【正文】 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP基本原理 四川虹歐顯示器件有限公司 內(nèi)容 一、 氣體放電物理基礎(chǔ) 二、彩色 PDP發(fā)展與特點 三、 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計原理 四、 PDP制作工藝介紹 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 固態(tài) 液態(tài) 氣態(tài) 等離子體？ 如果氣體的溫度繼續(xù)升高，物質(zhì)受熱能的激發(fā)而電離。如果溫度足夠高，就可以使物質(zhì)全部電離。電離后形成的電子之總電荷量同所有的正離子的總電荷量在數(shù)值上相等，而在宏觀上保持電中性。太陽就是一個等離子體， 2023年 9月 28日中國人造太陽成功完成首次等離子體放電試驗。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 等離子體的分類 : 等離子體 高溫等離子體（完全電離氣體） 溫度范圍： 106~108K，如可控?zé)岷朔? 應(yīng)等離子體、太陽、恒星等。 低溫等離子體 （部分電離氣體） 熱等離子體（ Te=104~106K， Ti=3?103~3?104K） 冷等離子體（ Te104K， Ti=室溫 ） 如電弧等離子體、 高頻等離子體、 燃燒等離子體等。 如輝光放電正柱區(qū) 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) Plasma Display Panel ： 所有利用氣體放電而發(fā)光的平板顯示器件的總稱。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 日光燈發(fā)光示意圖 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體放電中的基本粒子： ? 基態(tài)原子（或分子） ? 運動 電子 ?e＝ 1/2mve2，典型密度為 1016~1020/m3. ? 激發(fā)態(tài)原子 (或分子 ) ? 正離子和負(fù)離子 ? 光子 ??＝ h? 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體原子的激發(fā)和電離 激發(fā)態(tài) 原子能級 諧振能級 （受激原子自發(fā)地直接過渡到 基態(tài)，并產(chǎn)生光子輻射。） 較高激發(fā)態(tài)能級 （向較低基發(fā)態(tài)能級躍遷，并產(chǎn)生光子輻射。） 亞穩(wěn)能級 （不能自發(fā)地通過光輻射向基態(tài)躍遷。） 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) NeXe混合氣體放電能量轉(zhuǎn)移簡圖 Ne 2+Ne 2*Ne+Ne*NemXe+Xe 2+Xe*XemXe 2VXe 2U電子碰撞激發(fā)或電離潘寧電離或電荷交換輻射轉(zhuǎn)移兩體或三體碰撞離解復(fù)合1 4 7 n m173nm1 5 0 n m8 2 8 n mXe**四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 湯生放電自 持暗放電 輝光放電弧光放電自持放電非自持放電V f101610141012101102103104105106101100101002004006008001000ABC DEVR EaIFGHV a (V)I(A)氣體放電的伏安特性 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體發(fā)生穩(wěn)定放電的區(qū)域： 正常輝光放電區(qū) DE 反常輝光放電區(qū) EF 弧光放電前區(qū) FG 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 為了描述氣體放電中的電離現(xiàn)象 ， 湯生提出了三種電離過程 ， 并引出三個對應(yīng)的電離系數(shù)： （ 1） 湯生第一電離系數(shù) — α 系數(shù) 。 它是指每個電子在沿電場反方向運行單位距離的過程中 ， 與氣體原子發(fā)生碰撞電離的次數(shù) 。 氣體的擊穿和巴邢定律 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) （ 2）湯生第二電離系數(shù) — β 系數(shù)。它是指一個正離子沿電場方向運行單位路程所產(chǎn)生的碰撞電離次數(shù)。 （ 3） 湯生第三電離系數(shù) — ?系數(shù)。它是指每個正離子打上陰極表面時，產(chǎn)生的二次電子發(fā)射數(shù)。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 帕邢 (Paschen)首先發(fā)現(xiàn)，在氣體種類、電極材料等條件不變時，著火電壓 Ub不僅單獨和壓強(qiáng) P或極間距離 d有關(guān)，而且和 Pd的乘積有關(guān)，即 Ub是Pd的函數(shù) Ub=f（ Pd） 這個規(guī)律稱為帕邢定律。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 影響氣體放電著火電壓的因素 pd值的作用 巴邢定律表明 ， 當(dāng)其它因素不變時 ， pd值的變化對著火電壓的變化起了決定性的作用 。 因此 ， PDP中充入氣體的壓強(qiáng)和電極間隙對 PDP的著火電壓有很大影響 。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體種類和成分的影響 ?值和擊穿電壓 Ub值，都與氣體的性質(zhì) (種類和氣壓 )有關(guān)，并主要由電子與一定氣體粒子發(fā)生碰撞的過程來決定。 氣體的電離電位對擊穿電位的影響是另一個重要的因素，在其他條件不變的情況下，通常電離電位越大的氣體，它的擊穿電位就越大。 如果碰撞時電子還未達(dá)到足以使氣體電離的速度，電子與這種氣體粒子碰撞損失的平均能量較大，那么這種氣體被擊穿所需要的電場強(qiáng)度就大，相應(yīng)地要求擊穿電位也高。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 在放電管內(nèi)有兩種氣體的混合物時， Ub就不能簡單地用混合方法以混合氣體的濃度去計算。實驗指出，混合氣體的擊穿現(xiàn)象往往與純粹氣體完全不同。 在氖氣中混入少量氙氣能使氣體的擊穿電壓降低，其降低量由氙氣的混合量決定。這種現(xiàn)象就是放電中潘寧效應(yīng)的結(jié)果。這種效應(yīng)在氖 — 汞混合氣體中也存在。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 潘寧電離： 設(shè) A、 B為不同種類的原子 ， 原子 A的亞穩(wěn)激發(fā)電位大于原子 B的電離電位 ， 亞穩(wěn)原子 A* 與基態(tài)原子 B碰撞時 ， 使 B電離 ， 變?yōu)榛鶓B(tài)正離子 B+（ 或激發(fā)態(tài)正離子 B+*） ， 而亞穩(wěn)原子 A*降低到較低能態(tài) ， 或變?yōu)榛鶓B(tài)原子 A， 此過程稱為潘寧電離 ， 可用符號表示為： A*+B?A+B+（ 或 B+*） +e 由于亞穩(wěn)原子具有較長的壽命 ， 其平均壽命是 104?102s （ 而一般激發(fā)態(tài)原子的壽命為 108?107s） ， 因此潘寧電離的幾率較高 ， 使得基本氣體的有效電離電位明顯降低 。 另外 ， 著火電壓下降的大小還與兩種氣體的性質(zhì)和它們量的混合比有非常密切的關(guān)系 。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 使用輔助電離源來加快帶電粒子的形成，也可以使著火電壓降低。 例如： ? 人工加熱陰極產(chǎn)生熱電子發(fā)射，取代 ?發(fā)射過程的作用； ? 用紫外光照射陰極，使陰極產(chǎn)生光電發(fā)射； ? 放射性物質(zhì)靠近放電管，放射性射線引起氣體電離； ? 通過預(yù)放電提供初始的帶電粒子等可以大大降低著火電壓。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 正常輝光放電的基本特征： (1) 放電時，在放電空間呈現(xiàn)明暗相間、有一定分布規(guī)律的光區(qū)。 (2) 由于著火后，空間電荷引起的電