【總結(jié)】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無線電系2022年東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2025-08-01 14:45
【總結(jié)】2022/4/141《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/4/142目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/4/143主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的
2025-04-13 22:59
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)上機(jī)實(shí)驗(yàn)報(bào)告班級(jí):13020188姓名:樊雪偉學(xué)號(hào):130201880222016年4月21日目錄……………………………………..3(1)D觸發(fā)器設(shè)計(jì)……………………
2025-03-23 12:40
【總結(jié)】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效應(yīng)管的分類:(電場(chǎng)效應(yīng),單
2025-02-21 10:49
【總結(jié)】2022/2/61《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/2/62目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類
2025-01-09 14:11
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-09 01:07
【總結(jié)】55/55PLD設(shè)計(jì)問答1.?答:SCF文件是MAXPLUSII的仿真文件,可以在MP2中新建.1.用Altera_Cpld作了一個(gè)186(主CPU)控制sdram的控制接口,發(fā)現(xiàn)問題:要使得sdram讀寫正確,必須把186(主CPU)的clk送給sdram,而不能把clk經(jīng)cpld的延時(shí)送給sdram.兩者相差僅僅4ns.而時(shí)序通過邏輯分析儀
2025-07-09 12:48
【總結(jié)】第四章第四章集成電路設(shè)計(jì)第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類:無源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類晶體管集成電路中的無源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計(jì)時(shí)盡可能少用無源元件,尤其是電容
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)報(bào)告專業(yè):電子信息工程班級(jí):姓名:學(xué)號(hào):電子與信息工程學(xué)院實(shí)驗(yàn)一Tanner軟件的安裝和使用一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握Tanner的安裝過程。2.了解Tanne
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】Chapter51第5章模擬集成電路及應(yīng)用Chapter52主要內(nèi)容?集成運(yùn)算放大器簡(jiǎn)介?集成運(yùn)算放大器的線性應(yīng)用?集成運(yùn)算放大器的非線性應(yīng)用Chapter53集成電路:采用半導(dǎo)體制造工藝,在一小塊硅單晶片上制作的具有特定功能的電子線路?!锛呻娐返幕靖拍罘诸悾耗M集成電路與數(shù)字集成電路。
2025-01-19 12:01
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類
【總結(jié)】電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-121第1章集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論1、微電子(集成電路)技術(shù)概述2、集成電路設(shè)計(jì)步驟及方法電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設(shè)計(jì)路線,即自工藝開始,先進(jìn)行單元設(shè)計(jì),在精心設(shè)計(jì)
2025-04-29 03:20