cpu發(fā)展史和生產(chǎn)工藝流程-文庫(kù)吧
2025-04-22 18:05 本頁(yè)面
【正文】 。在絕緣材 (品紅色 )上蝕刻出三個(gè)孔洞，并填充銅，以便和其它晶體管互連。 電鍍 ：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會(huì)從正極 (陽(yáng)極 )走向負(fù)極(陰極 )。 銅層 ：電鍍完成后，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個(gè)薄薄的銅層。 制造第六階段 _電鍍晶圓 (小結(jié)） 拋光 ：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。 金屬層 ：晶體管級(jí)別，六個(gè)晶體管的組合，大約 500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層，具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。芯片表面看 起來(lái)異常平滑，但事實(shí)上可能包含 20多層復(fù)雜的電路，放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò)，形如未來(lái)派的多層高速公路系統(tǒng)。 制造第七階段 _拋光處理 (小結(jié)） 晶圓測(cè)試 ：內(nèi)核級(jí)別，大約 10毫米 /。圖中是晶圓的局部，正在接受第一次功能性測(cè)試，使用參考電路圖案和每一塊芯片進(jìn)行對(duì)比。 晶圓切片 (Slicing)：晶圓級(jí)別， 300毫米 /12英寸。將晶圓切割成塊，每一塊就是一個(gè)處理器的內(nèi)核 (Die)。 丟棄瑕疵內(nèi)核 ：晶圓級(jí)別。測(cè)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄，留下完好的準(zhǔn)備進(jìn)入下一步。 制造第八階段 _晶圓切片 (小結(jié)） 單個(gè)內(nèi)核 ：內(nèi)核級(jí)別。從晶圓上切割下來(lái)的單個(gè)內(nèi)核，這里展示的是 Core i7的核心。 封裝 ：封裝級(jí)別， 20毫米 /1英寸。襯底 (基片 )、內(nèi)核、散熱片堆疊在一起，就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底 (綠色 )相當(dāng)于一個(gè)底座，并為處理器內(nèi) 核提供電氣與機(jī)械界面，便于與 PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片 (銀色 )就是負(fù)責(zé)內(nèi)核散熱的了。 處理器 ：至此就得到完整的處理器了 (這里是一顆 Core i7)。這種在世界上最干凈的房間里制造出來(lái)的最復(fù)雜的產(chǎn)品實(shí)際上是經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)步驟得來(lái)的，這里只是展示了其中的一些關(guān)鍵步驟。 制造第九階段 _封裝 (小結(jié)） 等級(jí)測(cè)試 ：最后一次測(cè)試，可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性，比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等，并決定處理器的等級(jí)，比如適合做成最高端的 Core i7975 Extreme，還是低端型號(hào) Core i7920。 裝箱 ：根據(jù)等級(jí)測(cè)試結(jié)果將同樣級(jí)別的處理器放在一起裝運(yùn)。 零售包裝 ：制造、測(cè)試完畢的處理器要么批量交付給 OEM廠商，要么放在包裝盒里進(jìn)入零售市場(chǎng)。這里還是以 Core i7為例。 制造第十階段 _成品出爐 (小結(jié)） 總結(jié) 制造第一階段 __提煉硅錠 制造第二階段 _切割晶圓 制造第三階段 _光刻過(guò)程 制造第四階段 _光刻膠的使命 制造第五階段 _離子注入 制造第六階段 _電鍍晶圓 制造第七階段 _拋光處理 制造第八階段 _晶圓切片 制造第九階段 _封裝 (小結(jié)） 制造第十階段 _成品出爐 (小結(jié)） CPU是如何生產(chǎn)出來(lái)的 （收轉(zhuǎn)） 20220326 16:00 作為計(jì)算機(jī)的核心組件， CPU（ Central Processor Unit，中央處理器）在用戶的心中一直是十分神秘的：在多數(shù)用戶的心目中，它都只是一個(gè)名詞縮寫，他們甚至連它的全寫都拚不出來(lái)；在一些硬件高手的眼 里， CPU也至多是一塊十余平方厘米，有很多腳的塊塊兒，而 CPU的核心部分甚至只有不到一平方厘米大。他們知道這塊不到一平方厘米大的玩意兒是用多少微 米工藝制成的，知道它集成了幾億幾千萬(wàn)晶體管，但鮮有了解 CPU的制造流程者。今天，就讓我們來(lái)詳細(xì)的了解一下， CPU是怎樣練成的。 基本材料 多數(shù)人都知道，現(xiàn)代的 CPU是使用硅材料制成的。硅是一種非金屬元素，從化學(xué)的角度來(lái)看，由于它處于元素周期表中金屬元素區(qū)與非金屬元素區(qū)的交 界處， 所以具有半導(dǎo)體的性質(zhì)，適合于制造各種微小的晶體管，是目前最適宜于制造現(xiàn)代大
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