cmos靜態(tài)門(mén)電路的功耗(已修改)
2025-05-27 01:37 本頁(yè)面
【正文】 2021/6/17 半導(dǎo)體 集成電路 2021/6/17 CMOS靜態(tài)門(mén)電路的功耗 2021/6/17 內(nèi)容提要 ?功耗的組成 ?靜態(tài)功耗及減小措施舉例 ?動(dòng)態(tài)功耗及減小措施舉例 ? CMOS靜態(tài)門(mén)電路的小結(jié) 2021/6/17 CL Vdd VDD 0 t V 0時(shí)： 輸出保持 1不變，沒(méi)有電荷轉(zhuǎn)移 0－ 1(發(fā)生跳變 )時(shí)： 輸出從“ 1”轉(zhuǎn)變?yōu)椤?0”, 有電荷轉(zhuǎn)移 0 1 VDD時(shí)： 輸出保持 0不變，沒(méi)有電荷轉(zhuǎn)移 CMOS反相器的功耗 動(dòng)態(tài)功耗 靜態(tài)功耗 2021/6/17 CMOS反相器的功耗 功耗組成： 1. 靜態(tài)功耗 2. 動(dòng)態(tài)功耗 PS 輸入 輸出 輸出 在輸入為 0或 1（ VDD)時(shí)，兩個(gè) MOS管中總是一個(gè)截止一個(gè)導(dǎo)通，因此沒(méi)有從 VDD到 VSS的直流通路，也沒(méi)有電流流入柵極，因此其靜態(tài)電流和功耗幾乎為 0。 Vin Vout 常規(guī) 2021/6/17 對(duì)于深亞微米器件，存在泄漏電流 I
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1