能源材料ⅱⅵ族多晶薄膜太陽電池材料(完整版)
【正文】 合物半導(dǎo)體薄膜太陽能電池主要類型有 ：CdTe系太陽能電池、 CuInSe2系列太陽能電池、 CdS/CuInSe2太陽能電池 、 GaAs系列太陽能電池、 InP系列太陽能電池。 ? CdTe膜越薄，吸收系數(shù)越高，帶邊與膜厚度無關(guān)； ? 薄膜的吸收系數(shù)與生長溫度有關(guān)； ? 沉積速率增加，薄膜吸收系數(shù)變化不大，且所有薄膜有相同的吸收邊。 2）光學(xué)性質(zhì) CdS薄膜廣泛用于太陽電池 窗口層 ，并作為 n型層與 p型材料形成 pn結(jié) ，對電池轉(zhuǎn)換效率有很大影響。 2) 光學(xué)性質(zhì) CuInSe2具有 6╳ 105cm1的吸收系數(shù)，是半導(dǎo)體材料中吸收系數(shù)較大的材料。 （ 2）當(dāng) Cu/In1時，若 Se/(Cu+In)1，薄膜為 p型，具有中等的電阻率；或薄膜為 n型，具有高的電阻率。 CuInSe2(簡稱 CIS）太陽電池 CIS的結(jié)構(gòu)為 ：光 /金屬柵狀電極 /減反射膜 /窗口層（ ZnO） /過渡層（ CdS） /光吸收層（ CIS）/金屬背電極（ Mo） /襯底（玻璃）。 四、薄膜材料及太陽電池的制備工藝 CdS/CdTe太陽電池的制備方法 主要是 CSS法 。 背接觸電極的最佳制作工藝 ： （ 1）腐蝕產(chǎn)生一富 Te表面，形成高摻雜或簡并p+內(nèi)表面層； （ 2） p型摻雜劑進(jìn)入接觸電極材料； （ 3）熱處理加速接觸電極材料的反應(yīng)和擴散。由于在真空中薄膜的 Se極易蒸發(fā)，使 Se的含量嚴(yán)重不足，導(dǎo)致薄膜偏離化學(xué)計量比。但較易獲得接近化學(xué)計量比的薄膜。 CdS/CdTe太陽電池制備中的主要影響因素 1） CdCl2處理（處理 CdTe層） 目的 ：改善電池的性能，提高器件的輸出特性和均勻性。 問題：為提高性能而降低電池的串聯(lián)電阻有困難；在 CuInSe2上生長低阻的 CdS困難。 三、太陽電池的結(jié)構(gòu)及工作原理 CdTe/CdS太陽電池 以 CdTe作吸收層、 CdS作
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