單晶硅太陽(yáng)電池工藝-文庫(kù)吧
2025-04-22 11:34 本頁(yè)面
【正文】 硅酸鈉。有個(gè)別公司不用硅酸鈉。 texturing joe 6 擴(kuò)散前清洗 ?制絨后會(huì)進(jìn)行擴(kuò)散制結(jié)，在擴(kuò)散前要進(jìn)行酸洗，洗去硅片表面附著的金屬離子。主要采用鹽酸溶液，清洗機(jī)一般采用捷佳創(chuàng)和北京七星華創(chuàng)的。清洗作業(yè)還要用到 HF溶液，洗去硅片表面上的薄氧化層。硅片經(jīng)過(guò)兩種酸液的清洗順序沒(méi)有嚴(yán)格要求，一般是先經(jīng)過(guò) HCl，再經(jīng)過(guò) HF。 joe 7 diffusion joe 8 diffusion 擴(kuò)散的主要目的是制作 PN結(jié)，在摻硼的 P型硅片上用三氯氧磷進(jìn)行擴(kuò)散。三氯氧磷（磷源）呈液態(tài)，放在擴(kuò)散爐后面，一般源溫為 1825度，通過(guò)載氣 N2傳進(jìn)擴(kuò)散爐體。三氯氧磷與氧氣在爐內(nèi)反應(yīng)生成磷擴(kuò)散進(jìn)硅片表面下 ，同時(shí)通保護(hù) N2，調(diào)節(jié)氣流，保證擴(kuò)散結(jié)的均勻性。 目前大多數(shù)廠商采用中電 48所和北京七星華創(chuàng)的國(guó)產(chǎn)擴(kuò)散爐，國(guó)產(chǎn)爐擴(kuò)散的均勻性不好，氣流量大，爐口密封性不好，常有綠色的偏磷酸生成。國(guó)外Centrotherm公司生產(chǎn)的擴(kuò)散爐也有少數(shù)公司采用，效果很好，缺點(diǎn)是編輯新擴(kuò)散工藝不方便，要求工藝人員會(huì)計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言才能編寫(xiě)工藝程序。 以下是我編寫(xiě)的一個(gè)擴(kuò)散工藝 recipe,采用了小氣流量擴(kuò)散工藝。 step Time Temperature N2 flow O2 flow source gas 1 loading 15 2 stability 860 10slm 3 oxidation 8min 860 15slm 2slm 4 first diffusion 15min 860 18 1 5 drive in 10
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