【正文】 ??????? 66 流動(dòng)資金估算??????????????????? 68 項(xiàng)目總投資???????????????????? 68 資金籌措????????????????????? 68 第十二章 經(jīng)濟(jì)分析 ??????????????????? 69 基本數(shù)據(jù)?? ??????????????????? 69 財(cái)務(wù)評價(jià)????????????????????? 71 經(jīng)濟(jì)評價(jià)結(jié)果????????????????? 72 綜合評價(jià)????????????????????? 73 附表： 總投資估算表 流動(dòng)資金估算表 投資計(jì)劃與資金籌措表 總成本費(fèi)用估算表 損益表 現(xiàn)金流量表（全部投資） 貸款還本付息計(jì)算表 資金來源與運(yùn)用表 銷售收入及稅金計(jì)算表 附圖： 區(qū)域位置圖（ 1） 區(qū)域位置圖（ 2） 總平面圖 一層工藝區(qū)劃圖 二層工藝區(qū)劃圖 附件： 深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 1 第一章 總論 項(xiàng)目名稱與通信地址 項(xiàng)目名稱： 6″、 m SiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 承辦單位：深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 法人代表：冉茂平 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：方中華 通信地址：深圳市深南中路中航苑航都大廈 17樓 郵政編碼： 518041 傳 真： 075583793632 電 話： 075583790680 內(nèi)容提要 由深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司（以下簡稱高科公司）作為中方投資公司與 ELIA TECH（亞洲） 集團(tuán)有限公司（以下簡稱 ELIA TECH公司）在深圳合資組建一家合資企業(yè)，共同投資興建 6″、 m SiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目，主要產(chǎn)品包括 SiGe芯片和普通 Si功率MOS器件芯片，形成月投片量 5000片的生產(chǎn)能力。 項(xiàng)目建設(shè)的必要性和 有利條件 本項(xiàng)目旨在建立一條 6” m SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線同 Si 集成電路具有兼容性，因此該生產(chǎn)線除了可以生產(chǎn) SiGe器件以外，也可以根據(jù)市場需求生產(chǎn)其它 Si 器件。 （ 3）拓寬我國微電子產(chǎn)品的領(lǐng)域，形成我國 SiGe 集成電 路生產(chǎn)及研發(fā)基地。在高頻應(yīng)用的電路中，由于采購困難更限制了相關(guān)電子產(chǎn)品的發(fā)展。 (2) 本項(xiàng)目合作方 ELIA TECH公司充分提供工藝技術(shù)、人員培訓(xùn)、工藝設(shè)備維護(hù)以及具有豐富經(jīng)驗(yàn)的集成電路生產(chǎn)管理技術(shù)團(tuán)隊(duì)支持。 《外商投資產(chǎn)業(yè)指導(dǎo)目錄》 20xx 年版 條鼓勵(lì)“集成電路設(shè)計(jì)與線寬 微米及以下大規(guī)模集成電路生產(chǎn)”。 6″ SiGe VCO芯片 片 /月 3500 達(dá)產(chǎn)年 2 年銷售收入 萬美元 達(dá)產(chǎn)年平均 3 固定資產(chǎn)總投資 萬美元 4 職工人員 人 104 5 用地面積 m2 20xx00 其中一期 116000 6 新建建筑面積 m2 26600 7 新增生產(chǎn)設(shè)備、儀器數(shù)量 臺(tái) (套 ) 51 8 變壓器裝設(shè)容量 KVA 5000 9 自來水消耗量 t/d 2460 10 主要?jiǎng)恿ο? 工藝循環(huán)冷卻水消耗用量 m3/h 150 氮?dú)?(GN2)消耗量 m3/h 450 工藝氮?dú)?(PN2)消耗量 m3/h 200 工藝氧氣 (PO2)消耗量 m3/h 9 深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 7 序號 名 稱 單 位 數(shù) 據(jù) 備注 工藝氫氣 (PH2)消耗量 m3/h 4 工藝氬氣 (Ar)消耗量 m3/h 4 壓縮空氣 (CDA)消耗量 m3/h 520 高純水系統(tǒng) m3/d 600 冷凍水 (CHW) KW 4600 11 達(dá)產(chǎn)年利潤 萬美元 12 銷售稅金及附加 萬美元 13 總投資回收期 年 含建設(shè)期 14 財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率 % 稅后 15 總投資利潤率 % 16 銷售利潤率 % 17 盈虧平衡點(diǎn) % 生產(chǎn)能力計(jì)算 18 貸款償還期 年 含建設(shè)期 研究結(jié)論 — 該項(xiàng)目是 6″、 m SiGe集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 ， SiGe HBT是一種新型的超高頻半導(dǎo)體器件，近年來已成為集成電路技術(shù)發(fā)展的一 個(gè)熱點(diǎn)，得到了日益廣泛的應(yīng)用， 產(chǎn)品方向符合國家產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向，是國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)目錄指導(dǎo)發(fā)展產(chǎn)品和國家 20xx年度鼓勵(lì)外商投資產(chǎn)品。 — ELIA TECH公司組織了具有國際大公司背景和 6″、 8″生產(chǎn)線建設(shè)與運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。公司的經(jīng)營范圍是：興辦實(shí)業(yè)；電子通訊產(chǎn)品及智能系統(tǒng)等相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā) 、銷售；國內(nèi)商業(yè)、物資供銷業(yè)；經(jīng)營進(jìn)出口業(yè) 務(wù)。他們分別是深圳市高科智能系統(tǒng)有限公司（占注冊資本的 51%）、深圳仁銳實(shí)業(yè)有限公司（占注冊資本的 75%）、深圳市高科新世紀(jì)貿(mào)易有限公司（占注冊資本的 65%）、深圳市高科通訊電子有限公司（占注冊資本的 40%）、深深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 10 圳市華動(dòng)飛天網(wǎng)絡(luò)技術(shù)開發(fā)有限公司（占注冊資本的 32%）、深圳市金開利環(huán)境科技有限公司（占注冊資本的 60%）、深圳市星倫網(wǎng)絡(luò)科技有限公司（占注冊資本的 84%）。 公司將繼續(xù)在半導(dǎo)體、芯片設(shè)計(jì)等領(lǐng)域發(fā)展，并將韓國的先進(jìn)技術(shù)繼續(xù)引進(jìn)到中國，與本地的技術(shù)融合，愿成為中、韓技術(shù)交流的一個(gè)橋梁。 1GHz 以上的單片 無線話音和數(shù)據(jù)電話系統(tǒng) 深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 12 除此以外， SiGe 技術(shù)可以將 BiCMOS 電路集成在一起，形成速度、功耗、性能、集成度和成本最佳組合的系統(tǒng)集成芯片，從而完成更 加復(fù)雜的功能，這樣的芯片可直接用于先進(jìn)的無線通信產(chǎn)品中，例如用于第二代、第三代手機(jī)及寬帶局域網(wǎng)（ WLAN）中。 表 33 SiGe HBT 的研究水平 器件結(jié)構(gòu) SiGe 生長方法 增益β 發(fā)射極面積 （μ m2） fT/fmax (GHz) 實(shí)驗(yàn)室 雙臺(tái)面 MBE 9～ 200 2 8 30/160 Dailer Benz 雙多晶自對準(zhǔn) UHV/CVD 113 48/69 IBM 雙多晶自對準(zhǔn) UHV/CVD 45000 154/－ Hitachi 雙多晶自對準(zhǔn) UHV/CVD 300 1 76/180 Hitachi 近年來器件水平又有很大提高，最近報(bào)導(dǎo)的 SiGe HBT fT 達(dá)360GHz， SiGe 器件商業(yè)生產(chǎn)水平的 fT 和 fmax分別在 30GHz 和 60GHz左右，采用的工藝水平 為 1～ m 工藝。 關(guān)于功率 MOS 器件，從工藝上來說已相對成熟，作為分立器件～ m 的加工水平已能滿足，采用英寸片加工功率 MOS 器件也是適當(dāng)?shù)倪x擇，另一 方面 MOS 功率器件的一個(gè)發(fā)展方向是將控制電路集成在一起的“功率智能集成”芯片，有了功率 MOS 技術(shù)基礎(chǔ)，生產(chǎn)線可以根據(jù)市場需要進(jìn)行考慮。國內(nèi)手機(jī)廠商眾多，目前都力圖開發(fā)自己的品牌，在手機(jī)無線集成電路方面也在積極尋找合作伙伴。目前 SiGe 器件使用最多的領(lǐng)域是 SONET 及無線電話，它們是首先帶動(dòng) SiGe 器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的動(dòng)力。因此本項(xiàng)目生產(chǎn)線的建立將是國內(nèi) SiGe 器件產(chǎn)業(yè)化的開始。芯片尺 寸 用于無線手機(jī)及寬帶局域網(wǎng)等 代加工， 6 英寸晶圓片 功率 MOS 器件 采用外延硅襯底片，以及 VDMOS 和LDMOS 結(jié)構(gòu) 用于節(jié)能，汽車電子，電源變換器等 代加工， 6 英寸晶圓片 產(chǎn)品簡介 SiGe HBT 圖 41 示 出 SiGe HBT 的結(jié)構(gòu)，采用低價(jià)格及高成品率達(dá)減壓CVD 工藝制備 SiGe 外延層，同時(shí)利用自對準(zhǔn) Ti 自對準(zhǔn)硅化物（ TiSi2）形成本征基區(qū)，發(fā)射極和集電極，工藝同 CMOS 兼容，共用掩模 17塊。如果產(chǎn)品用于手機(jī)，并且每個(gè)手機(jī)用 2 只SiGe HBT 及一只 SiGe VCO。 它為本 項(xiàng)目提供的 SiGe 集成電路技術(shù)，主要來源于以下韓國的研究所和公司： ① ETRI(Electronics and Telemunication Research Institute of Korea)韓國電子通信研究院。研究領(lǐng)域包括單片集成系統(tǒng)、光通信、微電子機(jī)械、顯示技術(shù)、下一代 TV、無線通訊、手機(jī)核心技術(shù)等。目前同中國有 4 個(gè)項(xiàng)目（一條6 英寸硅加工線，三條 8 英寸硅加工 線）正在進(jìn)行洽談或簽訂合同中。64 年起，在中科院半導(dǎo)體研究所從事 MOSFET 及 JFET 的研究工作，是我國最早試制成功 MOSFET 及低噪聲 JFET 研究小組的主要成員。 1993 年，赴香港科技大學(xué)微電子制造中心在其二期工程建設(shè)中做顧問。 按照世界上半導(dǎo)體 Foundry 生產(chǎn)的慣例，芯片生產(chǎn)所需掩模版通常是由委托加工的客戶提供芯片的版圖數(shù)據(jù)文件，而由加工線（ Foundry）負(fù)責(zé)委托專業(yè)的制版廠制作所需的掩模版。國內(nèi)采購不到的，由韓方負(fù)責(zé)采購解決。再考慮到設(shè)備不可避免得故障率和維修時(shí)間，為了避免因設(shè)備故障導(dǎo)致生產(chǎn)流水間斷而造成巨大損失，設(shè)備的配置應(yīng)盡量避免單臺(tái)運(yùn)行。但也有另外一種經(jīng)營模式，就是芯片生產(chǎn)廠直接以硅圓片的形式銷售芯片，而由專業(yè)的半導(dǎo)體器件和集深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 33 成電路公司（ Fabless Company）進(jìn) 行芯片的封裝和產(chǎn)品的銷售。 設(shè)備配置 技術(shù)能力定位為 微米 本項(xiàng)目投產(chǎn)初期的主要產(chǎn)品都是 微米的。 深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 34 三是多數(shù)的耐用設(shè)備經(jīng)好的翻新設(shè)備公司翻新，也能達(dá)到很好的質(zhì)量水平。 一期工程中暫不考慮建立產(chǎn)品設(shè)計(jì) CAD 和產(chǎn)品測試分析環(huán)節(jié) 主要理由已在前面 節(jié)中關(guān)于本項(xiàng)目完全采用芯片代加工經(jīng)營模式和第五章 節(jié)關(guān)于本代工線與客戶協(xié)作關(guān)系的分析中做了闡述，這里不再重復(fù)。 鍺硅異質(zhì)結(jié)晶體管（ HBT）是一種新型的超高頻（或稱微波）半導(dǎo)體器件，主要工作頻段為 1～ 10GHz（千兆赫）。 深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 39 一期工程規(guī)劃用地 116000 m2（包括研發(fā)中心用地 20xx0 m2），二期工程規(guī)劃用地 84000 m2，總用地 20xx00 m2。 購置生產(chǎn)能力為月投 6 英寸硅片 5000 片的 MOS 芯片生產(chǎn)線翻新設(shè)備，經(jīng)翻新和部分設(shè)備改造（主要是 SiGe 外延設(shè)備），形成SiGe 集成電路與功率 MOS 器件兼容的芯片生產(chǎn)線。 為此，需要建設(shè)一個(gè)相應(yīng)的 SiGe集成電路研發(fā)中心。 深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 38 第七章 工程建設(shè)方案 建設(shè)目標(biāo)與建設(shè)內(nèi)容 建設(shè)目標(biāo) 本項(xiàng)目的目標(biāo)是建設(shè)一條 6英寸， SiGe（鍺硅）集成電路芯片加工生產(chǎn)線。 本項(xiàng)目負(fù)責(zé)設(shè)備安裝、調(diào)試與技術(shù)轉(zhuǎn)移動(dòng) Nexso 公司是個(gè)很好的翻新設(shè)備公司，同時(shí)也從事新工藝設(shè)備的開發(fā)，有較強(qiáng)的技術(shù)力量，于很多家著名半 導(dǎo)體設(shè)備公司有固定的聯(lián)系。因此，本項(xiàng)目所需設(shè)備，很多種根本就是買不到新的?？紤]到本項(xiàng)目投資和技術(shù)基礎(chǔ)都比較有限，而合資公司的韓方又與多家專業(yè)的半導(dǎo)體器件和集成電路公司有非常緊密的聯(lián)系。因此，所生產(chǎn)的產(chǎn)品是自有的，不屬于承接委托加工。這是因?yàn)榘雽?dǎo)體的生產(chǎn)所需設(shè)備種類繁多，不同設(shè)備的產(chǎn)能相差很大，價(jià)格又十分昂貴。但加工線通常也具備一定的產(chǎn)品測試能力，以便與客戶協(xié)調(diào)對加工質(zhì)量的評估與分析，解決可能產(chǎn)生的矛盾，促進(jìn)產(chǎn)品質(zhì)量與成品率達(dá)提高，但同樣考慮到本項(xiàng)目委托加工的主要客戶與本項(xiàng)目合資韓方關(guān)系比較密切，對芯片加工工藝與成品質(zhì)量間關(guān)系的分析也可由合資韓方負(fù)責(zé)與客戶協(xié) 作進(jìn)行。 1989 年獲國家教委、人事部授予的全國優(yōu)秀教師稱號； 深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 31 1992 年獲國務(wù)院頒發(fā)有突出貢獻(xiàn)專家稱號。 目前任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，博士生導(dǎo)師，創(chuàng)新重大項(xiàng)目“特種半導(dǎo)體器件及電容”負(fù)責(zé)人，兼任傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員，中國電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成電路分會(huì)專 業(yè)委員會(huì)委員，中國電子學(xué)會(huì)核輻射電子學(xué)與電磁脈沖專業(yè)委員會(huì)委員，中國深圳市高科實(shí)業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目 30 國際工程咨詢公司項(xiàng)目評估專家及科技部“經(jīng)濟(jì)專家委員會(huì)”專家等職、 已發(fā)表專著一本（《 CMOS 集成電路原理、制造及應(yīng)用》， 90 年，電子工業(yè)出版社），合著專著二本，論文 60 余篇，擁有國家發(fā)明專利一項(xiàng)。 （ 2） 1984～ 20xx：三星半導(dǎo)體公司，工藝與設(shè)備高級經(jīng)理 20xx～ 20xx： COSAM 公司 CVD 系統(tǒng)開發(fā)部主任 （ 3） （中文名：柳文熙），現(xiàn)為 Nexso 公司項(xiàng)目部長 1990～ 1998：三星半導(dǎo)體公司，刻蝕部經(jīng)理 1999～ 20xx： Lam Research 韓國公司銷售及淀積 /刻蝕工藝組經(jīng)理 （ 4） 1984～ 20xx：三星半導(dǎo)體公司，擴(kuò)散部經(jīng)理