材料加工技術(shù)工程學(xué)-文庫吧
2025-02-19 12:33 本頁面
【正文】 煉爐 216。先進鎂合金及其應(yīng)用研究先進鎂合金及其應(yīng)用研究合金開發(fā) 樣品試制 合金生產(chǎn) 應(yīng)用生產(chǎn)216。500MPa碳素鋼先進工業(yè)化制造技術(shù)碳素鋼先進工業(yè)化制造技術(shù)氣－液混 合反 應(yīng)聚乙烯醇纖維 聚乙烯醇纖維是合成纖維的一類，其常規(guī)產(chǎn)品是聚乙烯醇縮甲醛纖維 (Polyvinyl formal fiber)，在我國俗稱維綸，或維尼綸。PVA→ 水洗 → 脫水 → 溶解 → 混合 → 過濾 → 脫泡 → 紡絲溶液 (1)干濕法紡（ dry wet spinning) 又稱為 干噴濕紡，是一種將干法和濕法特點結(jié)合起來的紡絲方法。干濕法紡絲時，紡絲溶液從噴絲頭擠出后，先經(jīng)過 一段空氣層．然后進入凝固?。畧D 示意。從凝固浴導(dǎo)出的初生纖維的后處理過程與普通濕法紡絲相同。 碳纖維 碳纖維〔 carbon fiber)具有高比強度、高比模量、耐高溫、耐腐蝕、導(dǎo)電傳熱等眾多優(yōu)點。 碳纖維主要有纖維素基碳纖維、聚丙烯腈基碳纖維(polyacrylonitrilebased carbon fiber)和瀝青基碳纖維。 纖維素基碳纖維由于生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，這類碳纖維己甚本淘汰。 化學(xué)氣相沉積制造碳纖維。真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù) 真空條件下 加熱被蒸鍍材料 、使其熔化 (或升華 )并形成由原子、分子或原于團組成的蒸氣，凝結(jié)在基底表面成膜。 蒸鍍是一種發(fā)展較早的鍍膜技術(shù)，方法簡單，已經(jīng)在光學(xué)、微電子學(xué)、磁學(xué)、裝飾、防腐蝕等方面得到了廣泛應(yīng)用。 如：電于束蒸發(fā) (ebeam evaporation) 用電子束加熱水冷銅坩鍋中的蒸發(fā)材料使其熔融或升華汽化并凝結(jié)在基底表面成膜。 常用的電子槍有遠(yuǎn)聚焦直槍、 2700。磁偏轉(zhuǎn)槍 (e型電子槍 )和空心陰極電子槍。如圖 ，圖 所示?？招年帢O電子槍又有？管陰極和六硼化鑭陰極兩種。目前主要采用 e型電子槍。 被鍍膜的基片電弧離子鍍 電弧離子鍍是蒸發(fā)源為電弧源的離子鍍。圖 － 4所示為電弧離子鍍膜工作原理。 圖 － 4中陰極是靶材，真空室接地作陽極。在點火器與陰極工作面距離適當(dāng)時產(chǎn)生的電離火花激發(fā)陰極工作表面、產(chǎn)半直徑為 － 100μm的明亮弧斑。運動的斑區(qū)溫度高達數(shù)千至數(shù)萬度、并噴發(fā)出電子、離子、熔融的陰極材料微粒和原子。 工件工件偏置電源真空室壁陰極屏 陰極 化學(xué)氣相沉積的裝置 化學(xué)氣相沉積按化學(xué)反應(yīng)中能量獲得的方式可分為熱 CVD，等離子體增強 CVD（ chemical vapor deposition ），其中熱 CVD是比較傳統(tǒng)的 CVD技術(shù)，等離子體增強 CVD，激光和光 CVD是新發(fā)展期來的 CVD技術(shù)。 (1)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)一般由三大部分組成。即 反應(yīng)物供給系統(tǒng) 、 沉積室、尾氣處理 系統(tǒng)。圖 典型的 CVD裝置示意。 (2)反應(yīng)物供給系統(tǒng) a. 反應(yīng)物輸運。反應(yīng)物必須以氣體狀態(tài)引入列沉積室中，如果反應(yīng)物在室溫下是液態(tài)，可以將其加熱汽化，然后由載氣將共蒸氣帶入沉積室。 b. 反應(yīng)物的純化。隨著應(yīng)用領(lǐng)域?qū)瘜W(xué)氣相沉積的薄膜質(zhì)量要求越來越高，化學(xué)氣相沉積對反應(yīng)物的純度要求也越來越高，因為反應(yīng)物中的雜質(zhì)是造成薄膜缺陷的主要原因。氣體的純度通常被表示為幾個九，如六個九，即表示純 度達到 99． 9999％。有 時純 度也可以根據(jù) 雜質(zhì) 的含量表示 為 106(百萬分之一 )或 109(十 億 分之 —) 。 等離子體增強化學(xué)氣相沉積 等離子體增強 CVD系統(tǒng) 等離子體增強 CVD的系統(tǒng)和普通 CVD的區(qū)別主要在于沉積室合用于產(chǎn)生等離子體的單元。 在大多數(shù)等離子體增強 CVD的系統(tǒng)中，等離子體是由平行電極之間的射頻或微波輝光放電產(chǎn)生的。圖 6所示是射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition) 系統(tǒng)示意。 氣相外延生長的設(shè)備 氣相外延生長設(shè)備可分為兩個獨立的基本組成部分，即氣體分配單元和沉積室。氣體分配單元的功能是對氣體反應(yīng)物按精確比例進行混合，并按一定程序送入沉積室，其主要構(gòu)件包括質(zhì)量流量控制器和壓力控制器．所采用閥門和流量計都必須能防止污染。否則，會給薄膜帶來污染。在多數(shù)氣相外延系統(tǒng)的設(shè)計中，氣體分配單元都是大同小異的．而沉積室則因生長化學(xué)過程和所需產(chǎn)品不同而有很大差異。圖 結(jié)構(gòu)。 等離子弧噴焊 (plasmaarc
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