能源材料ⅱⅵ族多晶薄膜太陽電池材料-文庫吧
2025-04-20 06:00 本頁面
【正文】 學(xué)性質(zhì) CdS薄膜廣泛用于太陽電池 窗口層 ，并作為 n型層與 p型材料形成 pn結(jié) ，對電池轉(zhuǎn)換效率有很大影響。 窗口層對光激發(fā)載流子是死層 。原因是： （ 1） CdS層高度摻雜，耗盡區(qū)只是 CdS厚度的一小部分； （ 2）由于 CdS層內(nèi)缺陷密度較高，使空穴擴(kuò)散長度非常短，如果耗盡區(qū)沒有電場，載流子收集無效。 3）電學(xué)性質(zhì) 本征 CdS薄膜的串聯(lián)電阻很高，不利于做窗口層。 提高電導(dǎo)率的方法 ： ? 襯底溫度在 300℃ ~350℃ 之間，將 In擴(kuò)散入 CdS中，把本征 CdS變成 nCdS，電導(dǎo)率可提高； ? 對 CdS熱處理也能使電導(dǎo)率增加。 CuInSe2薄膜材料性質(zhì) 1）結(jié)構(gòu)性質(zhì) CuInSe2是一種三元 Ⅰ Ⅲ Ⅵ 族化合物半導(dǎo)體，具有黃銅礦 （ 低溫相，正方晶系）和 閃鋅礦 （ 高溫相、閃鋅礦結(jié)構(gòu)）兩個同素異形的晶體結(jié)構(gòu)。 CuInSe2是直接帶隙半導(dǎo)體材料， 77K時的帶隙為， 300K時為 。 （ ）較為接近，但劣于 CuInS2(Eg=)。 2) 光學(xué)性質(zhì) CuInSe2具有 6╳ 105cm1的吸收系數(shù)，是半導(dǎo)體材料中吸收系數(shù)較大的材料。 CuInSe2的光學(xué)性質(zhì)主要取決于 材料各元素的組分比、各組分的均勻性、結(jié)晶程度、晶格結(jié)構(gòu)及晶界 的影響。 ? 材料元素的組分與化學(xué)計量比偏離越小，結(jié)晶程度越好，元素組分均勻性好，溫度越低，光學(xué)吸收特性越好； ? 具有單一黃銅礦結(jié)構(gòu)的 CuInSe2薄膜的吸收特性好 ； ? 富 Cu薄膜比富 In薄膜的吸收特性好，原因是前者比后者的結(jié)晶程度好； ? 沉積襯底溫度高的富 Cu薄膜比沉積襯底溫度低的薄膜的吸收特性要好 ； ? 室溫下，單晶 CuInSe2的光學(xué)吸收系數(shù)比多晶薄膜的大； ? 吸收特性隨材料工作溫度的下降而下降，帶隙隨溫度的下降而稍有升高。 3）電學(xué)性質(zhì) C
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