薄膜材料與薄膜技術復習資料-文庫吧
2025-07-21 16:12 本頁面
【正文】 相外延（LPE)、熱壁外延（HWE)和金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）。1凝聚過程的必要條件是吸附原子在基體表面的擴散運動2組分表征主要技術有。簡答：化學氣相沉積的優(yōu)缺點優(yōu)點（已寫）缺點：?化學反應需要高溫?反應氣體會與基片或設備發(fā)生化學反應?在化學氣相沉積中所使用的設備可能較為復雜，且有許多變量需要控制 化學熱氧化生長、化學氣相沉積與真空蒸發(fā)有何不同答：化學熱氧化生長是通過加熱基片可以原位的生成所需的氧化物、氮化物等薄膜。 化學氣相沉積通過輸運薄膜組分物質或反應源物質到基片，通過化學反應原位的生成薄膜。 真空蒸發(fā)通過各種加熱方式使得各反應源材料沉積到基片上，一般需要通過后期熱處理后形成薄膜。 在薄膜的致密度和質量上后者一般較好，且后者一般需要在真空條件下進行。 簡述LB技術的過程定義：利用分子活性氣體在氣液界面上凝結成膜，將該膜逐次疊積在基片上形成分子層。應用：應用這一技術可以生長有序單原子層、高度有序多原子層，其介電強度較高過程見課本P30簡述什么是磁控濺射及磁場的作用和優(yōu)缺點磁控濺射：磁力線延伸到襯底，對襯底進行適當濺射，通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。磁場的作用：約束帶電粒子提高等離子體密度以增加濺射率優(yōu)點：可在較低工作壓強下得到較高的沉積率，可在較低基片溫度下獲得高質量 薄膜。缺點：①靶材利用率低，表面不均勻濺射、非均勻腐蝕及內應力 ②不適用于強磁體 簡述非平衡磁控濺射及特點對于一個常規(guī)的磁控濺射靶，改變其磁場分布，使某一磁極的磁場相對于另一極性相反的部分增強或者減弱，導致磁控濺射靶磁場的“非平衡”。這種濺射稱為非平衡磁控濺射。特點：?靶材的不均
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