freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

等離子電視(pdp)基本原理(專(zhuān)業(yè)版)

  

【正文】 :17:3905:17Feb2326Feb23 ? 1越是無(wú)能的人,越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 。 噴砂法的缺點(diǎn)是材料利用率低 ,并且被噴砂刻蝕的材料中含有不少鉛的氧化物 , 污染環(huán)境 。但是,如電極太寬,會(huì)增大尋址時(shí)的放電電流,使尋址功率變大,增加電路的難度。 (2)在工藝允許范圍內(nèi),盡可能降低 PDP的著火電壓,以利于降低驅(qū)動(dòng)功率和成本。 ( 3) 同時(shí)具有高分辨率和高亮度 , 在 50英寸以上 PDP中亮度最高 。 2023 韓日成功舉辦足球世界杯 , 并以此為契機(jī)宣傳 PDP電視 , 2023年下半年 , PDP銷(xiāo)量猛增 。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) PDP的發(fā)光效率不高的原因: 雖然正柱區(qū)的強(qiáng)度不如負(fù)輝區(qū)強(qiáng),但它的發(fā)光區(qū)域最大, 因此對(duì)光通量的貢獻(xiàn)也最大。 Vc輝光放電的光區(qū)分布光 強(qiáng)電 位場(chǎng) 強(qiáng)空間電荷密度阿斯頓暗區(qū)陰極輝區(qū)陰極暗區(qū)負(fù)輝區(qū)法拉第暗區(qū)正柱區(qū)陽(yáng)極暗區(qū)陽(yáng)極輝區(qū)IEZn_n+V四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) (3)陰極暗區(qū) 電子離開(kāi)明極后,到這里獲得的能量愈來(lái)愈大,甚至超過(guò)了激發(fā)幾率的最大值,于是激發(fā)減少,發(fā)光減弱。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 使用輔助電離源來(lái)加快帶電粒子的形成,也可以使著火電壓降低。它是指一個(gè)正離子沿電場(chǎng)方向運(yùn)行單位路程所產(chǎn)生的碰撞電離次數(shù)。電離后形成的電子之總電荷量同所有的正離子的總電荷量在數(shù)值上相等,而在宏觀上保持電中性。 因此 , PDP中充入氣體的壓強(qiáng)和電極間隙對(duì) PDP的著火電壓有很大影響 。 (3) 管壓降明顯低于著火電壓,并且不隨電流而變。慢速電子是多數(shù),它們?cè)谪?fù)輝區(qū)產(chǎn)生許多激發(fā)碰撞,因而產(chǎn)生明亮的輝光。 電子被電場(chǎng)加速到能量大于 ,可與基態(tài) Ne原子發(fā)生電離碰撞 e+Ne?Ne++2e 電子被電場(chǎng)加速到能量達(dá) Ne原子碰撞,可使基態(tài) Ne原子激發(fā)到亞穩(wěn)態(tài) e+Ne?Nem+e Nem的壽命長(zhǎng)達(dá) ?10ms,與其它原子碰撞的幾率 NeXe混合氣體放電 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 很高,當(dāng)與 Xe原子碰撞時(shí)可使其電離,即發(fā)生潘寧電離 Nem+Xe?Ne+Xe++e 混合氣中 Xe原子對(duì)著火電壓的影響: ? 與 He和 Ne原子發(fā)生潘寧電離,有利于放電進(jìn)行; ? Xe含量增高 使平均電子能量下降,引起電子對(duì) He Ne Xe原子電離碰撞總截面減小,不利于放電進(jìn)行。 因此日本將 2023年稱(chēng)為“ PDPTV元年 ” 。 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 柵格單元結(jié)構(gòu) 傳統(tǒng)單元結(jié)構(gòu) 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 黑條 低電流,低電壓 顯示屏電容減小 無(wú)功功率減小 降低功耗 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 Waffle障壁結(jié)構(gòu) 傳統(tǒng)結(jié)構(gòu) 存在行間串?dāng)_限制分辨率 Waffle結(jié)構(gòu) 消除行間串?dāng)_適合高分辨率 四川虹歐顯示器件有限公司 松下公司 PDP技術(shù)發(fā)展 ( 1)非對(duì)稱(chēng)放電單元結(jié)構(gòu)(改善色溫) ( 2) Plasma AI驅(qū)動(dòng)方法(自適應(yīng)亮度增強(qiáng)) ( 3)利用感光障壁形成工藝(精細(xì)結(jié)構(gòu)) ( 4)純黑驅(qū)動(dòng)方法( Real Black) ( 5)自適應(yīng) ?變換( Real Gamma, 1024灰度級(jí)) 獨(dú)自開(kāi)發(fā)的技術(shù) 四川虹歐顯示器件有限公司 松下公司 PDP技術(shù)發(fā)展 非對(duì)稱(chēng)單元結(jié)構(gòu)改善色溫 四川虹歐顯示器件有限公司 松下公司 PDP技術(shù)發(fā)展 AI提高圖像質(zhì)量 四川虹歐顯示器件有限公司 松下公司 PDP技術(shù)發(fā)展 光 照感光性障壁材料印刷曝 光顯影、燒結(jié)感 光 性 障壁 材 料玻璃基板掩 模障 壁感光障壁形成工藝 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 四川虹歐顯示器件有限公司 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 W a障壁熒 光 粉尋 址 電 極th 介 質(zhì) 層 MgO層顯 示 電 極( I T O 薄 膜 電 極 + 金 屬 電 極 )W 1 g 1 g 2 W 2W 1bW sP vP h四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 需確定的尺寸: 前板: 顯示電極間隙 g1 , 顯示電極寬度 (ITO電極 : w1,匯流電極 : w2) , 相鄰單元間隙 g1 , 黑條寬度 ws , 前板介質(zhì)層厚度 t1 。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 隨著 w1的增加,放電單元的 Uf和 Ue略有降低,而 ?Us則基本保持不變,而放電電流增加。 制作材料和方法 : Ag漿料 絲網(wǎng)印刷圖形,燒結(jié)制成。 四川虹歐顯示器件有限公司 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 熒光體材料的改進(jìn) 用在普通 CRT上的熒光體有相當(dāng)歷史,而用于等離子電視的則歷史很短。 05:17:3905:17:3905:172/26/2023 5:17:39 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 2023年 2月 上午 5時(shí) 17分 :17February 26, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義,不要越軌。 2023年 2月 上午 5時(shí) 17分 :17February 26, 2023 ? 1少年十五二十時(shí),步行奪得胡馬騎。 05:17:3905:17:3905:172/26/2023 5:17:39 AM ? 1以我獨(dú)沈久,愧君相見(jiàn)頻。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP制作工藝 氧化鎂保護(hù)膜 ? 作用 : 延長(zhǎng)顯示器的壽命; 增加工作電壓的穩(wěn)定性; 降低器件的著火電壓; 減小放電的時(shí)間延遲。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 障壁寬度 :在滿足均勻性的前提下, 障壁寬度應(yīng)盡可能窄,以增大單元的開(kāi)口率,提高器件亮度。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 放電間隙增大,放電路徑變長(zhǎng),一方面電子在到達(dá)陽(yáng)極前與氣體原子的碰撞次數(shù)增多,產(chǎn)生更多的激發(fā)和電離; 另一方面由于 PDP放電單元的空間很小,放電時(shí)只出現(xiàn)陰極位降區(qū)和負(fù)輝區(qū),而 VUV主要產(chǎn)生于負(fù)輝區(qū)。 ADPC的任務(wù)是開(kāi)發(fā)提高發(fā)光效率、降低功耗和降低生產(chǎn)成本的新技術(shù)。 1998 事實(shí)上 PDP合格率一直無(wú)法快速提升 , 日本各廠商將原來(lái)的價(jià)格目標(biāo)延后至 2023年 。 輝光放電的各發(fā)光區(qū)中,發(fā)光強(qiáng)度以負(fù)輝區(qū)最強(qiáng),正柱區(qū)居中,陰極光層和陽(yáng)極輝光最弱。在這里由于受正離子轟擊從陰極發(fā)射出來(lái)的二次電子初速很小,不具備激發(fā)條件。 在氖氣中混入少量氙氣能使氣體的擊穿電壓降低,其降低量由氙氣的混合量決定。) 較高激發(fā)態(tài)能級(jí) (向較低基發(fā)態(tài)能級(jí)躍遷,并產(chǎn)生光子輻射。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 日光燈發(fā)光示意圖 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體放電中的基本粒子: ? 基態(tài)原子(或分子) ? 運(yùn)動(dòng) 電子 ?e= 1/2mve2,典型密度為 1016~1020/m3. ? 激發(fā)態(tài)原子 (或分子 ) ? 正離
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
公司管理相關(guān)推薦
文庫(kù)吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號(hào)-1