【正文】 限公司 PDP結構設計原理 ACPDP未放電時單元的等效電路圖 C gC d C dC t放 電 空 間介 質(zhì) 層Ua四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 像 素 的 透 光 面 積像 素 開 口 率 ＝像 素 面 積上基板放電單元的設計原則 : (1)在確定的像素面積內(nèi)，盡可能提高像素的光輸出開口率，以提高 PDP的發(fā)光效率，同時又要避免引起鄰線電極間的放電。 (2)在工藝允許范圍內(nèi)，盡可能降低 PDP的著火電壓，以利于降低驅(qū)動功率和成本。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 顯示電極間隙 g1， g2 和寬度 W的確定： 提高開口率的措施： Bus電極寬度 b ?，透明電極寬度 W ?。 當電極寬度 W為常數(shù)時 ,隨著 g的增大 ,PDP的發(fā)光亮度和光效都在提高。但是過大的放電間隙將引起著火電壓的升高 ,使驅(qū)動困難。為了降低著火電壓 ,寧可選擇比較小的放電間隙。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 隨著 w1的增加，放電單元的 Uf和 Ue略有降低，而 ?Us則基本保持不變，而放電電流增加。 隨著顯示電極寬度增大，亮度提高，而光效基本不變。 為避免鄰線放電，顯示電極非發(fā)光區(qū)間隙 g1，g2 要考慮。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 介質(zhì)層厚度的確定 減小介質(zhì)層厚度都會使著火電壓下降，放電電流增大，亮度增加，功耗增加。 從工藝角度，為了保證透明介質(zhì)有一定的耐擊穿能力，不宜做的太薄，一般分兩次印、烘、燒的過程。對于薄膜Bus電極 (CrCuCr)，透明介質(zhì)厚取 20～ 25μm，對于厚膜銀 Bus電極，透明介質(zhì)厚取 25～ 30μm。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 障壁寬度 ：在滿足均勻性的前提下， 障壁寬度應盡可能窄，以增大單元的開口率，提高器件亮度。 障壁高度 ：諧振輻射的自吸收 e+Xe*(3P1)?Xe++2e 如果高度 h?，則著火電壓 ?，維持電壓 ?，尋址電壓 ?， 發(fā)光亮度 ?。 一般選取障壁的高度為顯示電極間隙 ～ 。 對障壁的要求是高度一致 (偏差在 ?5?m以內(nèi) )， 形狀均勻。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 障壁高度對 PDP電壓性能的影響 110 120 130 140 150 160200210220230240250260h ( u m )U ( V ) U f U e3035404550? U s ( V )? U s 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 障壁高度對亮度的影響 200 220 240 2 6 0 2 8 0 3 0 02 0 02 5 03 0 03 5 04 0 04 5 05 0 0 h = 1 1 5 u m h = 1 3 5 u m h = 1 5 5 u mL ( cd / m 2 )U s ( V )四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 尋址電極寬度 ：為了確保正交的 AY電極對向放電有足夠的區(qū)域， A電極應有足夠的寬度。但是，如電極太寬，會增大尋址時的放電電流，使尋址功率變大，增加電路的難度。 介質(zhì)層厚度 ：下板介質(zhì)的主要作用是保護尋址電機，特別是在噴砂和刻蝕工藝制作障壁的過程中要考慮加工的可行性。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結構設計原理 研究目標： PDP低成本、高效率材料和部件 研究內(nèi)容：介質(zhì)、障壁、熒光粉和電極材料 用于低成本制造技術的材料 高效率、長壽命熒光粉 四川虹歐顯示器件有限公司 GLASS 投入 ITO電極 BUS 電極 BLACK STRIPE 介質(zhì) (下 ) 介質(zhì) (上 ) 投入檢查 初期清洗 干燥 檢查 預熱 貼膜 曝光 顯影 刻蝕 剝膜 檢查 曝光 顯影 檢查 印刷 干燥 燒結 印刷 干燥 燒結 檢查 修復 印刷 燒結 干燥 曝光 顯影 檢查 印刷 燒結 干燥 上 板 檢查 PDP制作工藝 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 下 板 GLASS投入 尋址電極 背板介質(zhì) 障壁 熒光粉 投入檢查 初期清洗 干燥 檢查 印刷 干燥 燒結 檢查 印刷 貼膜 曝光 顯影 干燥 噴砂 剝膜 燒結 檢查 印刷 (3次 ) 干燥 曝光 顯影 檢查 修復 印刷 燒結 干燥 檢查 干燥 燒結 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 后 工 序 上 板 下 板 MgO鍍膜 檢查 封接涂覆 檢查 \修復 上下基板對合 排氣 \充氣 Bonding 檢查 \修復 燒結 老煉 涂膠 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 透明電極 ITO薄膜特點： ITO工藝成熟，刻蝕性能良好，但在 PDP工藝中經(jīng)過高溫處理時，阻值變化較大。 SnO2薄膜特點： 成膜工藝簡單，成本低，且熱穩(wěn)定性好，但其刻蝕性能不易掌握。 制作材料和方法 : 濕法刻蝕 激光直描 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 BUS電極 作用 : 減小顯示電極電阻 要求 : 導電性能好，與透明導電薄膜附著力強 制作材料和方法 : CrCuCr薄膜 磁控濺射法制備薄膜，刻蝕成形 Ag漿料 絲網(wǎng)印刷圖形，燒結制成 光敏 Ag漿料 絲網(wǎng)印刷，光刻成形，燒結制成 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP中的曝光工藝 BUS曝光 漿料： DC206 DC243(黑色 ) 工藝過程：黑 Bus印刷→ 干燥 → 白 Bus印刷 → 干燥 → 曝光 →顯影 → 燒結 備注：干燥的程度對曝光的結果有影響 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP中的曝光工藝 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 尋址電極 要求 : 導電性能好，與基板玻璃附著力強。 制作材料和方法 : Ag漿料 絲網(wǎng)印刷圖形，燒結制成。 光敏 Ag漿料 絲網(wǎng)印刷，光刻成形，燒結制成。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 介質(zhì)層 作用 :把電極與放電等離子體分隔開，限制了放電電流的無限增長，保護了電極； 使 ACPDP工作在存儲模式 , 有利于降低放電的維持電壓。 制作材料和方法 : 介質(zhì) 漿料 : 絲網(wǎng)印刷圖形，燒結制成。 介質(zhì) 漿料 : 涂敷圖形，燒結制成。 介質(zhì) 綠膜：貼膜，燒結制成。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 氧化鎂保護膜 ? 作用 :