....13 再流焊中的主要缺陷問(wèn)題…………………………………………..........14 第5章 封裝技術(shù)的發(fā)展 …….………………………………………….................17 高級(jí)封裝形式 ………………………………………………… ………..17 芯片級(jí)封裝CSP ………………………………………………….….…17 多芯片模塊MCM ……………………………………………………......17 WLCSP封裝 ………………………………………………………….…17 先進(jìn)的封裝技術(shù)簡(jiǎn)介 ………………………………………………….…..17　 疊層式3D封裝的結(jié)構(gòu)與工藝 ……………………………………….…17 裸芯片疊層的工藝流程…………………………………………………..18 MCM疊層的工藝流程…………………………………………………... 18 疊層3D封裝方式的技術(shù)優(yōu)勢(shì)…………………………………………...18 裸片堆疊和封裝堆疊各自的性能特點(diǎn)…………………………………..18 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的趨勢(shì)及發(fā)展 ……………………………………….....19 第6章 結(jié)束語(yǔ)……………………………………………………………………....20答謝辭參考文獻(xiàn)摘 要本文先介紹了半導(dǎo)體封裝工藝流程，工藝流程主要是芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型技術(shù)、去飛邊毛刺、上錫焊、切筋成型、打碼和元器件的裝配。對(duì)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的技術(shù)層次，封裝形式、設(shè)備、材料，封裝過(guò)程的質(zhì)量要求與缺陷分析及封裝技術(shù)的發(fā)展做了詳細(xì)介紹，其中質(zhì)量要求具有良好的氣密性、電性能、熱性能、機(jī)械性能等，而缺陷則包括金線偏移和再流焊中五個(gè)典型缺陷問(wèn)題。最后對(duì)先進(jìn)的封裝技術(shù)3D、將要發(fā)展的封裝形式CSP及MCM等進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹，同時(shí)也說(shuō)明了半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展所面臨的問(wèn)題，從而闡釋了封裝發(fā)展的必然性，以及我國(guó)封裝產(chǎn)業(yè)界今后努力發(fā)展的方向。關(guān)鍵詞： 封裝工藝流程；封裝形式；封裝缺陷 AbstractThis paper first introduces the semiconductor packaging process, process flow is mainly chip cutting, chip mounted, chip interconnection, molding technology and flash burr, soldering, cutting steel, the assembly code and ponents. The technology of semiconductor packaging technology