中南大學(xué)大規(guī)模集成電路試卷及答案合集(已修改)
2025-07-01 00:15 本頁(yè)面
【正文】 學(xué) 院專業(yè)班級(jí)學(xué) 號(hào)姓 名○○○○………… 評(píng)卷密封線 ……………… 密封線內(nèi)不要答題，密封線外不準(zhǔn)填寫考生信息，違者考試成績(jī)按0分處理 ……………… 評(píng)卷密封線 …………中南大學(xué)考試試卷 時(shí)間110分鐘題 號(hào)一二三合 計(jì)得 分評(píng)卷人2013 ~2014 學(xué)年一學(xué)期大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)課程試題 32 學(xué)時(shí)，開卷，總分100分，占總評(píng)成績(jī)70 %得 分評(píng)卷人一、填空題(本題40分，每個(gè)空格1分)1. 所謂集成電路，是指采用 ，把一個(gè)電路中所需的二極管、 、電阻、電容和電感等元件連同它們之間的電氣連線在一塊或幾塊很小的 或介質(zhì)基片上一同制作出來(lái)，形成完整電路，然后 在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有特定電路功能的微型結(jié)構(gòu)。2. 請(qǐng)寫出以下與集成電路相關(guān)的專業(yè)術(shù)語(yǔ)縮寫的英文全稱：ASIC： ASSP： LSI： 3. 同時(shí)減小 、 與 ，可在保持漏源間電流不變的前提下減小器件面積，提高電路集成度。因此，縮短MOSFET尺寸是VLSI發(fā)展的趨勢(shì)。4. 大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)流程包括：需求分析、 設(shè)計(jì)、體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、功能設(shè)計(jì)、 設(shè)計(jì)、可測(cè)性設(shè)計(jì)、 設(shè)計(jì)等。5. 需求規(guī)格詳細(xì)描述系統(tǒng)顧客或用戶所關(guān)心的內(nèi)容，包括 及必須滿足的 。系統(tǒng)規(guī)格定義系統(tǒng)邊界及系統(tǒng)與環(huán)境相互作用的信息，在這個(gè)規(guī)格中，系統(tǒng)以 的方式體現(xiàn)出來(lái)。6. 根據(jù)硬件化的目的（高性能化、小型化、低功耗化、降低成本、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)等）、系統(tǒng)規(guī)模/性能、 、 、 等確定實(shí)現(xiàn)方法。7. 體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的三要素為： 、 、 。8. 高位綜合是指從 描述自動(dòng)生成 描述的過(guò)程。與人工設(shè)計(jì)相比，高位綜合不僅可以盡可能地縮短 ，而且可以生成在面積、性能、功耗等方面表現(xiàn)出色的電路。9. 邏輯綜合就是將 變換為 ，根據(jù) 或 進(jìn)行最優(yōu)化，并進(jìn)行特定工藝單元庫(kù) 的過(guò)程。10. 邏輯綜合在推斷RTL部品時(shí)，將值的變化通過(guò)時(shí)鐘觸發(fā)的信號(hào)推斷為 ，將與時(shí)鐘無(wú)關(guān)但某個(gè)條件下保持值不變的信號(hào)推斷為 ，將某個(gè)條件下生成‘Z’的信號(hào)推斷為 ，將其它的推斷為 。11. 構(gòu)造化法是目前可測(cè)性設(shè)計(jì)的主要方法，可以細(xì)分為： 法、邊界掃描測(cè)試法、 法、靜止電源電流法。12. 布局布線的步驟分為： 、電源布線、 、時(shí)鐘布線、 等。13. 為了進(jìn)行時(shí)序驗(yàn)證、功耗驗(yàn)證、信號(hào)完整性驗(yàn)證及電子遷移性驗(yàn)證，需要從版圖結(jié)果中提取 。得分評(píng)卷人二、選擇題(可多選，每題2分，合計(jì)40分)1. 集成電路進(jìn)入納米尺寸時(shí)代后，將面臨以下主要挑戰(zhàn): ( )A. 漏電流增大導(dǎo)致總功耗增加。 B. 柵極氧化膜厚度接近物理極限。C. 電路規(guī)模增大導(dǎo)致動(dòng)態(tài)功耗增加。 D. 配線延遲不能相應(yīng)降低從而影響性能。2. 以下哪幾項(xiàng)是集成電路制作工藝的? ( )A. SOP。 B. BCD。 C. BMOS。 D. CMOS。 E. BiMOS。 F. BCG3. MOSFET的溫度特性體現(xiàn)為： ( )A. 溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)升高，閥值電壓升高；B. 溫度升高，載流子遷移率升高，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降；C. 溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓升高；D. 溫度升高，載流子遷移率下降，跨導(dǎo)下降，閥值電壓下降；4. 關(guān)于CMOS反相器，以下描述中哪些是正確的？ ( )A. Vtn 163。 Vi163。 189。 Vdd，NMOS導(dǎo)通，等效于電流源，PMOS等效于非線性電阻；B. Vi187。 189。 Vdd，NMOS和PMOS都處于飽和區(qū)，等效于非線性電阻；C. Vdd/2 163。 Vi163。 Vdd/2 +Vtp, PMOS導(dǎo)通，等效于電流源，NMOS等效于非線性電阻；D. Vi 179。 Vdd +Vtp,NMOS導(dǎo)通，PMOS截止；5. 以下哪些描述符合通用性設(shè)計(jì)七原則？ ( )A. 無(wú)論使用者的經(jīng)驗(yàn)、文化水平、語(yǔ)言技能、使用時(shí)的注意力集中程
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