[工學(xué)]02-36講義分析方法及基本電路模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)童詩白_華成英南京理工大學(xué)(已修改)
2025-01-31 10:28 本頁面
【正文】 靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定電路 所謂的穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn) Q， 是指 在環(huán)境溫度變化時(shí)靜態(tài)集電極電流 IC和管壓降 VCE基本不變 。 靜態(tài)工作點(diǎn)很容易受到外界條件的影響而移動(dòng)，甚至移到不合適的位置而使放大電路無法正常工作。 靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定因素很多，如電源電壓變化、電路參數(shù)變化、管子老化、 環(huán)境溫度 的變化等。 β： 隨溫度的升高而增加，原因：溫度升高，加快載流子的速度，基區(qū)復(fù)合減少，往集電區(qū)流的載流子增多。 VBEQ： 隨溫度的升高而減少 。 ICBO： 隨溫度的升高而增加 。對(duì)硅管，該變化很小，所以對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響沒有上兩個(gè)因素重要。但對(duì)大功率硅管不能忽略。對(duì)鍺管該變化也很重要。20℃ 40℃ 選擇 Rb1和 Rb2， 使 I1IB,這時(shí)基極電位 VB=Rb2VCC/(Rb2+Rb1)基本穩(wěn)定。對(duì)硅管取I1=（ 5~10） IBVB=（ 3~5） VBEQ Q點(diǎn)穩(wěn)定原理：
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