華東交通大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)模版-文庫吧
2025-06-01 04:41 本頁面
【正文】 組長簽字：年 月 日答辯委員會(huì)意見： 等級 答辯委員會(huì)主任簽字：年 月 日（學(xué)院公章）注：答辯小組根據(jù)評閱人的評閱簽署意見、初步評定成績，交答辯委員會(huì)審定，蓋學(xué)院公章?！暗燃墶庇脙?yōu)、良、中、及、不及五級制（可按學(xué)院制定的畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)成績評定辦法評定最后成績）。 華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）答辯記錄姓名學(xué)號畢業(yè)屆別專業(yè)題目答辯時(shí)間答辯組成員（簽字）：答辯記錄： 記錄人（簽字）： 年 月 日 答辯小組組長（簽字）：年 月 日附注：146 / 15中文摘要：獨(dú)占一頁；論文題目用小2號黑體字、居中頁眉：中文宋體，小五號，居中IIIⅤ族氮化物及其高亮度藍(lán)光宋體，5號，對齊居中LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究摘要用3號黑體字、居中專 業(yè)： 學(xué) 號：學(xué)生姓名： 指導(dǎo)教師： 摘要正文用小4號宋體字 寬禁帶III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長高亮度發(fā)光器件、短波長激光器、光探測器以及高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。自1994年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國際上突破了GaN基藍(lán)光LED外延材料生長技術(shù)以來，美、日等國十余家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并分別實(shí)現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開，還無法從參考文獻(xiàn)及專利公報(bào)中獲取最重要的材料生長信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中的物理及化學(xué)問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓MOCVD和英國進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)上對III－Ⅴ族氮化物的生長機(jī)理進(jìn)行了研究，對材料的性能進(jìn)行了表征。通過設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長的藍(lán)光LED外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1．首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率?！疚牡玫搅藝?63計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項(xiàng)目的資助。關(guān)鍵詞用小4號黑體字、居左頂格、單獨(dú)占行，關(guān)鍵詞之間用分號間隔 關(guān)鍵詞：氮化物；
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