電子技術及應用第1章-文庫吧
2025-04-19 01:36 本頁面
【正文】 每摻入一個硼原子就相當于向半導體內部注入一個空穴。 雜質半導體導電性能主要由多數(shù)載流子決定，總體是電中性的，通常只畫出其中的雜質離子和等量的多數(shù)載流子。 雜質半導體的簡化表示法 1 .2 PN結（ PN Junction ） 將一塊 P型半導體和一塊 N型半導體有機結合在一起，其結合部就叫 PN結（該區(qū)域具有特殊性質）。 一 . PN結的形成 多子擴散（在 PN結合部形成內電場 EI）。 內電場阻礙多子擴散、利于少子漂移。 當擴散與漂移相對平衡，形成 PN結。 PN結別名：耗盡層、勢壘區(qū)、電位壁壘、阻擋層、內電場、空間電荷區(qū)等。 二 . PN結性質 ——單向導電性 1. 正向導通 PN結外加正向電壓 （ 正向偏置 ） ——P接 +、 N接 ， 形成較大正向電流 （ 正向電阻較小 ） 。 如 3mA。 2. 反向截止 PN結外加反向電壓 （ 反向偏置 ） ——P接 、 N接 +， 形成較小反向電流 （ 反向電阻較大 ） 。 如 10μ A。 二 . PN結性質 ——單向導電性 正偏電壓 U= （ Si管 ） （ Ge管 當電壓超過某個值 （ 約零點幾伏 ） ， 全部少子參與導電 ， 形成“ 反向飽和電流 IS”。 反偏電壓最高可達幾千伏 。 1 .3 半導體二極管（ Diode） 二極管的主要結構是 PN結。 1 .3 二極管 用外殼將 PN結封閉，引出 2根極線，就構成了二極管 。 一 ． 二極管伏安特性 正向電流較大 （ 正向電阻較小 ） ， 反向電流較小 （ 反向電阻較大 ） 。 門限電壓 （ 死區(qū)電壓 ）Vγ(Si管約為 、 Ge管約為)， 反向擊穿電壓 VBR（ 可高達幾千伏 ） 二極管電壓電流方程： 二 ． 二極管主要參數(shù) 1. 最大整流電流 IF 2. 最高反向工作電壓 UR 3. 反向電流 IR 4. 最高工作頻率 fM 由三塊半導體構成 ， 分為 NPN型和 PNP型兩種 。三極管含有 3極 、2結 、 3區(qū) 。 其中發(fā)射區(qū)高摻雜 ，基區(qū)較薄且低摻雜 ， 集電區(qū)一般摻雜 。 1 .4 三極管（ Transistor） 1 .4 .1 三極管結構及符號 1 .4 三極管（ Transistor） 1 .4 .2 三極管的三種接法（三種組態(tài)） 三極管在放大電路中有三種接法：共發(fā)射極、共基極、共集電極。 1 .4 .3 三極管內部載流子傳輸 下面以共發(fā)射極 NPN管為例分析三極管內部載流子的運動規(guī)律，從而得到三極管的放大作用。 為保證三極管具有放大作用（直流能量轉換為交流能量），三極管電路中必須要有直流電源，并且直流電源的接法必須保證 三極管的發(fā)射結正偏、集電結反偏 。 1 .4 .3 三極管內部載流子傳輸 一 .發(fā)射區(qū)向基區(qū) 發(fā)射載流子 (電子 ) I EN
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