華東交通大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計模版(參考版)
2025-06-19 04:41本頁面
【正文】 內(nèi)容：宋體，5號，兩邊對齊。電子文獻載體類型標(biāo)志：磁帶 MT；磁盤 DK；光盤 CD；聯(lián)機網(wǎng)絡(luò) OL。…………第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 MOCVD材料生長機理…………轉(zhuǎn)換控制 頻率信 號 源 頻率控 制 器地址發(fā)生 器波形存儲 器Ｄ／Ａ轉(zhuǎn)換器濾波器 頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖21 DDS方式AWG的工作流程…………標(biāo)題：中文宋體，4號，居中；英文Times New Roman，4號，居中。104~180。180。10470059GaN/Al2O3光致發(fā)光180。10499661GaN/Al2O3光致發(fā)光190。1．2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) …………表11 用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、ac和T0的值樣品類型實驗方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻GaN/Al2O3光致發(fā)光180。III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國內(nèi)外眾多研究者的興趣。III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時30余年，前20年進展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機的發(fā)明。章標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號居中 在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進程中，材料永遠扮演著重要角色?！疚牡玫搅藝?63計劃、國家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項目的資助。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1．首次提出了采用偏離化學(xué)計量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實現(xiàn)。本文在自制常壓MOCVD和英國進口MOCVD系統(tǒng)上對III－Ⅴ族氮化物的生長機理進行了研究，對材料的性能進行了表征。盡管如此，這項高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開，還無法從參考文獻及專利公報中獲取最重要的材料生長信息。 華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計（論文）答辯記錄姓名學(xué)號畢業(yè)屆別專業(yè)題目答辯時間答辯組成員（簽字）：答辯記錄： 記錄人（簽字）： 年 月 日 答辯小組組長（簽字）：年 月 日附注：146 / 15中文摘要：獨占一頁；論文題目用小2號黑體字、居中頁眉：中文宋體，小五號，居中IIIⅤ族氮化物及其高亮度藍光宋體，5號，對齊居中LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究摘要用3號黑體字、居中專 業(yè)：
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