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半導體封裝技術(shù)分析與分析研究畢業(yè)論文(完整版)

2025-08-03 09:20上一頁面

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【正文】 4.根據(jù)查找的封裝技術(shù)知識對其進行詳細分類;   5.然后深入理解有關(guān)封裝的書籍資料對封裝的質(zhì)量要求與缺陷作進一步分析; 6.完成論文初稿;                    7.經(jīng)多次修改,完成論文。半導體產(chǎn)業(yè)的三個方面———設計業(yè)、芯片制造業(yè)、封裝業(yè)都將以嶄新的面貌、空前的規(guī)模向新世紀挺進。2010511~2010529閱讀半導體封裝技術(shù)的資料,確定論文的整體部分。最后對先進的封裝技術(shù)3D、將要發(fā)展的封裝形式CSP及MCM等進行簡單的介紹,同時也說明了半導體封裝技術(shù)發(fā)展所面臨的問題,從而闡釋了封裝發(fā)展的必然性,以及我國封裝產(chǎn)業(yè)界今后努力發(fā)展的方向。半導體封裝的目的,在于保護芯片不受或少受外界環(huán)境的影響,并為之提供一個良好的工作條件,以使集成電路具有穩(wěn)定、正常的功能。已切割下來的芯片要貼裝到引腳架的中間焊盤上,焊盤的尺寸要與芯片大小相匹配。最后進行固化處理;玻璃膠粘貼法為低成本芯片粘貼材料,使用玻璃膠進行芯片粘貼時是先以蓋印、網(wǎng)印、點膠的技術(shù)將膠原料涂布于基板的芯片座中,將IC芯片置放在玻璃膠上后,再將封裝基板加熱至玻璃熔融溫度以上即可完成粘貼。倒裝焊(FCB)是芯片面朝下,芯片焊區(qū)直接與基板焊區(qū)互連的一種方法。轉(zhuǎn)移成型使用的材料一般為熱固性聚合物(Thermosetting Polymer)。造成溢料或毛刺的原因很復雜,一般認為是與模具設計、注模條件及塑封料本身有關(guān)。其中,介質(zhì)和水去飛邊毛刺的方法用得最多。電鍍目前都是在流水線式的電鍍槽中進行的,包括首先進行清洗,然后在不同濃度的電鍍槽中進行電鍍,最后沖洗、吹干,放入烘箱中烘干。對于成型工藝,最主要的問題是引腳的變形。油墨通常是高分子化合物,是基于環(huán)氧或酚醛的聚合物,需要進行熱固化,或使用紫外光固化。由于現(xiàn)在的元器件裝配大部分是混合式裝配,所以,回流焊工藝的應用更廣泛。質(zhì)量低劣的封裝可危害集成電路元器件性能的其他優(yōu)點,如速度、價格低廉、尺寸小等。封裝的不同部位所要電壓不同,要使電壓分配恰當,以減少電壓的不必要損耗,這在多層布線基板上尤為重要,還要考慮接地線的問題。在使用中,有的環(huán)境條件極為惡劣,必須將芯片嚴加密封和包封,所以,半導體芯片封裝對半導體芯片環(huán)境保護作用顯得尤為重要。第二層次:將數(shù)個第一層次完成的封裝與其他電子元器件組成一個電路卡的工藝。塑封工藝最常用的工藝檢測設備為各類光學顯微鏡、輪廓放大儀、X光透射儀、超聲掃描顯微鏡等。ended)、引腳在兩端的封裝形式(Double引腳只從封裝的一個側(cè)面引出,排列成一條直線,引腳數(shù)最多為二三十,當裝配到印刷基板上時封裝呈側(cè)立狀。DIP封裝的芯片有兩排引腳,分布于兩側(cè),且呈直線平行布置,需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上。Z形雙列直插式封裝ZIP。它是在DIP的基礎上,為適應高速度、多引腳化(提高組裝密度)而出現(xiàn)的。此封裝形式的特點是引腳全部在一邊,而且引腳的數(shù)量通常比較少。當電子產(chǎn)品尺寸不斷縮小時,其內(nèi)部使用的半導體器件也必須變小,更小的半導體器件使得電子產(chǎn)品能夠更小、更輕、更便攜,相同尺寸包含的功能更多。TSOP內(nèi)存封裝的外形呈長方形,且封裝芯片的周圍都有I/O引腳。QFP是由SOP發(fā)展而來,其外形呈扁平狀,引腳從四個側(cè)面引出,呈海鷗翼(L)型,鳥翼形引腳端子的一端由封裝本體引出,而另一端沿四邊布置在同一平面上。但是由于QFP的引線端子在四周布置,且伸出PKG之外,若引線間距過窄,引線過細,則端子難免在制造及實裝過程中發(fā)生變形。QFP封裝的缺點是:,引腳容易彎曲。引腳數(shù)從18到84。材料有陶瓷和塑料兩種,當有LCC標記時基本上都是陶瓷QFN,塑料QFN是以玻璃環(huán)氧樹脂為基板基材的一種低成本封裝。 金屬陶瓷封裝。密封性封裝目的是將晶體與外部溫度、濕度、空氣等環(huán)境隔絕,起保護和電氣絕緣作用;同時可以實現(xiàn)向外散熱及緩和應力。因為有些芯片在封裝前電性能和成品率指標都很高,但由于封裝漏氣,結(jié)果例行試驗不合格,產(chǎn)品質(zhì)量變劣,給器件的性能、可靠性帶來了影響。(4)機械性能管殼的機械性能要好,要能受得住機械振動、變頻振動、機械沖擊和離心力等各項測試。金線偏移的原因一般有以下幾種:(1)樹脂流動而產(chǎn)生的拖拽力(Viscous Drag Force); (2)導線架變形; (3)氣泡的移動;(4)填充物的碰撞;此外,隨著多引腳數(shù)IC的發(fā)展,在封裝中的金線數(shù)目及接腳數(shù)目也隨之增加,也就是說,金線密度的提升會造成金線偏移的現(xiàn)象更加明顯,為了有效的降低金線偏移量預防斷路或者斷線的狀況發(fā)生,應當謹慎的選用封裝材料及準確的控制制造參數(shù),降低模穴內(nèi)金線受到模流所產(chǎn)生的拖曳力,以避免金線偏移量過大的狀況發(fā)生。還有放置精度要把握到位。在有些地方會是這兩類原因的組合,因此在焊膏的選擇中,熱可靠性問題和合金的選擇必須正確考慮。具體減小多少還有視空洞的尺寸、位置、形狀等因素而定。就目前來看,人們對芯片級封裝還沒有一個統(tǒng)一的定義,有的公司將封裝本體面積與芯片面積之比小于2的定為CSP。它是把多塊裸露的IC芯片安裝在一塊多層高密度互連襯底上,并組裝在同一個封裝中。如果采用金凸點,則由金絲成球的方式形成凸點,在250~400 ℃下,加壓力使芯片與基板互連;若用鉛錫凸點,則采用 Pb95Sn5(重量比)的凸點,這樣的凸點具有較高的熔點,而不致在下道工藝過程中熔化。此外,疊層互連工藝還有疊層載帶、折疊柔性電路等方式。其優(yōu)點顯而易見,封裝體積小,但其結(jié)構(gòu)決定了該封裝方式的致命弱點,當堆疊中一層電路出現(xiàn)故障時,整個芯片都將出現(xiàn)故障。此外,半導體技術(shù)在整機產(chǎn)品中的比重不斷增加,整個系統(tǒng)的技術(shù)價值逐漸轉(zhuǎn)移到電子元器件和軟件上來。且半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展因資金投資密集,在硅周期低潮時,除市場引導型企業(yè)外,IDM企業(yè)很難逃脫虧損的厄運,故產(chǎn)業(yè)鏈逐步細化而形成了設計、芯片制造、封裝測試三大塊,但隨著三大塊技術(shù)的日益發(fā)展以及三大塊之間技術(shù)滲透與高密度封裝的需求,已很難把傳統(tǒng)意義的三大塊完全區(qū)分,界限已趨模糊。第6 章 結(jié)束語作為半導體產(chǎn)業(yè)不可或缺的封裝技術(shù),它的不斷進步發(fā)展也時刻影響著整個半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,因此它有著廣闊的發(fā)展前景,國家也付出了很多人力、財力、物力發(fā)展半導體封裝業(yè)。我相信其中的酸甜苦辣最終都會化為甜美的甘泉。 參考文獻[1]李可為.集成電路芯片封裝技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2007.1968 . 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[8]Fundamentals of Microsystems Packing.Ro Tummala R.The McGrawHill Companies,Inc,2001.4958. 畢業(yè)設計(論文)成績評定表一、指導教師評分表(總分為70分)序 號考 核 項 目滿 分評 分1工作態(tài)度與紀律102調(diào)研論證103外文翻譯54設計(論文)報告文字質(zhì)量105技術(shù)水平與實際能力156基礎理論、專業(yè)知識與成果價值157思想與方法創(chuàng)新5合計70指導教師綜合評語: 指導教師簽名: 年 月 日 二、答辯小組評分表(總分為30分)序 號考 核 項 目滿 分評 分1技術(shù)水平與實際能力52基礎理論、專業(yè)知識與成果價值53設計思想與實驗方法創(chuàng)新54設計(論文)報告內(nèi)容的講述55回答問題的正確性10合計30答辯小組評價意見(建議等第): 答辯小組組長教師簽名: 年 月 日三、系答辯委員會審定表1. 審定意見2.審定成績(等第)_____ ___ 系主任簽字:。感謝張老師給我提供了良好的學習環(huán)境,并且抽出時間給予我學術(shù)上的幫助。因此我國也在制定半導體產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)條例,以求早日形成統(tǒng)一的產(chǎn)業(yè)政策,相信未來的中國也會是一個半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大國。世界半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史告訴我們:要做大做強我國的半導體產(chǎn)業(yè),必須要堅持不斷地創(chuàng)新,有自主的知識產(chǎn)權(quán),自己的核心技術(shù)。對于半導體廠商來說,他們面臨著生產(chǎn)工藝、生產(chǎn)能力和設計能力的三方面挑戰(zhàn)。其組裝過程類似于裸片堆疊,在PCB裝配過程中需要設計另外的表面貼裝堆疊工藝。折疊柔性電路方式是先將裸芯片安裝在柔性材料上,然后將其折疊,從而形成三維疊層的封裝形式。第一步的溫度是經(jīng)過成品率試驗得到的,當?shù)陀?50 ℃時斷路現(xiàn)象增加;而當高于300 ℃時,則相鄰焊點的短路現(xiàn)象增多。 多芯片模塊具有以下特點:封裝密度更高,電性能更好,與等效的單芯片封裝相比體積更小。就目前來看,CSP的引腳數(shù)還不可能太多,從幾十到一百多。當焊盤層空間的面積超過焊球面積的25%時,就視為一種缺陷,這時空洞的存在會對焊點的機械或電的可靠性造成隱患。(4)空洞 這是指分布在焊點表面或內(nèi)部的氣孔、針孔。錫珠多數(shù)分布在片式元件兩側(cè),大小不一且獨立存在,沒有與其他焊點連接(圖 42 )的錫珠,不僅影響產(chǎn)品的外觀,更重要的是會影響產(chǎn)品的電性能,或者給電子設備造成隱患。引起翹曲問題的主要原因是由于施加到元件上的力的不平衡造成的。最常見的封裝質(zhì)量問題是密封不良,這是造成器件失效的最主要因素。(2)電性能通常把器件的電性能保持穩(wěn)定,作為衡量封裝質(zhì)量的主要標志之一??煽啃暂^高,價格也高,它用到的外殼是金屬、陶瓷玻璃而其中的氣體可以是真空、氮氣或惰性氣體。最大特征是高頻特性好、噪音低而被用于微波功率器件。BGA封裝經(jīng)過十幾年的發(fā)展已經(jīng)進入實用化階段,目前已成為最熱門的封裝。它與LCC封裝的區(qū)別僅在于前者用塑料,后者用陶瓷,但現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝。   塑料四邊引腳扁平封裝PQFP。采用J字型引線端子的PLCC等可以緩解一些矛盾,但不能從根本上解決QFP的上述問題。因此,PWB兩面可以形成不同的電路,采用整體回流焊等方式可使兩面上搭載的全部元器件一次鍵合完成,便于自動化操作,實裝的可靠性也有保證。而且TSOP封裝方式的內(nèi)存在超過150MHz后,會有很大的信號干擾和電磁干擾。   小尺寸貼片封裝SOP。其缺點一是Film的價格很貴,二是貼片機的價格也很貴。根據(jù)引腳數(shù)目的多少,可以圍成2圈到5圈,引腳數(shù)量從幾十到幾百。陶瓷Z形雙列直插式封裝CZIP與ZIP外形一樣,只是用陶瓷材料封裝。此封裝的芯片在從芯片插座上插拔時應特別小心,以免損壞管腳。多數(shù)為定制產(chǎn)品,它的封裝形狀還有ZIP和SIPH。Grid各類機械驗試類設備有引線鍵合強度、芯片鍵合剪切強度、引線拉力或芯片拉力,沖擊、振動、引線抗彎曲度等檢測設備目前除了少數(shù)低檔工藝設備和少部分產(chǎn)品鑒定認證設備外,絕大多數(shù)上列工藝和工藝檢測設備都依賴進口。
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