bjt的靜態(tài)特性ppt課件(已修改)
2025-05-10 22:15 本頁面
【正文】 第 11章 BJT的靜態(tài)特性 理想晶體管模型 （作業(yè) 2， 7， 8） 理論和實驗的偏差（作業(yè)） 現(xiàn)代 BJT結構（作業(yè)） () 理想晶體管模型 ? 1. 理想 BJT的基本假設 ? 2. 各區(qū)的少子分布函數(shù) ? 3. 流過 EB結和 CB結的電子、空穴電流 ? 4. 特性參數(shù) 1. 理想 BJT的基本假設 （ 1） EB結和 CB結都是均勻突變結 （ 2）小注入 （ 3）耗盡層近似 （ 4）忽略耗盡層中的產(chǎn)生 復合效應 （ 5）發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的準中性寬度遠大于少子的 擴散長度 （ 6）忽略串聯(lián)電阻效應 （ 7）晶體管在穩(wěn)態(tài)條件下工作 坐標系和材料參數(shù)符號說明 2. 各區(qū)的少子分布函數(shù) ? 方法步驟： （ 1）擴散方程 （ 2）邊界條件 （ 3）求解方程得到少子分布函數(shù)表達式 （ 4）由少子分布函數(shù)求出流過 EB結和 CB 結的電流 IEp， IEn, ICp, ICn （ 5）根據(jù) ?， ?T， ?dc, ?dc的定義求出特性參數(shù) + 擴散方程和邊界條件 由 pn結定律得耗盡層的邊界條件 P區(qū) n區(qū) 發(fā)射區(qū)的擴散方程和邊界條件 晶體管處于穩(wěn)態(tài)條件， 且 GL=0 ,0???? tn E擴散方程 邊界條件 發(fā)射區(qū)的少子分布規(guī)律和電流 方程的解（少 子分布規(guī)律） 從 B區(qū)擴散過 EB結的電子電流 EE LxLxE eAeAxn````21`` )( ????方程的通解 集電區(qū)的擴散方程和邊界條件 擴散方程 邊界條件 少子分布規(guī)律 從 C區(qū)擴散過 CB結的電子電流 基區(qū)的擴散方程和邊界條件 擴散方程 邊界條件 少子的分布 基區(qū)的少子分布規(guī)律 2)c o s h (2)si n h (????????????eeee基區(qū)的空穴分布 從 E區(qū)擴散過 EB結的空穴電流 從 B區(qū)擴散過 CB結的空穴電流 2)c o s h (2)si n h (????????????eeee簡化關系式 ? 因為基區(qū)寬度遠小于少子的擴散長度，即 WLB，0?x?W 2)c o s h (2)si n h (????????????eeee基區(qū)少子分布的簡化求解方法 xAAxpdxpdBB2122)(0?????基區(qū)很薄，忽略基區(qū)的熱復合和產(chǎn)生，即 0??BBp?WpWpApABBB/)]0()([)0(21??????方程和通解 代入邊界條件求解 基區(qū)的少子分布規(guī)律 )1()0( 0 ??? KTqVBBEBepp)1()( 0 ??? KTqVBBC
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