半導(dǎo)體復(fù)習(xí)參考試題-文庫吧
2025-04-02 00:00 本頁面
【正文】 P，半導(dǎo)體的禁帶寬度（A）；若用As則禁帶寬度（C）。A. 變大 B. 不變 C. 變小15. GaAs的導(dǎo)帶極值位于布里淵區(qū)（D）。A. 100方向邊界處 B. 111方向邊界處 C. 110方向邊界處 16. 重空穴指的是（C）。A. 質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴 B. 價帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C. 價帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴 D. 自旋—軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴17. 根據(jù)費(fèi)米分布函數(shù)，電子占據(jù)（）能級的幾率（B）。A. 等于空穴占據(jù)（）能級的幾率 B. 等于空穴占據(jù)（）能級的幾率C. 大于電子占據(jù)的幾率 D. 大于空穴占據(jù)的幾率18. 對于只含一種雜質(zhì)的非簡并n型半導(dǎo)體，費(fèi)米能級隨溫度升高而（D）。A. 單調(diào)上升 B. 單調(diào)下降 C. 經(jīng)過一個極小值后趨近 19. 若一種材料的電阻率隨溫度升高先下降后升高，則該材料是（D）。A. 本征半導(dǎo)體 B. 金屬 C. 化合物半導(dǎo)體 D. 摻雜半導(dǎo)體20. 公式中的是載流子的（C）。A. 渡越時間 B. 壽命 C. 平均自由時間 D. 擴(kuò)散系數(shù)21. 在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長的GaAS具有很高的載流子遷移率，是因?yàn)檫@樣的材料（D）。A. 無雜質(zhì)污染 B. 受宇宙射線輻射 C. 化學(xué)配比合理 D. 晶體完整性好22. 在光電轉(zhuǎn)換過程中，Si比GaAs量子效率低，因?yàn)槠洌―）。A. 禁帶較窄 B. 禁帶較寬 C. 禁帶是間接躍遷型 D. 禁帶是直接躍遷型23. 若某材料電阻率隨溫度上升而先下降后上升，該材料是（C）。A．金屬． B．本征半導(dǎo)體C．摻雜半導(dǎo)體 D. 高純化合物半導(dǎo)體C．平均自由時間 D．?dāng)U散系數(shù)24．在硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)中，在布里淵中心存在兩個極大值重合的價帶，外面的能帶（ B ）， 對應(yīng)的有效質(zhì)量（ C ），稱該能帶中的空穴為( E )。A. 曲率大； B. 曲率??； C. 大；D. ?。?E. 重空穴；F. 輕空穴 25. 如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（ F ）。 A. 施主 B. 受主 F. 兩性雜質(zhì) 26. 在通常情況下，GaN呈（ A ）型結(jié)構(gòu)，具有（ C ），它是（ F ）半導(dǎo)體材料。 A．纖鋅礦型；B. 閃鋅礦型；C. 六方對稱性；；；F. 直接帶隙27. 同一種施主雜質(zhì)摻入甲、乙兩種半導(dǎo)體，如果甲的相對介電常數(shù)εr是乙的3/4，m*/m0是乙的2倍，那么用類氫模型計算結(jié)果是（ D ）。 ，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的3/4，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的32/9 ，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的8/3 ，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的3/8 28. 一塊半導(dǎo)體壽命τ=15μs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（ C ）。； ； ； 29. 對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni /NDNA/ 時，半導(dǎo)體具有 （ B ） 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。 A. 非本征 ，非簡并Si中電子擴(kuò)散系數(shù)Dｎ與ＮＤ有如下圖 （C ） 所示的最恰當(dāng)?shù)囊蕾囮P(guān)系，在一定的溫度下，當(dāng)摻入的濃度增加時，費(fèi)米能級向（ A ）移動；當(dāng)摻雜濃度一定時，溫度從室溫逐步增加，費(fèi)米能級向( C )移動。 ； ； ； D. EF 32. 把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（ D ）。 ； ； ； 。 33. 對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（ C ）。 ； ； ； 。 34. 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（ B ）。 ，變小 ； ，變大； ，變小； ，變大。 35. 如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（ B ）空穴的俘獲率，它是（ D ）。 ； ； ； ； E. 有效陷阱。 （ C ）。 A. 金剛石型和直接禁帶型 B. 閃鋅礦型和直接禁帶型C. 金剛石型和間接禁帶型 D. 閃鋅礦型和間接禁帶型 37. 簡并半導(dǎo)體是指（ A ）的半導(dǎo)體。 A、(ECEF)或(EFEV)≤0 B、能使用玻耳茲曼近似計算載流子濃度 C、(ECEF)或(EFEV)≥0 D、導(dǎo)帶底和價帶頂能容納多個狀態(tài)相同的電子 38. 在某半導(dǎo)體摻入硼的濃度為1014cm3, 磷為1015 cm3，則該半導(dǎo)體為（ B ）半導(dǎo)體；其有效雜質(zhì)濃度約為（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1015cm3, E. 91014cm3 ，其電子濃度與空穴濃度的乘積為（ B ），并且該乘積和（E、F ）有關(guān)，而與（ C、D ）無關(guān)。 A、變化量； B、常數(shù)； C、雜質(zhì)濃度； D、雜質(zhì)類型；E、禁帶寬度； F、溫度 40. 在一定溫度下，對一非簡并n型半導(dǎo)體材料，減少摻雜濃度，會使得（ C ）靠近中間能級Ei； 如果增加摻雜濃度，有可能使得（ C ）進(jìn)入（ A ），實(shí)現(xiàn)重?fù)诫s成為簡并半導(dǎo)體。 A、EC； B、EV； C、EF； D、Eg；
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