[理學(xué)]第六章配合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)(已修改)
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【正文】 2021/11/10 1 第六章 配合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 2021/11/10 2 價(jià)鍵理論（ VBT） 晶體場(chǎng)理論（ CFT） 分子軌道理論（ MOT） 2021/11/10 3 167。 61 價(jià)鍵理論（ VBT） 一、電價(jià)配鍵和共價(jià)配鍵 1. 電價(jià)配合物：中心離子和配體是以靜電作用結(jié)合在一起 ,中心離子的電子層結(jié)構(gòu)與自由離子一樣，采用 spd雜化，是高自旋配合物。 2. 共價(jià)配合物：中心離子的 d電子重排，空出軌道，進(jìn)行 dsp內(nèi)軌雜化，接受配體孤對(duì)電子，形成低自旋配合物。 2021/11/10 4 二、分子磁矩 0)2( ?? ?? nnkTNm32?? ?2021/11/10 5 例：已知 K2[NiF6] ?0 [Mn(NCS)6]4 ?0. 試判斷結(jié)構(gòu)類型。 2021/11/10 6 167。 62 晶體場(chǎng)理論 一、 d軌道能級(jí)的分裂 d軌道能級(jí)的分裂情況，取決 于配體靜電場(chǎng)的對(duì)稱性。 2021/11/10 7 2021/11/10 8 二 、 d軌道電子的排布 (1)分裂能 ：電子由低能的 d軌道進(jìn) 入高能的 d軌道所需的能量 . (2)成對(duì)能 P：如果迫使原來(lái)自旋平行分占 兩個(gè)軌道的電子擠到同一軌道上 ， 則 必會(huì)使能量升高 ， 升高的能量就是成對(duì) 能 。 . ?2021/11/10 9 2. d軌道中電子的排布 電子在 d軌道中的排布情況與 和 P的相對(duì)大小有關(guān) 。 若 P, 則弱場(chǎng)高自旋； 若 P， 則即強(qiáng)場(chǎng)低自旋； 八面體配合物中 ， d電子排布情況與 和 P的相對(duì)大小有關(guān)
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