【正文】 ELIA TECH公司董事長吳之植先生是韓國電子部品研究院研究員，擔(dān)任深港韓國電子商會會長（該會成員多達(dá) 100多家）。本項目韓國方面組織了具有國際大公司背景和 6″、 8″生產(chǎn)線建設(shè)與運營經(jīng)驗的技術(shù)團(tuán)隊，團(tuán)隊成員分別具有 IBM公司、 AMD公司、三星電子、現(xiàn)代半導(dǎo)體公司、韓國電子部品研究院（ KETI）和韓國電子通訊研究院（ ETKI）等國際大公司或知名院所的工作背景和經(jīng)歷，這為本項目實施提供了強(qiáng)有力的保障。 (3)本項目生產(chǎn)線建設(shè)的一大特點是采用與技術(shù)引進(jìn)相結(jié)合的整條線成套設(shè)備引進(jìn)的方式，這使得相應(yīng)的服務(wù)、維修及備件供應(yīng)有保障，這對本項目生產(chǎn)線能夠長期穩(wěn)定、可靠的運行極為重要，對本項目實施極為有利。 可行性研究報告編制依據(jù) 國務(wù)院 20xx 年《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（國發(fā)［ 20xx］ 18 號 文）以及 20xx 年《國務(wù)院辦公廳關(guān)于進(jìn)一步完善軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策有關(guān)問題的復(fù)函》。政策規(guī)定鼓勵發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，并提出多項優(yōu)惠政策 。 國家發(fā)展計劃委員會和科學(xué)技術(shù)部 1999 年 7 月頒發(fā)的《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點領(lǐng)域指南》第 34 條規(guī)定，集成電路是信息化產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。集成電路產(chǎn)業(yè)包括電路設(shè)計、芯片制造、電路封裝、測試等，需重點發(fā)展。 《外商投資產(chǎn)業(yè)指導(dǎo)目錄》 20xx 年版 條鼓勵“集成電路設(shè)計與線寬 微米及以下大規(guī)模集成電路生產(chǎn)”。 深圳市高科實業(yè) 有限公司與 ELIA TECH（亞洲）集團(tuán)有限公司深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 6 關(guān)于在深圳市成立合資公司的協(xié)議書。 深圳市政府關(guān)于建設(shè)超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)項目優(yōu)惠政策的相關(guān)文件 。 深圳市 高科實業(yè) 有限公司和 ELIA TECH公司提供的基礎(chǔ)資料 。 信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院基礎(chǔ)資料 。 深圳 市高科實業(yè)有限公司 委托信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院有限公司編制該項目可行性研究報告的協(xié)議 研究結(jié)果 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 本項目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)見表 1－ 2。 表 1－ 2 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 序號 名 稱 單 位 數(shù) 據(jù) 備注 1 生產(chǎn)規(guī)模 片 /月 5000 達(dá)產(chǎn)年 6″ SiGe HBT芯片 片 /月 1500 達(dá)產(chǎn)年 6″ SiGe VCO芯片 片 /月 3500 達(dá)產(chǎn)年 2 年銷售收入 萬美元 達(dá)產(chǎn)年平均 3 固定資產(chǎn)總投資 萬美元 4 職工人員 人 104 5 用地面積 m2 20xx00 其中一期 116000 6 新建建筑面積 m2 26600 7 新增生產(chǎn)設(shè)備、儀器數(shù)量 臺 (套 ) 51 8 變壓器裝設(shè)容量 KVA 5000 9 自來水消耗量 t/d 2460 10 主要動力消耗 工藝循環(huán)冷卻水消耗用量 m3/h 150 氮氣 (GN2)消耗量 m3/h 450 工藝氮氣 (PN2)消耗量 m3/h 200 工藝氧氣 (PO2)消耗量 m3/h 9 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 7 序號 名 稱 單 位 數(shù) 據(jù) 備注 工藝氫氣 (PH2)消耗量 m3/h 4 工藝氬氣 (Ar)消耗量 m3/h 4 壓縮空氣 (CDA)消耗量 m3/h 520 高純水系統(tǒng) m3/d 600 冷凍水 (CHW) KW 4600 11 達(dá)產(chǎn)年利潤 萬美元 12 銷售稅金及附加 萬美元 13 總投資回收期 年 含建設(shè)期 14 財務(wù)內(nèi)部收益率 % 稅后 15 總投資利潤率 % 16 銷售利潤率 % 17 盈虧平衡點 % 生產(chǎn)能力計算 18 貸款償還期 年 含建設(shè)期 研究結(jié)論 — 該項目是 6″、 m SiGe集成電路芯片生產(chǎn)線項目 ， SiGe HBT是一種新型的超高頻半導(dǎo)體器件，近年來已成為集成電路技術(shù)發(fā)展的一 個熱點，得到了日益廣泛的應(yīng)用， 產(chǎn)品方向符合國家產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向，是國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)目錄指導(dǎo)發(fā)展產(chǎn)品和國家 20xx年度鼓勵外商投資產(chǎn)品。 — 本項目的實施對 填補(bǔ)我國 SiGe高頻器件生產(chǎn)的空白，推動我國SiGe集成電路生產(chǎn)趕上國際先進(jìn)水平具有重要意義。 — 目前 SiGe產(chǎn)品種類 不多，生 產(chǎn)量 也少，但 從 其 應(yīng)用 用途分析，一般 推測 其 未來發(fā)展空間 甚大， 根據(jù) ITIS及 IC Insight資料， SiGe半導(dǎo)體 1999年 市場規(guī)模約為 美元， 預(yù)測 至 20xx年 將 有 9億 美元的市值，年平均 增長 104%，產(chǎn)品具有廣闊的市場前景。 — SiGe 集成電路的市場雖然發(fā)展十分迅速，但對本項目而言仍有一個逐步開拓的過程，因此，本項目確定的生產(chǎn)規(guī)模（月投 5000深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 8 片）是合適的。 — 同時為進(jìn)一步減小市場風(fēng)險，本項目考慮在投產(chǎn)初期，利用生產(chǎn)線的部分生產(chǎn)能力，進(jìn)行工藝兼容、市場成熟的硅 MOS功率器件與集成電路的生產(chǎn)，項目初期產(chǎn)品是采取定向委托加工方式，產(chǎn)品市場有保障。 — 本項目設(shè)備配置采用翻新設(shè)備，以很低的投資建立起一條有一定規(guī)模的 6英寸鍺硅生產(chǎn)線，產(chǎn)品技術(shù)含量高。同時減少了投資風(fēng)險，降低運營成本和費用。 — 根據(jù)高科公司與 ELIA TECH公司簽訂的合資 協(xié)議，生產(chǎn)技術(shù)由ELIA TECH公司負(fù)責(zé)提供，并作為韓方的技術(shù)入股， 項目實施具有技術(shù)保障。 — ELIA TECH公司組織了具有國際大公司背景和 6″、 8″生產(chǎn)線建設(shè)與運營經(jīng)驗的技術(shù)團(tuán)隊。團(tuán)隊成員分別有 IBM、 AMD、三星電子、現(xiàn)代公司、韓國電子部品研究院和韓國電子通訊研究院等國際大公司或知名院所的工作背景，是本項目建設(shè)運營的有力支撐。 — 該項目投資回收期 、財務(wù)內(nèi)部收益率 %、總投資利潤率 %、銷售利潤率 %，盈虧平衡點 %。項目具 有良好的投資效 益和抗風(fēng)險能力。 綜上所述，項目建設(shè)是可行的。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 9 第二章 投資方簡介 深圳市高科實業(yè)有限公司 公司概況 深圳市高科實業(yè)有限公司是于 20xx 年 12 月 29 日成立的有限責(zé)任公司，公司注冊資本為 10800 萬元。本公司的股東為中國高科集團(tuán)股份有限公司 (以下簡稱 :中國高科 )和上海高科聯(lián)合生物技術(shù)研發(fā)有限公司 (以下簡稱 :高科生物 )。中國高科占本公司注冊資本的%，高科生物占 %。公司的經(jīng)營范圍是：興辦實業(yè)；電子通訊產(chǎn)品及智能系統(tǒng)等相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā) 、銷售；國內(nèi)商業(yè)、物資供銷業(yè)；經(jīng)營進(jìn)出口業(yè) 務(wù)。 20xx 年，公司實現(xiàn)主營收入 億元，實現(xiàn)凈利潤 3600 萬元 。目前，公司的總資產(chǎn)已超過 5 億元人民幣，凈資產(chǎn)為 億元人民幣。 股東背景 中國高科是由國內(nèi)眾多知名高校共同發(fā)起設(shè)立并于 1996 年 7 月在上海證券交易所上市的股份有限公司（證券代碼為 600730）。 20xx年底，中國高科注冊資本 17460 萬元，總資產(chǎn)達(dá) 135554 萬元，凈資產(chǎn) 37015 萬元。高科生物是由中國高科控股的有限責(zé)任公司（中國高科占 %），公司的注冊資本為人民幣 15000 萬元，主要從事新型生物化學(xué)藥物系列 、新型藥物制 劑、基因工程藥物、新型衛(wèi)生材料等新型藥品的研發(fā)、新藥項目的技術(shù)轉(zhuǎn)讓。 下屬企業(yè)介紹 高科公司自成立以來，在中國高科的支持下，積極進(jìn)行資本運作。截止 20xx 年底，公司控股和參股的企業(yè)已達(dá) 7 家。他們分別是深圳市高科智能系統(tǒng)有限公司（占注冊資本的 51%）、深圳仁銳實業(yè)有限公司（占注冊資本的 75%）、深圳市高科新世紀(jì)貿(mào)易有限公司（占注冊資本的 65%）、深圳市高科通訊電子有限公司（占注冊資本的 40%）、深深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 10 圳市華動飛天網(wǎng)絡(luò)技術(shù)開發(fā)有限公司（占注冊資本的 32%）、深圳市金開利環(huán)境科技有限公司（占注冊資本的 60%）、深圳市星倫網(wǎng)絡(luò)科技有限公司（占注冊資本的 84%）。 ELIA TECH（亞洲）集團(tuán)有限公司 EliA Tech Asia Holdings Co., 20xx 年 12 月 22 日在香港注冊成立，注冊地址： FLAT/RM N 9/F INTERNATIONAL INDUSTRIAL CTR 28 KWEI TEI STREET FO TAN SHA TIN , HK。 公司一直致力于電子通信領(lǐng)域的發(fā)展，并與韓國電子部品研究院（ KETI）、韓國電子通信研究院（ ETRI）、 NEXSO等研究機(jī)構(gòu) 、公司進(jìn)行了多方面的合作。 20xx 年 5 月：公司與韓國電子部品研究院（ KETI）簽署了“中國技術(shù)合作戰(zhàn)略伙伴”協(xié)議，內(nèi)容涉及 OLED驅(qū)動芯片、 OLED panel、無機(jī) EL制造技術(shù)、 LOCOS驅(qū)動芯片等。目前，于 20xx 年 1 月 16 日在與 韓國 SoC風(fēng)險 企 業(yè) (eMDT, Wisdom)和 韓國 電 子部品 研 究院 （ KETI）業(yè) 共同投 資 成立 “深圳華韓集成電路科技有限公司”。 20xx 年 6 月，在深圳投資注冊了以利亞電子科技（深圳）有限公司。主要從事 OLED有機(jī)電致發(fā)光材料、屏板（ panel）、驅(qū)動 IC、批量生產(chǎn)生產(chǎn)工藝流 程及設(shè)備的高科技公司，并與韓國電子部品研究院（ KETI）建立 了 OLED的 技術(shù)合作關(guān)系。 20xx 年 1 月 2 日與韓國電子通訊研究院（ ETRI）簽署了“ SiGe技術(shù)轉(zhuǎn)移合同”，技術(shù)內(nèi)容涉及 SiGe HBT工藝、 SiGe集成電路制造等有關(guān)的技術(shù)專利 100 多項。 公司將繼續(xù)在半導(dǎo)體、芯片設(shè)計等領(lǐng)域發(fā)展，并將韓國的先進(jìn)技術(shù)繼續(xù)引進(jìn)到中國，與本地的技術(shù)融合，愿成為中、韓技術(shù)交流的一個橋梁。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 11 第三章 該產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外發(fā)展情況 項目主要產(chǎn)品 SiGe 器件的特點是利用廉價的硅基片同硅集成電路兼容的加工 工藝生產(chǎn)新型的高頻器件及電路，器件和電路產(chǎn)品的應(yīng)用目前主要集中在 2GHz 到 10 GHz 的范圍內(nèi)，并可能擴(kuò)展到 40GHz以上，圖 31 示出 SiGe 器件的可能應(yīng)用范圍。 圖 31 SiGe 器件應(yīng)用范圍 如果將其應(yīng)用具體化，至少可以舉出以下一些射頻應(yīng)用領(lǐng)域的例子： 蜂窩電話和 PCS 電話 接收器用低噪聲放大器（ GSM、 DCS、 PCS、 CDMA） 發(fā)送器用功率放大器（ GSM、 PCS、 CDMA、 AHPS） 壓控振蕩器（每個發(fā)送 /接收裝置的基本部件） 廉價的 碰撞報警雷達(dá)系統(tǒng) 1GHz 以上的單片 無線話音和數(shù)據(jù)電話系統(tǒng) 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 12 數(shù)據(jù)采集，直接－基帶無線接收器和信號合成專用高速模數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)模轉(zhuǎn)換器 廉價高可靠的全球定位（ GPS）接收器 互動式電視 早期高頻無線應(yīng)用的電路例如混頻器、調(diào)制解調(diào)器和壓控振蕩器等都是用硅雙極技術(shù)設(shè)計的，同時功率放大器和低噪聲放大器等前端電路主要用 GaAs 技術(shù)設(shè)計。隨著應(yīng)用要求的頻率提高，硅雙極器件已力不從心，因而 GaAs 便逐漸成為高頻應(yīng)用的主流。這主要是因為GaAs 材料具有高的電子遷移率及快的漂移速度，因而適用于制作高頻器件，但是 GaAs 存在諸多缺點，例如 GaAs 單晶材料制備工 藝復(fù)雜因而價格昂貴； GaAs 材料的機(jī)械強(qiáng)度低，晶片易碎尺寸做不大；GaAs 的熱導(dǎo)率低因而散熱不良； GaAs 器件工藝同硅器件工藝不具有兼容性等。這些缺點限制了 GaAs 器件的發(fā)展，特別限制了器件的大規(guī)模生產(chǎn)。 具有優(yōu)良特性的 SiGe 技術(shù)（見表 31）正在掃除上述障礙，并有可能開發(fā)出一種集成的高頻無線電路，例如可以將壓控振蕩器、功率放大器及低頻噪聲放大器集成在一起，構(gòu)成完整的無線前端產(chǎn)品。 除此以外， SiGe 技術(shù)可以將 BiCMOS 電路集成在一起，形成速度、功耗、性能、集成度和成本最佳組合的系統(tǒng)集成芯片，從而完成更 加復(fù)雜的功能，這樣的芯片可直接用于先進(jìn)的無線通信產(chǎn)品中，例如用于第二代、第三代手機(jī)及寬帶局域網(wǎng)（ WLAN）中。毫不夸張，SiGe 器件的應(yīng)用及開發(fā)，將使微電子學(xué)在通信領(lǐng)域中參數(shù)一次新的飛躍，具有十分重要的意義。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 13 表 31 Si 器件、 SiGe HBT 和 GaAs HBT 特性的比較 器件 fT(GHz) 室溫增益 低溫增益 同 Si工藝兼容性 規(guī)模生產(chǎn)性 芯片成本 目前工藝水平 (μ m) Si 60 中 下降 易 低 SiGe 210 高 上升 好 易 中 GaAs 160 低 上升 劣 一般 高 注： SiGe HBT 的 fT據(jù)報道已達(dá) 360GHz 本項目投產(chǎn)的初期以生產(chǎn) SiGe HBT 及壓控振蕩器（ VCO）為主，它是 SiGe 的基礎(chǔ)產(chǎn)品同時又是有廣闊市