【正文】 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 常用半導(dǎo)體器件1選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入( A )元素可形成N 型半導(dǎo)體，加入( C )元素可形成P 型半導(dǎo)體。 B. 四價(jià) C. 三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將(A) 。 (3)工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB 從12 uA 增大到22 uA 時(shí)，IC 從lmA 變?yōu)?mA ，那么它的β約為( C ) 。 (4)當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí),它的低頻跨導(dǎo)gm將( A ) 。； ； 所示，已知(V)，試畫出與的波形。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計(jì)。 解：。，已知(V)，二極管導(dǎo)通電壓UD=。試畫出與的波形圖，并標(biāo)出幅值。 , 二極管導(dǎo)通電壓UD=,常溫下，電容C對(duì)交流信號(hào)可視為短路；為正弦波，有效值為10mV。試問(wèn)二極管中流過(guò)的交流電流的有效值為多少？解：二極管的直流電流 其動(dòng)態(tài)電阻: 故動(dòng)態(tài)電流的有效值：，穩(wěn)壓值分別是6V和8V。試問(wèn)：(1)若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？(2)若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？解：(1)串聯(lián)相接可得4種：；14V；；。 (2)并聯(lián)相接可得2種：；6V。 所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓，最小穩(wěn)定電流，最大穩(wěn)定電流。(1)分別計(jì)算為10V 、15V 、35V 三種情況下輸出電壓的值；(2)若時(shí)負(fù)載開路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象？ 為什么？解：(1)只有當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的電壓大于其穩(wěn)壓值時(shí)，輸出電壓才為6V。∴時(shí)，；時(shí)，； 時(shí)，∴。(2)當(dāng)負(fù)載開路時(shí)，故穩(wěn)壓管將被燒毀。 所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD = ，正向電流在5~15mA 時(shí)才能正常工作。試問(wèn)：(1)開關(guān)S 在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光？(2)R的取值范圍是多少？解：(1)S閉合。 (2) R的范圍為: 。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其方向，并在圓圈中畫出管子，且分別求出它們的電流放大系數(shù)β。 (a) (b) (a) (b) 解：。放大倍數(shù)分別為和。在圓圈中畫出管子，并說(shuō)明它們是硅管還是鍺管。 解:。 ，晶體管導(dǎo)通時(shí)，β=50。試分析為0V、1V、3V三種情況下T 的工作狀態(tài)及輸出電壓的值。解： (1)當(dāng)時(shí)，T 截止。(2)當(dāng)時(shí)，因?yàn)? 所以T處于放大狀態(tài)。(3)當(dāng)時(shí)，因?yàn)椋?所以T處于飽和狀態(tài)。,晶體管的β=50 ,，飽和管壓降；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓, 正向?qū)妷骸Ｔ噯?wèn)：當(dāng)時(shí)？；當(dāng)時(shí)？解：當(dāng)時(shí)，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿。當(dāng)時(shí)，晶體管飽和。因?yàn)椋? ， 所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。(a) (b) (c) (d) (e)解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的發(fā)射結(jié)會(huì)因電流過(guò)大而損壞。(e)可能。① 、② 、③ 的電位分別為4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子（結(jié)型管、MOS 管、增強(qiáng)型、耗盡型），并說(shuō)明① 、② 、③ 與G 、S 、D 的對(duì)應(yīng)關(guān)系。 解：管子可能是增強(qiáng)型管、耗盡型管和結(jié)型管，三個(gè)極① 、② 、③ 與G 、S 、D 所示。 ，畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。 (a) (b)解：在場(chǎng)效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線( (a)所示),讀出其與各條曲線交點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及值，建立坐標(biāo)系，描點(diǎn)，連線，即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線， (b)所示。，,分析當(dāng)=4V、8V 、12V 三種情況下場(chǎng)效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。解： 所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為5V 。當(dāng)=4V時(shí)，小于開啟電壓，故T 截止。當(dāng)=8V時(shí)，設(shè)T 工作在恒流區(qū)，根據(jù)輸出 特性可知，管壓降， 因此，小于開啟電壓，說(shuō)明假設(shè)成立，即T工作在恒流區(qū)。 當(dāng)=12V時(shí)，由于，必然使T工作在可變電阻區(qū)。 所示各電路中的場(chǎng)效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。 (a) (b) (c) (d) 解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。(a)、(b)所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓, R 的取值合適，的波形如圖(c)所示。試分別畫出和的波形。(a) (b) (c) 補(bǔ)圖P1 解：波形如下圖所示 ？解:。，一只的β=200 , ；另一只的β=100 , ，其它參數(shù)大致相同。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子？為什么？解：選用β=100 , 的管子，因其β適中,較小，因而溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。，試問(wèn)β大于多少時(shí)晶體管飽和？解：取，若管子飽和，則, 即所以,時(shí),管子飽和。 補(bǔ)圖P4第2章 基本放大電路習(xí)題 所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波信號(hào)。要求保留電路原來(lái)的共射接法和耦合方式。 (a) (b) (c) (d)解：(a)將VCC改為+VCC。(b)在+VCC與基極之間加Rb。(c)將VBB反接，且在輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻。(d)在VBB支路加Rb，在VCC與集電極之間加Rc。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。 (a) (b) (c) (d)解：將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路，圖略。； (a) (b) (c) (d) (a)、 (b)所示兩電路各屬哪種放大電路，并寫出的表達(dá)式。解：圖 (a): 。，圖(b)：。 (a)所示，圖(b)是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí)。利用圖解法分別求出和時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓（有效值）。 (a) (b) 解：空載時(shí)：； ， 。 帶載時(shí)：； ， 。 所示。 ,已知晶體管的β=80, =1kΩ,靜態(tài)時(shí),。判斷下列結(jié)論是否正確，在括號(hào)內(nèi)打“√”和“”表示。(1) () (2) () (3) () (4) (√) (5) () (6) () (7) () (8) (√) (9) (√) (10) () (11) () (12) (√)，已知晶體管β=120，UBE=，飽和管壓降UCES=。在下列情況下，用直流電壓表測(cè)量晶體管的集電極電位，應(yīng)分別為多少？ (1)正常情況；(2)Rb1短路；(3)Rb1開路；(4)Rb2開路；(5)Rb2短路；(6)RC短路； 解:(1),，∴。 (2) Rb1短路,∴。 (3) Rb1開路,臨界飽和基極電流，實(shí)際基極電流。由于,管子飽和,∴。(4) Rb2開路,無(wú)基極電流,。(5) Rb2短路，發(fā)射結(jié)將燒毀，可能為。 (6) RC短路, 。，晶體管的β=80 。分別計(jì)算和時(shí)的Q點(diǎn)、和。解：在空載和帶負(fù)載情況下，電路的靜態(tài)電流、均相等，它們分別為： 空載時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為： ； ； 時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為： 。 所示電路中的NPN管換成PNP管，其它參數(shù)不變，則為使電路正常放大電源應(yīng)作如何變化？ Q點(diǎn)、和變化嗎？如變化，則如何變化？若輸出電壓波形底部失真，則說(shuō)明電路產(chǎn)生了什么失真，如何消除？解：由正電源改為負(fù)電源；Q點(diǎn)、和不會(huì)變化；輸出電壓波形底部失真對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)正半周失真，對(duì)PNP管而言，管子進(jìn)入截止區(qū)，即產(chǎn)生了截止失真；減小Rb。 ，晶體管β=100，=。(1)現(xiàn)已測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V，估算Rb；(2)若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻RL為多少？解：(1)，, ∴。(2)由,可得: 。 ，設(shè)靜態(tài)時(shí)，晶體管飽和管壓降。試問(wèn)：當(dāng)負(fù)載電阻和時(shí)，電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？解：由于，所以?？蛰d時(shí)，輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽和失真。故 時(shí)，當(dāng)輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止失真。故 ，晶體管β=100，=100Ω。(1)求電路的Q點(diǎn)、和；(2)若改用β=200的晶體管，則Q點(diǎn)如何變化？(3)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？解：(1)靜態(tài)分析： 動(dòng)態(tài)分析： (2) β=200時(shí)，（不變）； （不變）；（減?。?；（不變）。 (3) Ce開路時(shí)，（減小）； （增大）； （不變）。 ，晶體管的β=80，=1kΩ。(1)求出Q點(diǎn)； (2)分別求出RL=∞和RL=3kΩ時(shí)電路的、和。解：(1)求解Q 點(diǎn)： (2)求解放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻：RL=∞時(shí)； RL=3kΩ時(shí)；輸出電阻： 所示，晶體管的β=60 , 。(1)求解Q點(diǎn)、和(2)設(shè)Us = 10mV （有效值），問(wèn),若C3開路，則,解：(1) Q 點(diǎn)： 、和的分析：, , 。(2)設(shè)Us = 10mV （有效值），則 ； 若C3開路，則： ， ， 。 所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波電壓。要求保留電路的共漏接法。(a) (b) (c) (d)解：(a)源極加電阻RS ； (b)漏極加電阻RD；(c)輸入端加耦合電容； (d)在Rg 支路加?VGG， +VDD 改為?VDD。(a) (b) (c)