【正文】 (Pb）；錫 (Sn）；z第四類(lèi) 鎳 (Ni） 。鉻 (Cr） 。不銹鋼 。z第五類(lèi) 銅 (Cu)。銀 (Ag)。金 (Au)。白金 (Pt)。鈦 (Ti)。z陰極端 (不易受腐蝕）鉚接及螺紋搭接y鉚接 有均勻、省時(shí)的優(yōu)點(diǎn)，但其使用彈性不如以螺釘搭接，且防蝕能力不如熔接、軟硬焊。鉚接時(shí)鉚孔應(yīng)與鉚釘緊密接合，鉚孔邊不得有油漆。z螺紋搭接 時(shí)應(yīng)注意墊圈材料的選擇及安放位置，通常均戴墊圈 (LoadDistributionWasher)直接置于螺栓頭（ BoltHead）或殼帽之下，而鎖緊墊圈（ LockWasher）則應(yīng)置于螺帽與均戴墊圈之間。此外，千萬(wàn)別將帶齒鎖緊墊圈置于兩搭接金屬之間。注意z 要有效地達(dá)到搭接的功能，應(yīng)使搭接的金屬緊密地連接，連接面應(yīng)均勻、干凈，其間不得有非傳導(dǎo)性之物質(zhì)。固定時(shí)應(yīng)防止變形、震動(dòng)、搖擺。應(yīng)盡量將類(lèi)似金屬相搭接，不得已時(shí)可使用墊圈。應(yīng)盡量使用直接搭接，若情況不許可時(shí)得使用搭接線(xiàn)，惟使用搭接線(xiàn)時(shí)應(yīng)考慮：z 線(xiàn)之長(zhǎng)度愈短愈好，電感電容比愈小愈好；z 線(xiàn)之電化次序應(yīng)低于搭接物；z 長(zhǎng)寬比應(yīng)小于 5；z 應(yīng)直接與搭接物相接；z 不得使用自攻螺紋（ SelfTappingScrew）。屏蔽z屏蔽能有效地抑制通過(guò)空間傳播的電磁干擾。采用屏蔽的目的有兩個(gè)：一是限制內(nèi)部的輻射電磁能越過(guò)某一區(qū)域；二是防止外來(lái)的輻射進(jìn)入某一區(qū)域。z屏蔽按其機(jī)理可分為電場(chǎng)屏蔽、磁場(chǎng)屏蔽和電磁場(chǎng)屏蔽。電場(chǎng)屏蔽的機(jī)理A AB BC1C2UAUB UA SC2C3 C4圖 1：電場(chǎng)感應(yīng)示意圖 圖 2：電場(chǎng)屏蔽作用的分析電場(chǎng)屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn)z為了獲得良好的電場(chǎng)屏蔽效果，注意以下幾點(diǎn)是必要的：x 屏蔽板以靠近受保護(hù)物為好，而且屏蔽板的接地必須良好。此舉目的是增大 C4的值；x 屏蔽板的形狀對(duì)屏蔽效能的高低有明顯影響。例如，全封閉的金屬盒可以有最好的電場(chǎng)屏蔽效果，而開(kāi)孔或帶縫隙的屏蔽盒，其屏蔽效能都會(huì)受到不同程度的影響。此舉主要是影響剩余電容 C1′ 的 值；x 屏蔽板的材料以良導(dǎo)體為好，但對(duì)厚度并無(wú)要求，只要有足夠強(qiáng)度就可以了。磁場(chǎng)屏蔽的機(jī)理z磁場(chǎng)屏蔽通常是對(duì)直流或甚低頻磁場(chǎng)的屏蔽，其效果比對(duì)電場(chǎng)屏蔽和電磁場(chǎng)屏蔽要差得多，因此磁場(chǎng)屏蔽是個(gè)棘手的問(wèn)題。z磁場(chǎng)屏蔽主要是依賴(lài)高導(dǎo)磁材料所具有的低磁阻，對(duì)磁通起著分路的作用，使得屏蔽體內(nèi)部的磁場(chǎng)大大減弱。H1H0磁場(chǎng)屏蔽的機(jī)理磁場(chǎng)屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn)z提高磁場(chǎng)屏蔽效能的主要措施有：x 選用高導(dǎo)磁率的材料，如坡莫合金；x 增加屏蔽體的壁厚；? 以上兩條均是為了減少屏蔽體的磁阻；x 被屏蔽的物體不要安排在緊靠屏蔽體的位置上，以盡量減少通過(guò)被屏蔽物體體內(nèi)的磁通；x 注意磁屏蔽體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，凡接縫、通風(fēng)孔等均可能增加磁屏蔽體的磁阻，從而降低屏蔽效果。為此，可以讓縫隙或長(zhǎng)條形通風(fēng)孔循著磁場(chǎng)方向分布，這有利于屏蔽體在磁場(chǎng)方向的磁阻減小；磁場(chǎng)屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn)（續(xù) 〕x 對(duì)于強(qiáng)磁場(chǎng)的屏蔽可采用雙層磁屏蔽體的結(jié)構(gòu)。對(duì)要屏蔽外部強(qiáng)磁場(chǎng)的，則屏蔽體外層要選用不易磁飽和的材料，如硅鋼等；而內(nèi)部可選用容易達(dá)到飽和的高導(dǎo)磁材料，如坡莫合金等。反之，如果要屏蔽內(nèi)部強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)，則材料排列次序要倒過(guò)來(lái)。在安裝內(nèi)外兩層屏蔽體時(shí)，要注意彼此間的磁絕緣。當(dāng)沒(méi)有接地要求時(shí)，可用絕緣材料做支撐件。若需要接地時(shí)，可選用非鐵磁材料（如銅、鋁）做支撐件。但從屏蔽體能兼有防止電場(chǎng)感應(yīng)的目的出發(fā)，一般還是要接地的。電磁場(chǎng)屏蔽的機(jī)理z電磁屏蔽體對(duì)電磁的衰減主要是基于電磁波的反射和電磁波的吸收兩種方式。H1/E1H0/E0電磁場(chǎng)屏蔽的機(jī)理電磁場(chǎng)屏蔽的機(jī)理（ 續(xù) 〕z與前面已講述的電場(chǎng)屏蔽及磁場(chǎng)屏蔽的機(jī)理不同，電磁屏蔽對(duì)于電磁波的衰減有三種不同的機(jī)理：x 當(dāng)電磁波在到達(dá)屏蔽體表面時(shí)，由于空氣與金屬的交界面上阻抗的不連續(xù)，對(duì)入射波產(chǎn)生的反射。這種反射不要求屏蔽材料必須有一定厚度，只要求交界面上的不連續(xù)；x 未被表面反射掉而進(jìn)入屏蔽體的能量，在體內(nèi)向前傳播的過(guò)程中，被屏蔽材料所衰減。這種物理過(guò)程被稱(chēng)為吸收；x 在屏蔽體內(nèi)尚未衰減掉的剩余能量，傳到材料的另一表面時(shí)，在遇到金屬與空氣不連續(xù)的交界面時(shí)，會(huì)形成再次反射，并重新返回屏蔽體內(nèi)。這種反射在兩個(gè)金屬的交界面上可能有多次的反射。屏蔽效能的計(jì)算z屏蔽效能 S＝ A＋ R＋ B（ dB）z上式中 A為吸收損耗， R為反射損耗， B為正或負(fù)的修正項(xiàng)；當(dāng) A大于 15dB時(shí)， B可忽略不計(jì)， B是由屏蔽體內(nèi)反射波所引起的。z上式中的各項(xiàng)可以視為相對(duì)于銅材料的導(dǎo)電系數(shù) σ 和導(dǎo)磁率 μ ，頻率 f（ Hz）以及所存在的各種物理參數(shù)的函數(shù)。z機(jī)柜（或屏蔽盒）之屏蔽結(jié)構(gòu)材料x(chóng)適用于底板和機(jī)殼的材料大多數(shù)是良導(dǎo)體，如銅、鋁等，可以屏蔽電場(chǎng)，主要的屏蔽機(jī)理是反射而不是吸收。x對(duì)磁場(chǎng)的屏蔽需用鐵磁材料，如高導(dǎo)磁率合金和鐵。主要的屏蔽機(jī)理是吸收而不是反射。x在強(qiáng)電磁場(chǎng)環(huán)境中，要求材料能屏蔽電場(chǎng)和磁場(chǎng)兩種成分，因此需要結(jié)構(gòu)上完好的鐵磁材料。屏蔽效率直接受材料厚度以及搭接和接地方法好壞的影響。x對(duì)于塑料殼體，是在其內(nèi)壁噴涂屏蔽層，或在汽塑時(shí)摻入金屬纖維 。屏蔽之搭接y清潔y氧化層y面接觸y螺釘?shù)木嚯xy縫隙：導(dǎo)電襯墊y壓力按優(yōu)先等級(jí)排列的各種襯墊穿孔x通風(fēng)x導(dǎo)線(xiàn)插箱的屏蔽處理z面板：金屬 U形面板z面板之間加金屬簧片z面板插針：定位＋ ESD泄放z導(dǎo)軌上簧片：配合插針泄放 ESDz金屬之間的搭接：簧片 /導(dǎo)電襯墊z搭接處導(dǎo)電氧化或電鍍?yōu)V 波濾波器的特性z插入損耗 是在裝置濾波器前后負(fù)載端所接收能量之差異z頻率特性 是在裝置濾波器時(shí)插入損耗與頻率之對(duì)應(yīng)值。z阻抗匹配z額定電壓、電流z絕緣電阻z尺寸、重量z使用環(huán)境z可靠性干擾的方式z共模干擾 是指電源線(xiàn)對(duì)大地，或中線(xiàn)對(duì)大地之間的電位差。