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半導體物理第一章第二章-文庫吧

2024-09-29 15:39 本頁面


【正文】 為布洛赫波函數(shù)。 ? , 得到電子在周期場中運動時其能量不連續(xù) , 形成一系列允帶和禁帶 。 一個允帶對應的 K值范圍稱為布里淵區(qū) 。 ? (定態(tài)薛方程 及求解) ? 、半導體、絕緣體的導電性。 0)()]([)(2 2202??? xxVEdxxdm???課程難點 : ? 1 .布洛赫波函數(shù)的意義:晶體中的電子在周期性勢場中運動的波函數(shù)與自由電子的波函數(shù)形式相似,代表一個波長為 1/k而在 k方向上傳播的平面波,不過這個波的振幅 uk(x)隨x作周期性的變化,其變化周期與晶格周期相同,故為調幅平面波。 ?所以常說晶體中的電子是以一個被調幅的平 面波在晶體中傳播。顯然,若令 uk( x)為常數(shù) A,則在周期性勢場中運動的電子的波函數(shù)就完全變?yōu)樽杂呻娮拥牟ê瘮?shù)了,即平面波。 布洛赫波函數(shù) )()()()( 2naxxuexuxkkxikk???? ??其次,根據(jù)波函數(shù)的意義,在空間某一點找到電子的幾率與波函數(shù)在該點的強度( )成比例。 ?對于自由電子, 即在空間各點波函數(shù)的強度相等,故在空間各點找到電子的幾率相同,這反映了電子在空間中的自由運動 . *2|| ??? ?2* || A????而對于晶體中的電子, ?但 uk(x)=(x+na) , a為晶格常數(shù),是與晶格同周期的函數(shù),在晶體中波函數(shù)的強度也隨晶格周期性變化,所以在晶體中各點找到該電子的幾率也具周期性變化的性質。這反映了電子不再完全局限在某一個原子上,而是可以從晶胞中某一點自由地運動到其它晶胞內的對應點,因而電子可以在整個晶體中運動,這種運動成為電子在晶體內的共有化運動。 |)()(||| ** xuxu kk????組成晶體的原子的外層電子共有化運動較強(為什么?),其行為與自由電子相似,常稱為準自由電子。而內層電子的共有化運動較弱,其行為與孤立原子中的電子相似。 ?最后 , 布洛赫波函數(shù)中的波矢 k與自由電子波函數(shù)的一樣 , 它描述晶體中電子的共有化運動狀態(tài) , 不同的 k的標志著不同的共有化運動狀態(tài) 。 ? 2 .金剛石結構的第一布里淵區(qū)是一個十四面體,(圖 1- 11, P14),要注意圖中特殊點的位置。 基本概念及名詞術語 : ? : ?定性理論 ( 物理概念 ) :晶體中原子之間的相互作用 , 使能級分裂形成能帶 。 ?定量理論 ( 量子力學計算 ,求解薛定諤方程 ) :電子在周期場中運動 , 其能量不連續(xù)形成能帶 。 ?能帶( energy band)包括允帶和禁帶。 ?允帶 ( allowed band) :允許電子能量存在的能量范圍 。 ?禁帶 ( forbidden band) :不允許電子存在的能量范圍 。 ?允帶又分為空帶 、 滿帶 、 導帶 、 價帶 。 ?空帶 ( empty band):不被電子占據(jù)的允帶。 ?滿帶 ( filled band) :允帶中的能量狀態(tài) ( 能級 ) 均被電子占據(jù) 。 ? ?導帶 ( conduction band) :電子未占滿的允帶( 有部分電子 。 ) ?價帶 ( valence band) :被價電子占據(jù)的允帶(低溫下通常被價電子占滿)。 2. 用能帶理論解釋導體、半導體、絕緣體的導電性: ? 固體按其導電性分為導體 ( 電阻率 108歐姆米 ) 、 絕緣體 (電阻率大于 108歐姆米 ), 半導體 (介于二者之間 )、 其機理可以根據(jù)電子填充能帶的情況來說明 。 ?固體能夠導電,是固體中的電子在外場的作 用下定向運動的結果。由于電場力對電子的 加速作用,使電子的運動速度和能量都發(fā)生 了變化。換言之,即電子與外電場間發(fā)生能 量交換。 ?從能帶論來看,電子的能量變化,就是電子從一個能級躍遷到另一個能級上去。對于滿帶,其中的能級已被電子所占滿,在外電場作用下,滿帶中的電子并不形成電流,對導電沒有貢獻,通常原子中的內層電子都是占據(jù)滿帶中的能級,因而內層電子對導電沒有貢獻。 滿帶 ?對于被電子部分占滿的能帶,在外電場作用下,電子可從外電場中吸收能量躍遷到未被電子占據(jù)的的能級去,起導電作用,常稱這種能帶為導帶。 半滿帶 金屬中,由于組成金屬的原子中的價電子占據(jù)的能帶是部分占滿的,所以金屬是良好的導電體。 半滿帶 滿帶 禁帶 金屬能帶 ?半導體和絕緣體的能帶類似,即下面是已被價電子占滿的滿帶(其下面還有為內層電子占滿的若干滿帶),亦稱價帶,中間為禁帶,上面是空帶。因此,在外電場作用下并不導電,但是這只是絕對溫度為零時的情況。 空帶 (導帶 ) 價帶 禁帶 ?當外界條件發(fā)生變化時,例如溫度升高或有光照時,滿帶中有少量電子可能被激發(fā)到上面的導帶中去,使能帶 (導帶 )底部附近有了少量電子,因而在外電場作用下,這些電子將參與導電; ?同時,滿帶中由于少了一些電子,在滿帶頂部附近出現(xiàn)了一些空的量子狀態(tài),滿帶變成了部分占滿的能帶,在外電場作用下,仍留在滿帶中的電子也能夠起導電作用,滿帶電子的這種導電作用等效于把這些空的量子狀態(tài)看作帶正電荷的準粒子的導電作用,常稱這些空的量子狀態(tài)為空穴。 。 。 。 。 。 。 滿帶 空帶 禁帶 空穴的形成 ? 所以在半導體中導帶的電子和價帶的空穴參與導電,這是與金屬導體的最大差別。 ? 絕緣體的禁帶寬度很大,數(shù)量級在 5eV左右,激發(fā)電子需要很大的能量,在通常溫度下,能激發(fā)到導帶中的電子很少,所以導電性很差。 ? 半導體禁帶寬度比較小,數(shù)量級在 1eV左右,在通常溫度下已有不少電子被激發(fā)到導帶中去,所以具有一定的導電能力,這是絕緣體和半導體的主要區(qū)別。 ?室溫下 ,金剛石的禁帶寬度為 6~ 7eV,它是絕緣體;硅為 (T=0K,為 ),鍺為(T=0K, 為 ),砷化鎵為,所以它們都是半導體。 EV價帶底 EC 導帶頂 Eg 常用能帶模型 共價鍵理論 ?共價鍵理論能夠比較簡單 、 直觀 、 較好地解釋晶體的某些性質 。 ?⑴ 共價鍵理論主要有三點: ?① 晶體的化學鍵是共價鍵,如 Si, Ge。 ?② 共價鍵上的電子處于束縛態(tài),不能參與導電。 ?③ 處于束縛態(tài)的價電子從外界得到能量,有可能掙脫束縛成為自由電子,參與導電。 ⑵ 共價鍵理論應用 ?① 解釋半導體摻雜的敏感性 ?例:摻入替位式五價元素 , 可提供導電電子; ?摻入替位式三價元素 , 可提供導電空穴 。 ?②解釋半導體的熱敏性,光敏性等。 ⑶ 兩者理論的比較(能帶理論與共價鍵理論的對應關系) ?能帶理論 共價鍵理論 ?價帶中電子 共價鍵上的電子 ?導帶中電子 掙脫共價鍵的電子 ( 變?yōu)? 自由電子 ) ?禁帶寬度 鍵上電子掙脫鍵束縛所需 的能量 ? 定量理論 定性理論 4本征激發(fā): ?共價鍵上的電子激發(fā)成為準自由電子 , 亦即價帶電子吸收能量被激發(fā)到導帶成為導帶電子的過程 , 稱為本征激發(fā) 。 這一概念今后經(jīng)常用到 。 167。 半導體中電子(在外力下)的運動、有效質量、空穴 ?本節(jié)內容: ? 導帶中 E( k)與 k的關系 ? 價帶頂附近電子的運動 ? 有效質量的意義 課程重點: ? E( k)與 k的關系 (色散關系 )的方法:晶體中電子的運動狀態(tài)要比自由電子復雜得多,要得到它的 E( k)表達式很困難。但在半導體中起作用地是位于導帶底或價帶頂附近的電子。因此,可采用級數(shù)展開的方法研究帶底或帶頂 E( k)關系。 電子有效質量 (一維情況 p16,(121)),注意,在能帶底是正值,在能 帶頂是負值。電子的速度為 (127) 注意 v可以是正值 (m*0,k0時 ),也可以是負值(m*0,k0時 ),這取決于能量對波矢的變化率。 )(39。39。2222*kn EhdkEdhm ??)(1 *nmhkvdkdEhv ?? 且,半導體中電子所受的外力與加速度的關系具有牛頓第二定律的形 式,即 可見只是以有效質量 m*代換了電子慣性質量 m0 (見 P17之推導過程 ) *nmfa ? 空穴的概念: 在牛頓第二定律中要求有效質量為正值,但價帶頂電子的有效質量為負值。這在描述價帶頂電子的加速度遇到困難。為了解決這一問題,引入空穴的概念。 ?① 價帶中不被電子占據(jù)的空狀態(tài) ?② 價帶頂附近空穴有效質量 mp*0 ?數(shù)值上與該處的電子有效質量相同,即 ?空穴帶電荷+ q(共價鍵上少一個電子,破壞局部電中性,顯正電)。 ?③空穴的能量坐
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