【正文】 發(fā)展 DelTA單元結(jié)構(gòu) 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 DelTA結(jié)構(gòu)尋址放電 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 黑底條技術(shù) 高對(duì)比度驅(qū)動(dòng)方法 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 （ 1） CCF濾光膜（改善色純，提高對(duì)比度） （ 2） PLE峰值亮度增強(qiáng)技術(shù)（提高亮度和對(duì)比 度，降低功耗） （ 3）柵格狀障壁結(jié)構(gòu)（提高熒光粉發(fā)光面積） （ 4）梳狀 ITO電極（降低放電電壓和電流，提高 發(fā)光效率） （ 5） Waffle障壁結(jié)構(gòu)消除行間串?dāng)_適合高分辨率 獨(dú)自開發(fā)的技術(shù) 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 CCF: Capsulated Color Filter CCF彩色濾光膜 透過需要的光 阻斷不需要的光 減少環(huán)境光反射 四川虹歐顯示器件有限公司 峰值亮度增強(qiáng)技術(shù)（ PLE） PLE: Peak Luminance Enhancement 在亮度 、 對(duì)比度和功耗之間獲得最佳平衡 。 四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 1. FHP公司 PDP技術(shù) 與特點(diǎn) PDP技術(shù) 與特點(diǎn) PDP技術(shù) 與特點(diǎn) 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 （ 1） ALiS驅(qū)動(dòng)方法（高亮度和高分辨率，已用于產(chǎn)品） （ 2） TERES驅(qū)動(dòng)方法（低功耗，已用于產(chǎn)品） （ 3） DelTA像素結(jié)構(gòu)（高亮度和高發(fā)光效率，正在產(chǎn)業(yè)化） （ 4）等離子體管技術(shù)（高亮度和高發(fā)光效率，超級(jí)大屏幕顯示） 獨(dú)自開發(fā)的技術(shù) 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 ALiS: Alternate Lighting of Surfaces ALiS驅(qū)動(dòng)方法 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 （ 1） 上基板電極結(jié)構(gòu)與原來的 ALiS相同 ， 下基板障壁為柵格狀 。 四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 2023年 7月 24日，日本最大的 5家 PDP生產(chǎn)廠家松下、富士通、日立、先鋒、 NEC聯(lián)合成立下一代 PDP研發(fā)中心（ APDC），注冊(cè)資本 5000萬日元。 因此日本將 2023年稱為“ PDPTV元年 ” 。 同時(shí) PDP也感受到了 LCDTV的壓力 。 四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 2023 量產(chǎn)合格率不佳延續(xù)到一直到 1999年底 ， 各廠商不論在設(shè)備 、材料與驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上都有重大改善與突破 ， 在 2023年紛紛建立新的量產(chǎn)線 。 1996 42英寸彩色 PDP正式量產(chǎn) ， 稱 1996年為 PDP元年 。 電子被電場(chǎng)加速到能量大于 ，可與基態(tài) Ne原子發(fā)生電離碰撞 e+Ne?Ne++2e 電子被電場(chǎng)加速到能量達(dá) Ne原子碰撞，可使基態(tài) Ne原子激發(fā)到亞穩(wěn)態(tài) e+Ne?Nem+e Nem的壽命長(zhǎng)達(dá) ?10ms，與其它原子碰撞的幾率 NeXe混合氣體放電 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 很高，當(dāng)與 Xe原子碰撞時(shí)可使其電離，即發(fā)生潘寧電離 Nem+Xe?Ne+Xe++e 混合氣中 Xe原子對(duì)著火電壓的影響： ? 與 He和 Ne原子發(fā)生潘寧電離，有利于放電進(jìn)行； ? Xe含量增高 使平均電子能量下降，引起電子對(duì) He Ne Xe原子電離碰撞總截面減小，不利于放電進(jìn)行。如日光燈就是利用正柱區(qū)發(fā)光，光效高達(dá) 80 lm/W。 （ 7）陽極區(qū) 在陽極附近可以看到陽極暗區(qū)，在陽極暗區(qū)之后是緊貼陽極上的陽極輝光。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) （ 5）法拉第暗區(qū) 這是一個(gè)處于負(fù)輝區(qū)和正柱區(qū)之間的過渡區(qū)。慢速電子是多數(shù)，它們?cè)谪?fù)輝區(qū)產(chǎn)生許多激發(fā)碰撞，因而產(chǎn)生明亮的輝光。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)，電子能量已超過電離電位，引起了大量的碰撞電離，繁流放電集中在這里發(fā)生。 (2)陰極光層 這是一層很薄、很弱的發(fā)光層。 (4) 陰極電子發(fā)射主要是 ?過程。 (3) 管壓降明顯低于著火電壓，并且不隨電流而變。 例如： ? 人工加熱陰極產(chǎn)生熱電子發(fā)射，取代 ?發(fā)射過程的作用； ? 用紫外光照射陰極，使陰極產(chǎn)生光電發(fā)射； ? 放射性物質(zhì)靠近放電管，放射性射線引起氣體電離； ? 通過預(yù)放電提供初始的帶電粒子等可以大大降低著火電壓。這種效應(yīng)在氖 — 汞混合氣體中也存在。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 在放電管內(nèi)有兩種氣體的混合物時(shí)， Ub就不能簡(jiǎn)單地用混合方法以混合氣體的濃度去計(jì)算。 因此 ， PDP中充入氣體的壓強(qiáng)和電極間隙對(duì) PDP的著火電壓有很大影響 。 （ 3） 湯生第三電離系數(shù) — ?系數(shù)。） 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) NeXe混合氣體放電能量轉(zhuǎn)移簡(jiǎn)圖 Ne 2+Ne 2*Ne+Ne*NemXe+Xe 2+Xe*XemXe 2VXe 2U電子碰撞激發(fā)或電離潘寧電離或電荷交換輻射轉(zhuǎn)移兩體或三體碰撞離解復(fù)合1 4 7 n m173nm1 5 0 n m8 2 8 n mXe**四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 湯生放電自 持暗放電 輝光放電弧光放電自持放電非自持放電V f101610141012101102103104105106101100101002004006008001000ABC DEVR EaIFGHV a (V)I(A)氣體放電的伏安特性 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體發(fā)生穩(wěn)定放電的區(qū)域： 正常輝光放電區(qū) DE 反常輝光放電區(qū) EF 弧光放電前區(qū) FG 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 為了描述氣體放電中的電離現(xiàn)象 ， 湯生提出了三種電離過程 ， 并引出三個(gè)對(duì)應(yīng)的電離系數(shù)： （ 1） 湯生第一電離系數(shù) — α 系數(shù) 。 如輝光放電正柱區(qū) 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) Plasma Display Panel ： 所有利用氣體放電而發(fā)光的平板顯示器件的總稱。電離后形成的電子之總電荷量同所有的正離子的總電荷量在數(shù)值上相等，而在宏觀上保持電中性。如果溫度足夠高，就可以使物質(zhì)全部電離。 低溫等離子體 （部分電離氣體） 熱等離子體（ Te=104~106K， Ti=3?103~3?104K） 冷等離子體（ Te104K， Ti=室溫 ） 如電弧等離子體、 高頻等離子體、 燃燒等離子體等。） 亞穩(wěn)能級(jí) （不能自發(fā)地通過光輻射向基態(tài)躍遷