數(shù)字電子技術(shù)門電路(已修改)
2025-05-11 08:29 本頁(yè)面
【正文】 第三章 門電路 導(dǎo)論 分立元件門電路 TTL門電路 其它類型 TTL門電路 CMOS邏輯門 導(dǎo)論 邏輯門電路的分類： ? 分立元件 ? 集成邏輯門電路 ? 雙極型 —— ? MOS—— 按所采用的半導(dǎo)體器件進(jìn)行分類 采用雙極型半導(dǎo)體器件作為元件 ,速度快、負(fù)載能力強(qiáng)，但功耗較大、 集成度較低。 采用金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管作為元件。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低，但速度較慢。 雙極型集成電路又可進(jìn)一步可分為： ? DTL ? 晶體管 晶體管邏輯電路 TTL(Transistor Transistor Logic)； ? 發(fā)射極耦合邏輯電路 ECL(Emitter Coupled Logic)。 ? 集成注入邏輯電路 I2L(Integrated Injection Logic) TTL電路 的“性能價(jià)格比”佳，應(yīng)用廣泛。 MOS集成電路又可進(jìn)一步分為： ? PMOS( Pchannel Metel Oxide Semiconductor)； ? NMOS(Nchannel Metel Oxide Semiconductor)； ? CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor)。 CMOS電路應(yīng)用較普遍 ， 不但適合通用邏輯電路的設(shè)計(jì) ， 而且綜合性能最好 。 小規(guī)模集成電路（ SSI） 0~9個(gè)二輸入門 中規(guī)模集成電路（ MSI） 10~99個(gè)門 大規(guī)模集成電路（ LSI） 100~10000門以上 超大規(guī)模集成電路（ VLSI） 超過(guò) 10000個(gè)門 按集成電路規(guī)模的大小進(jìn)行分類 數(shù)字集成電路 兩大類工藝技術(shù)的特點(diǎn)： 速度 功耗 集成度 TTL 快 大 低 MOS 慢 小 高 目前最常用的工藝 : CMOS 按封裝（外形）分：雙列直插、扁平封裝、 表面封裝、針式 數(shù)字電路中關(guān)于高、低電平的概念 VH —— 高電平 1 VL —— 低電平 0 邏輯電平： 由半導(dǎo)體電子元器件組成的邏輯電路 ,表現(xiàn)為 “ 0‖和 “ 1‖兩個(gè)不同的狀態(tài) ,常用一個(gè)電壓范圍表示叫做 邏輯 0 和 邏輯 1,或叫做 0態(tài) 和 1態(tài) ，統(tǒng)稱邏輯電平。 邏輯電平不是物理量，而是物理量的相對(duì)表示。 表示的是一定的電壓范圍，不是一個(gè)固定值 復(fù)習(xí)二極管開關(guān)特性 復(fù)習(xí)三極管開關(guān)特性 一、 PN（二極管）的開關(guān)特性 P N PN 結(jié) 外電場(chǎng) 外加的正向電壓有一部分降落在 PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)。于是，內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱，擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。 內(nèi)電場(chǎng) 內(nèi)電場(chǎng) IF 正向?qū)? 內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí) PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流， PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。 P N PN 結(jié) 內(nèi)電場(chǎng) IS 外電場(chǎng) 在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上
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