半導(dǎo)體二極管及整流電路-文庫(kù)吧
2025-01-03 17:25 本頁(yè)面
【正文】 內(nèi)電場(chǎng)方向 E 外電場(chǎng)方向 R I 2. PN 結(jié)的單向?qū)щ娦? P 區(qū) N 區(qū) 外電場(chǎng)驅(qū)使 P區(qū)的空穴進(jìn)入空間 電荷區(qū)抵消一部分負(fù)空間電荷 N區(qū)電子進(jìn)入空間電荷區(qū) 抵消一部分正空間電荷 空間電荷區(qū)變窄 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形 成較大的正向電流 （ 1） 外加正向電壓 P 區(qū) N 區(qū) 內(nèi)電場(chǎng)方向 E R 空間電荷區(qū)變寬 外電場(chǎng)方向 IR （ 2） 外加反向電壓 外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走 少數(shù)載流子越過(guò) PN結(jié)形成很小的反向電流 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)難于進(jìn)行 空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子又稱耗盡層。 空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 的進(jìn)行。（擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)為多子形成的運(yùn)動(dòng)） 少子 數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴? 正向偏置 ： P區(qū)加正、 N區(qū)加負(fù)電壓 多子運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)， PN結(jié)導(dǎo)通 反向偏置： P區(qū)加負(fù)、 N區(qū)加正電壓 少子運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)， PN結(jié)截止 結(jié)論 正極引線 觸絲 N型鍺 支架 外殼 負(fù)極引線 點(diǎn)接觸型二極管 二極管的符號(hào) 正極 負(fù)極 三、 半導(dǎo)體二極管 正極引線 二氧化硅保護(hù)層 P型區(qū) 負(fù)極引線 面接觸型二極管 N型硅 PN結(jié) PN結(jié) 二極管的型號(hào) ? 例如： 2 C K 18 ? 序號(hào) ? （ K開(kāi)關(guān)、 W穩(wěn)壓、 Z ? 功能 整流、 P檢波） ? （ A、 B鍺） ? 材料 （ C、 D硅） ? 二極管 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。 反向擊穿電壓 U(BR) 小結(jié)： （ 1）二極管正向電壓很 小時(shí)，有死區(qū)。 （ 2）二極管正向?qū)〞r(shí) 管壓降基本固定。 導(dǎo)通電阻很小。 （ 3）二極管反向截止時(shí)， 反向電流很小，并 幾乎不變，稱反向 飽和電流。 （ 4）反向電壓加大到一 定程度二極管反向 擊穿。 （ 1）最大整流電流 IOM 二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。 （ 2）反向擊穿電壓 UBR 二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過(guò)熱而燒壞。手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓 URM一般是UBR的一半。 （ 3）最大反向電流 IRM 指二極管加最大反向工作電壓時(shí)的反向電流。反向電流大，說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。 以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦园ㄕ?、限幅、保護(hù)等 例 1. 試求下列電路中的電流。（二極管為硅管） 二極管為非線性元件在分析計(jì)算時(shí)和以往線性元件不同下面我們以例子說(shuō)明。 、應(yīng)用舉例 二極管的 應(yīng)用范圍很廣 ,它可用與整流、檢波、限幅、
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