vasp計算aggas2能帶及態(tài)密度及光學性質(已修改)
2025-01-19 12:35 本頁面
【正文】 VASP計算 AgGaS2能帶及態(tài)密度 及光學性質 第一步：構型優(yōu)化 1．準備四個輸入文件 POSCAR INCAR POTCAR KPOINTS POSCAR: 從 ms中導入 AgGaS2結構，選擇 CASTEP， file， save，并保存成原包。這樣，得到一隱藏文件 .cell, 將它用編輯器打開，從中的到 vasp 所需的 POSCAR 信息，修改得到POSCAR。 AgGaS2 bulk 4 2 2 Direct . . . . . . . . . . . . :用 PBEGGA的贗勢，提取， Ag Ga O的贗勢合并成一個贗勢。 （一般 VASP有自帶） INCAR SYSTEM = optimization of AgGaS2 LPLANE=.TRUE. NPAR= 8 Elecronic minimisation ISTART = 0 LREAL = .FALSE. PREC = Low EDIFF = 1e4 EDIFFG = IALGO = 48 NELMIN = 4 ISYM = 0 GGA = PBE ISPIN = 1 NBANDS = 120 OUTPUT CONTROL LCHARG = .TRUE. LWAVE = .TRUE. LVTOT = .FALSE. IONIC RELAXATION NBLOCK = 1 NSW = 1 IBRION = 1 DOS RELATED (disabled) ISMEAR = 0 (tetrahedron/gaussian/mp) SIGMA = KPOINTS A 0 M 4 4 4 0 0 0 至此，四文件已準備好，進行計算， mpiexec np 8 ~/bin/ /dev/null amp。（運行命令） （問題：計算前 對某些參數(shù)的測試，比如截斷能，晶格參數(shù)等，標準時什么？ vasp運行后，不 知道結果是否滿足要求呢？） 第二部：將構型優(yōu)化后產生的 CONTCAR文件拷貝為 POSCAR文件 mpiexec np 8 ~/bin/ /dev/null amp。（運行命令） 第三部： 能帶的計算 .建立新的計算目錄 mkdir band 創(chuàng)建目錄 cd ban
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