cb流程-圖形電鍍蝕刻-文庫吧
2025-04-23 07:21 本頁面
【正文】 操作溫度：室溫、退鍍時(shí)間：58min 去除電鍍夾具上的鍍銅 流程詳解 ※ 除油 （ Acid Clean) 流程目的：清潔銅面，去除上工序的 殘膜及人手接觸后的指印等油性污垢（使 用酸性溶液，以免使干膜受損） 。 主要成分： Acid Cleaner ACD(ATO) 操作溫度： 2832 ℃ 處理時(shí)間： 35min 流程詳解 ※ 微蝕 （ Micro Etch) 流程目的： 除去 銅 面上的氧化物 ,粗化 銅面， 提高 鍍層結(jié)合力 。 主要成分：過硫酸鈉、硫酸 操作溫度： 2428℃ 處理時(shí)間： 12min 流程詳解 ※ 鍍銅預(yù)浸 （ Predip for Cu Plate) 流程目的：用稀硫酸除去銅表面的輕微 氧化；維持鍍銅缸之酸度，減小鍍銅缸成 份的變化。 主要成分：硫酸 操作溫度：室溫 處理時(shí)間： 流程詳解 ※ 鍍銅 （ Copper Plate) 流程目的：在酸性硫酸銅鍍液中，銅離 子不斷的得電子被還原為金屬銅，沉積在 板面及鍍銅孔內(nèi)，直至達(dá)到所需的厚度。 主要成分：硫酸、硫酸銅、氯離子、
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