【總結(jié)】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料：N型半導(dǎo)體：N-NN+P型半導(dǎo)體：P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【總結(jié)】山東浪潮華光光電子股份有限公司集成電路產(chǎn)業(yè)狀況介紹浪潮華光任忠祥202208052山東浪潮華光光電子股份有限公司
2025-08-01 14:45
【總結(jié)】集成電路版圖基礎(chǔ)——電容版圖設(shè)計(jì)光電工程學(xué)院王智鵬一、電容概述?電容器，能夠存儲電荷的器件。?單位：法拉（F）兩塊導(dǎo)電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式：C=εoε
2025-04-30 18:27
【總結(jié)】第九章版圖設(shè)計(jì)實(shí)例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖
2025-01-07 01:53
【總結(jié)】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無線電系2022年東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
【總結(jié)】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜，通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-04-30 18:17
【總結(jié)】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院芯片互連技術(shù)前課回顧?引線鍵合技術(shù)（WB）主要內(nèi)容?載帶自動鍵合技術(shù)（TAB）?倒裝芯片鍵合技術(shù)（FCB）引線鍵合技術(shù)概述引線鍵合技術(shù)是將半導(dǎo)體裸芯片（Die）焊區(qū)與微電子封裝的I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)（Pad）用金屬細(xì)絲連接起來的工藝
2025-03-20 06:10
【總結(jié)】2022/4/141《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/4/142目的?認(rèn)識集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/4/143主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的
2025-04-13 22:59
【總結(jié)】第七章集成電路版圖設(shè)計(jì)版圖設(shè)計(jì)概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計(jì)者將設(shè)計(jì)并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形，包含了集成電路尺寸大小、各層拓?fù)涠x等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來制造掩膜。版圖的設(shè)計(jì)有特定的規(guī)則，這些規(guī)則是集成電路制造廠家根據(jù)自己的工藝特點(diǎn)而制定的。不同的工藝，有不同的設(shè)計(jì)規(guī)則。
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】第二篇單項(xiàng)工藝1內(nèi)蒙草原第五章快速熱處理(RTP)快速熱處理?集成電路制造工藝的某些工序需要高溫，如擴(kuò)散、氧化、離子注入后的退火、薄膜淀積等。?但是高溫會使已經(jīng)進(jìn)入硅片的雜質(zhì)發(fā)生不希望的再分布，對小尺寸器件的影響特別嚴(yán)重。?減小雜質(zhì)再分布的方法是快速熱處理，即在極短的時間內(nèi)使硅片表面加熱到極高的溫度，從而在較短
2025-05-04 22:38
【總結(jié)】2021/11/101邏輯設(shè)計(jì)技術(shù)2021/11/102第一節(jié)MOS管的串、并聯(lián)特性?晶體管的驅(qū)動能力是用其導(dǎo)電因子β來表示的，β值越大，其驅(qū)動能力越強(qiáng)。多個管子的串、并情況下，其等效導(dǎo)電因子應(yīng)如何推導(dǎo)？一、兩管串聯(lián)：VdVsIdsβeffVgT1
2025-10-09 22:05
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)第七章集成電路版圖設(shè)計(jì)華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計(jì)中心殷瑞祥教授版圖設(shè)計(jì)概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計(jì)者將設(shè)計(jì)并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形，包含了集成電路尺寸大小、各層拓?fù)涠x等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來制造掩膜。版圖的設(shè)
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】第七章中規(guī)模通用集成電路及其應(yīng)用常用中規(guī)模組合邏輯電路常用中規(guī)模時序邏輯電路常用中規(guī)模信號產(chǎn)生與變形電路第七章中規(guī)模通用集成電路及其應(yīng)用?集成電路由SSI發(fā)展到MSI、LSI、VLSI，單塊芯片功能不斷增強(qiáng)。?SSI集成基本器件（邏輯門、觸發(fā)器）；?MSI集成邏輯部件（譯碼器、寄存器）；
2025-01-14 05:35
【總結(jié)】集成電路工藝原理第三講光刻原理11集成電路工藝原理仇志軍(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓435室助教：沈臻魁楊榮邯鄲路校區(qū)計(jì)算中心B204集成電路工藝原理第三講光刻原理12凈
2025-01-15 16:29
【總結(jié)】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件電路形式電路規(guī)模Si-BipolarD,BJT,
2025-04-29 04:50
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