cpu發(fā)展史和生產(chǎn)工藝流程-展示頁
2025-05-16 18:05本頁面
【正文】 寫都拚不出來；在一些硬件高手的眼 里， CPU也至多是一塊十余平方厘米，有很多腳的塊塊兒，而 CPU的核心部分甚至只有不到一平方厘米大。 零售包裝 ：制造、測試完畢的處理器要么批量交付給 OEM廠商，要么放在包裝盒里進(jìn)入零售市場。 制造第九階段 _封裝 (小結(jié)） 等級測試 ：最后一次測試，可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性，比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等，并決定處理器的等級，比如適合做成最高端的 Core i7975 Extreme，還是低端型號 Core i7920。 處理器 ：至此就得到完整的處理器了 (這里是一顆 Core i7)。襯底 (綠色 )相當(dāng)于一個(gè)底座，并為處理器內(nèi) 核提供電氣與機(jī)械界面，便于與 PC系統(tǒng)的其它部分交互。 封裝 ：封裝級別， 20毫米 /1英寸。 制造第八階段 _晶圓切片 (小結(jié)） 單個(gè)內(nèi)核 ：內(nèi)核級別。 丟棄瑕疵內(nèi)核 ：晶圓級別。 晶圓切片 (Slicing)：晶圓級別， 300毫米 /12英寸。 制造第七階段 _拋光處理 (小結(jié)） 晶圓測試 ：內(nèi)核級別，大約 10毫米 /。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層，具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。 制造第六階段 _電鍍晶圓 (小結(jié)） 拋光 ：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。銅離子會從正極 (陽極 )走向負(fù)極(陰極 )。在絕緣材 (品紅色 )上蝕刻出三個(gè)孔洞，并填充銅，以便和其它晶體管互連。注意這時(shí)候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。經(jīng)過電場加速后，注入的離子流的速度可以超過 30萬千米每小時(shí)。 制造第四階段 _光刻膠的使命 (小結(jié)） 光刻膠 ：再次澆上光刻膠 (藍(lán)色部分 )，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來保護(hù)不會離子注入的那部分材料?，F(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小，一個(gè)針頭上就能放下大約3000萬個(gè) 制造第三階段 _光刻過程 (小結(jié)） 溶解光刻膠 ：光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除后留下的圖案和掩模上的一致 蝕刻 ：使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分。一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個(gè)處理器，不過從這里開始把視野縮小到其中一個(gè)上，展示如何制作晶體管等部 件。掩模上印著預(yù) 先設(shè)計(jì)好的電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會形成微處理器的每一層電路圖案。值得一提的是， Intel公司創(chuàng)立之初使用的晶圓尺寸只有 2英寸 /50毫米 制造第二階段 _切割晶圓 (小結(jié)） 光刻膠 (Photo Resist)：圖中藍(lán)色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過程中澆上去的光刻膠液體，類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。順便說，這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧？ 晶圓 ：切割出的晶圓經(jīng)過拋光后變得幾乎完美無瑕，表面甚至可以當(dāng)鏡子。 單晶硅錠 ：整體基本呈圓柱形，重約 100千克，硅純度 ％。通過多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級硅 (EGS)，平均每一百萬個(gè)硅原子中最多只有一個(gè)雜 質(zhì)原子。 CPU由運(yùn)算器、控制器和寄存器及實(shí)現(xiàn)它們之間聯(lián)系的數(shù)據(jù)、控制及狀態(tài)的總線構(gòu)成。CPU 生產(chǎn)工藝流程 作者：肖太梁 學(xué)號： 202211103 指導(dǎo)：解鵬 中央處理器（ Central Processing Unit， CPU） 是 電子計(jì)算機(jī)三大核心部件。其功能主要是解釋計(jì)算機(jī)指令以及處理計(jì)算機(jī)軟件中的數(shù)據(jù)。差不多所有的 CPU的運(yùn)作原理可分為四個(gè)階段： 解碼（ Decode） 執(zhí)行（ Execute） 提取（ Fetch） 寫回（ Writeback） 沙子 ：硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，而脫氧后的沙子 (尤其是石英 )最多包含 25％的硅元素，以二氧化硅 (SiO2)的形式存在，這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)
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