數(shù)字電子技術(shù)門(mén)電路-展示頁(yè)
2025-05-08 08:29本頁(yè)面
【正文】 技術(shù)的特點(diǎn)： 速度 功耗 集成度 TTL 快 大 低 MOS 慢 小 高 目前最常用的工藝 : CMOS 按封裝（外形）分：雙列直插、扁平封裝、 表面封裝、針式 數(shù)字電路中關(guān)于高、低電平的概念 VH —— 高電平 1 VL —— 低電平 0 邏輯電平： 由半導(dǎo)體電子元器件組成的邏輯電路 ,表現(xiàn)為 “ 0‖和 “ 1‖兩個(gè)不同的狀態(tài) ,常用一個(gè)電壓范圍表示叫做 邏輯 0 和 邏輯 1,或叫做 0態(tài) 和 1態(tài) ，統(tǒng)稱(chēng)邏輯電平。 表示的是一定的電壓范圍，不是一個(gè)固定值 復(fù)習(xí)二極管開(kāi)關(guān)特性 復(fù)習(xí)三極管開(kāi)關(guān)特性 一、 PN（二極管）的開(kāi)關(guān)特性 P N PN 結(jié) 外電場(chǎng) 外加的正向電壓有一部分降落在 PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。此時(shí) PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流， PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。 內(nèi)電場(chǎng) 反向截止 /VCEuO/m ACiICQIBQUC E Q CCVecCCRRV?Qec1RR ??直流負(fù)載線斜率飽和 截止 二、 NPN三極管開(kāi)關(guān)特性 分立元件門(mén)電路 +12V A B DA DB R F uA uB uF 0V 0V 0V 0V 3V 0V 3V 0V 0V 3V 3V 3V A B F 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 F=AB –12V A B DA DB R F F=A+B 晶體管非門(mén)電路 (反相器 ) F=A +12V Rc T RA A F +5 V T 1 R 1 R 2 T 2 T 3 T 4 R 3 R 4 Y W k 4 W .6k 1 W 130 W k 1 A D TTL門(mén)電路 一、結(jié)構(gòu)與原理 TTL非門(mén) TTL與非 門(mén)電路 二、特性 ui/V ii/mA 0 1 2 –1 IIS IIH IIL IIH —輸入高電平電流 (輸入漏電流 40?A) IIS —輸入短路電流 (–) IIL —輸入低電平電流 輸入伏安特性 F +5V ui ii 1 輸入端負(fù)載特性 1 F +5V Ri ui ui Rb1 T1 +5V Ri Ri較小時(shí)， uiUT， ui=―0‖ Ri較大時(shí)， uiUT， ui=―1‖ 臨界時(shí) ui= Ri+Rb1 Ri (5–Ube)= Ron—開(kāi)門(mén)電阻， Ri Ron()， ui為高電平。 TTL門(mén)電路輸入端懸空時(shí)為“ 1‖。 “0” “1” “0” II L IOL T4 T5 +5V T1 +5V Rb1 II L IOL T4 T5 +5V “1” T1 +5V Rb1 IOH II H 1 1 “1” “0” IOH II H 1 1 負(fù)載能力的計(jì)算 “1” IO
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