華東交通大學本科畢業(yè)設計模版-展示頁
2025-06-25 04:41本頁面
【正文】 年 月 日題目發(fā)出日期設計（論文）起止時間附注： 華東交通大學畢業(yè)設計（論文）開題報告書課題名稱課題來源課題類型導 師學生姓名學 號專 業(yè)開題報告內容： 方法及預期目的： 指導教師簽名： 日期：課題類型：（1）A—工程設計；B—技術開發(fā)；C—軟件工程；D—理論研究； （2）X—真實課題；Y—模擬課題；Z—虛擬課題 （1）、（2）均要填，如AY、BX等?！暗燃墶庇脙?yōu)、良、中、及、不及五級制（可按學院制定的畢業(yè)設計(論文)成績評定辦法評定最后成績）。自1994年日本日亞化學工業(yè)公司率先在國際上突破了GaN基藍光LED外延材料生長技術以來，美、日等國十余家公司相繼報導掌握了這項關鍵技術，并分別實現(xiàn)了批量或小批量生產GaN基LED。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中的物理及化學問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學依據(jù)。通過設計并優(yōu)化外延片多層結構，生長的藍光LED外延片質量達到了目前國際上商品化的中高檔水平。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結晶性能，使GaN基藍光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。關鍵詞用小4號黑體字、居左頂格、單獨占行，關鍵詞之間用分號間隔 關鍵詞：氮化物； MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜 頁眉：外文Times New Roman字體，五號，居中的居中英文摘要：獨占一頁；論文題目用Times New Roman字體小2號加粗、居中Study on MOCVD growth and properties of IIIⅤnitrides and high brightness blue LED wafers ABSTRACT用Times New Roman字體3號加粗、居中Abstract正文用Times New Roman字體小4號 GaN based ⅢⅤ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten panies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia pany in Japan first realized the mercialization of GaN based blue LED in 1994.In this
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