單晶硅太陽電池工藝-文庫吧
2025-04-22 11:34 本頁面
【正文】 硅酸鈉。有個別公司不用硅酸鈉。 texturing joe 6 擴散前清洗 ?制絨后會進行擴散制結，在擴散前要進行酸洗，洗去硅片表面附著的金屬離子。主要采用鹽酸溶液，清洗機一般采用捷佳創(chuàng)和北京七星華創(chuàng)的。清洗作業(yè)還要用到 HF溶液，洗去硅片表面上的薄氧化層。硅片經過兩種酸液的清洗順序沒有嚴格要求，一般是先經過 HCl，再經過 HF。 joe 7 diffusion joe 8 diffusion 擴散的主要目的是制作 PN結，在摻硼的 P型硅片上用三氯氧磷進行擴散。三氯氧磷（磷源）呈液態(tài)，放在擴散爐后面，一般源溫為 1825度，通過載氣 N2傳進擴散爐體。三氯氧磷與氧氣在爐內反應生成磷擴散進硅片表面下 ，同時通保護 N2，調節(jié)氣流，保證擴散結的均勻性。 目前大多數(shù)廠商采用中電 48所和北京七星華創(chuàng)的國產擴散爐，國產爐擴散的均勻性不好，氣流量大，爐口密封性不好，常有綠色的偏磷酸生成。國外Centrotherm公司生產的擴散爐也有少數(shù)公司采用，效果很好，缺點是編輯新擴散工藝不方便，要求工藝人員會計算機編程語言才能編寫工藝程序。 以下是我編寫的一個擴散工藝 recipe,采用了小氣流量擴散工藝。 step Time Temperature N2 flow O2 flow source gas 1 loading 15 2 stability 860 10slm 3 oxidation 8min 860 15slm 2slm 4 first diffusion 15min 860 18 1 5 drive in 10
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