華東交通大學本科畢業(yè)設計模版-wenkub.com
2025-06-13 04:41 本頁面
【正文】 標題：宋體，4號，居中。10477263………… …………加熱電阻―――□―――■■―――□――→氣流測溫元件 測溫元件圖11 熱風速計原理圖標題置于圖的下方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個漢字符寬度；內容：中文宋體，英文Times New Roman，五號。104190。104180。由于III族氮化物特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質，優(yōu)異的材料機械和化學性能，使得它在短波長光電子器件方面有著廣泛的應用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。在與現(xiàn)代科技成就息息相關的千萬種材料中，半導體材料的作用尤其如此。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結晶性能，使GaN基藍光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中的物理及化學問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學依據?！暗燃墶庇脙?yōu)、良、中、及、不及五級制（可按學院制定的畢業(yè)設計(論文)成績評定辦法評定最后成績）。就我所知，除了文中特別加以標注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經發(fā)表和撰寫的研究成果，也不包含為獲得華東交通大學或其他教育機構的學位或證書所使用過的材料。如在文中涉及抄襲或剽竊行為，本人愿承擔由此而造成的一切后果及責任。 華東交通大學畢業(yè)設計（論文）答辯記錄姓名學號畢業(yè)屆別專業(yè)題目答辯時間答辯組成員（簽字）：答辯記錄： 記錄人（簽字）： 年 月 日 答辯小組組長（簽字）：年 月 日附注：146 / 15中文摘要：獨占一頁；論文題目用小2號黑體字、居中頁眉：中文宋體，小五號，居中IIIⅤ族氮化物及其高亮度藍光宋體，5號，對齊居中LED外延片的MOCVD生長和性質研究摘要用3號黑體字、居中專 業(yè)： 學 號：學生姓名： 指導教師： 摘要正文用小4號宋體字 寬禁帶III－Ⅴ族氮化物半導體材料在短波長高亮度發(fā)光器件、短波長激光器、光探測器以及高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應用前景。本文在自制常壓MOCVD和英國進口MOCVD系統(tǒng)上對III－Ⅴ族氮化物的生長機理進行了研究，對材料的性能進行了表征。…………本文得到了國家863計劃、國家自然科學基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項目的資助。以Si為代表的第一代半導體誕生于20世紀40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機的發(fā)明。III－Ⅴ族氮化物半導體材料已引起了國內外眾多研
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